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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
UF1KH Taiwan Semiconductor Corporation UF1KH 0.1044
RFQ
 ECAD 2260 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF1K 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
MTZJ9V1SA Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ9V1SA 0.0305
RFQ
 ECAD 6934 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj9 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-mtzj9v1satr 귀 99 8541.10.0050 10,000 500 na @ 6 v 9.1 v 25 옴
FR152GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation FR152GHB0G -
RFQ
 ECAD 8070 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR152 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
BZX79C30 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C30 A0G -
RFQ
 ECAD 1225 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 50 na @ 21 v 30 v 80 옴
BZX84C9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C9V1 0.0511
RFQ
 ECAD 2648 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.04% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX84C9V1TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
RS1DL RHG Taiwan Semiconductor Corporation RS1DL RHG -
RFQ
 ECAD 1891 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1D 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 800 ma 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
BZX85C9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C9V1 0.0645
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX85C9V1TR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 10 ma 1 µa @ 6.9 v 9.1 v 5 옴
BZD27C15PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15PHRFG -
RFQ
 ECAD 1361 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 11 v 14.7 v 10 옴
HER3L06GH Taiwan Semiconductor Corporation HER3L06GH 0.2535
RFQ
 ECAD 7930 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-her3l06ghtr 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 54pf @ 4V, 1MHz
BZX55B11 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B11 A0G -
RFQ
 ECAD 9031 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 8.2 v 11 v 20 옴
BAS20W Taiwan Semiconductor Corporation BAS20W 0.0498
RFQ
 ECAD 1900 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAS20 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BAS20WTR 귀 99 8541.10.0070 45,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 150 v 1.25 V @ 100 ma 50 ns 100 na @ 150 v 125 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
PU2JA Taiwan Semiconductor Corporation pu2ja 0.1050
RFQ
 ECAD 9173 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA pu2j 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-pu2jatr 귀 99 8541.10.0080 15,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.5 v @ 2 a 26 ns 2 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 22pf @ 4a, 1MHz
S1GHR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1GHR3G -
RFQ
 ECAD 7958 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA S1G 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 짐 400 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
MUR440S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440S V7G 1.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 컷 컷 (CT) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC MUR440 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 4 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a 65pf @ 4V, 1MHz
BZT52C68 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C68 RHG 0.0453
RFQ
 ECAD 4551 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 47.6 v 68 v 240 옴
ES3C M6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3C M6G -
RFQ
 ECAD 8892 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC ES3C 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 3 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
ES1BL RHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1BL RHG -
RFQ
 ECAD 5966 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 1v, 1MHz
UG8JHC0G Taiwan Semiconductor Corporation ug8jhc0g -
RFQ
 ECAD 4141 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 UG8J 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.9 V @ 8 a 25 ns 30 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
MBRS30H45CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS30H45CT MNG -
RFQ
 ECAD 3093 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS30 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 30A 900 mV @ 30 a 200 µa @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C
1N4004GA0 Taiwan Semiconductor Corporation 1N4004GA0 -
RFQ
 ECAD 4835 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4004 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 400 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
MBR10150CTC0 Taiwan Semiconductor Corporation MBR10150CTC0 -
RFQ
 ECAD 4695 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR1015 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 980 MV @ 10 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
TSM5NC50CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM5NC50CZ C0G 2.8500
RFQ
 ECAD 671 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TSM5 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.38ohm @ 2.5a, 10V 4.5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 586 pf @ 50 v - 89W (TC)
SR2060HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR2060HC0G -
RFQ
 ECAD 8732 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SR2060 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 700 mV @ 10 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR1045CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR1045CT -
RFQ
 ECAD 3729 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR104 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 800 mV @ 10 a 100 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
BAS70-04 Taiwan Semiconductor Corporation BAS70-04 0.0453
RFQ
 ECAD 1605 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BAS70-04TR 귀 99 8541.10.0070 6,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 70 v 70ma 1 V @ 15 ma 5 ns 100 na @ 50 v -55 ° C ~ 125 ° C
BZD17C16P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C16P RFG -
RFQ
 ECAD 3727 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.625% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 12 v 16 v 15 옴
SS36LHRFG Taiwan Semiconductor Corporation SS36LHRFG -
RFQ
 ECAD 8063 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS36 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZD27C16P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16P RVG -
RFQ
 ECAD 5507 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 12 v 16.2 v 15 옴
6A40GH A0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A40GH A0G -
RFQ
 ECAD 1159 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, 기준 R-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-6A40GHA0GTR 귀 99 8541.10.0080 1,000 짐 400 v 1 V @ 6 a 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
BZD27C130PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130PHMTG -
RFQ
 ECAD 5678 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 100 v 132.5 v 300 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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