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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BA158GHB0G	-	RFQ	3094	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BA158	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.2 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1SMA5950 R3G	-	RFQ	6892	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA5950		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800								500 NA @ 83.6 v				110 v	300 옴
MUR420HB0G	-	RFQ	9759	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	MUR420	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		890 mV @ 4 a	25 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	4a	65pf @ 4V, 1MHz
BZD17C62P M2G	-	RFQ	8773	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.45%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 47 v				62 v	80 옴
SS34LHRFG	-	RFQ	7750	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS34	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
SF41GHA0G	-	RFQ	6340	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF41	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1 V @ 4 a	35 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	100pf @ 4V, 1MHz
BZD27C120PHM2G	-	RFQ	4336	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.39%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 91 v				120.5 v	300 옴
AZ23C6V2	0.0786	RFQ	7017	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-AZ23C6V2TR	귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통							100 na @ 2 v				6.2 v	10 옴
1SMA150ZH	0.1245	RFQ	4056	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA150		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500								1 µa @ 114 v				150 v	1000 옴
RSFGL MQG	-	RFQ	4286	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RSFGL	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 500 ma	150 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
S8KC R7G	-	RFQ	2236	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S8KC	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		985 MV @ 8 a		10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	48pf @ 4V, 1MHz
2M140ZHA0G	-	RFQ	1328	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M140		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500								500 NA @ 106.4 v				140 v	500 옴
MBRS2045CTH	0.6851	RFQ	2456	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRS2045	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	20A	840 mV @ 20 a		100 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
PU2DM	0.4300	RFQ	12	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 리드	pu2d	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-pu2dmtr	귀 99	8541.10.0080	12,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.05 V @ 2 a	25 ns	1 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	18pf @ 4V, 1MHz
HERA808G	1.7500	RFQ	953	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	HERA808	기준		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.7 V @ 8 a	80 ns	10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	55pf @ 4V, 1MHz
RS3A M6	-	RFQ	9364	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-RS3AM6TR	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.3 v @ 3 a	150 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
HS3AB M4G	-	RFQ	1095	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	HS3A	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1 V @ 3 a	50 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	80pf @ 4V, 1MHz
BZT52B11S RRG	-	RFQ	1278	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52B		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1 V @ 10 ma		90 na @ 8 v				11 v	20 옴
HS1AL MQG	-	RFQ	6876	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	HS1A	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		950 MV @ 1 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
BZD27C75PHMHG	-	RFQ	3161	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.04%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 56 v				74.5 v	100 옴
BZD27C82P	0.2753	RFQ	9260	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	± 6.09%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 62 v				82 v	200 옴
ES2AA	0.1769	RFQ	9350	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA		기준		DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-es2aatr	귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		950 MV @ 2 a	35 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	25pf @ 4V, 1MHz
3A60	0.0977	RFQ	7855	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	3A60	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500		짐		600 v		1.1 v @ 3 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	27pf @ 4V, 1MHz
BZD17C15P M2G	-	RFQ	1979	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 11 v				15 v	10 옴
MBR25100CTHC0G	-	RFQ	9753	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR25100	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	25A	920 MV @ 25 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
s1mlhmtg	-	RFQ	3262	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	S1ML	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		짐		1000 v		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	9pf @ 4V, 1MHz
S3JBHR5G	0.7000	RFQ	3	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	S3J	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		짐		600 v		1.15 V @ 3 a	1.5 µs	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
UDZS8V2B RRG	-	RFQ	1659	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	UDZS8		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								630 na @ 5 v				8.2 v	30 옴
BZX84C39 RFG	0.0511	RFQ	4619	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 27.3 v				39 v	130 옴
GP1004	0.4632	RFQ	9323	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	GP1004	기준		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		짐	1 음극 음극 공통	400 v	10A	1.1 v @ 5 a		2 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²