SIC
close

불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
S2G Taiwan Semiconductor Corporation S2G 0.0851
RFQ
 ECAD 1561 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S2G 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 400 v 1.15 V @ 2 a 1.5 µs 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
HER1605G Taiwan Semiconductor Corporation HER1605G -
RFQ
 ECAD 8559 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 HER1605 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 16A 1.3 V @ 8 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C
TSM340N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM340N06CP ROG 1.6600
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSM340 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 30A (TC) 4.5V, 10V 34mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 16.6 NC @ 10 v ± 20V 1180 pf @ 30 v - 66W (TC)
AZ23C12 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C12 0.0786
RFQ
 ECAD 5027 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-AZ23C12TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 9 v 12 v 20 옴
ZM4757A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4757A L0G 0.0830
RFQ
 ECAD 8908 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF ZM4757 1 W. 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 38.8 v 51 v 95 옴
BZD27C200PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200PHMTG -
RFQ
 ECAD 3876 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 150 v 200 v 750 옴
MBR3090PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3090PTHC0G -
RFQ
 ECAD 9610 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR3090 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 30A 500 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
2M20Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M20Z 0.1565
RFQ
 ECAD 9529 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M20 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,500 500 NA @ 15.2 v 20 v 11 옴
BC550A B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC550A B1 -
RFQ
 ECAD 2181 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 영향을받지 영향을받지 1801-BC550AB1 쓸모없는 1 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN - 110 @ 2MA, 5V -
SSL13H Taiwan Semiconductor Corporation SSL13H 0.1398
RFQ
 ECAD 1161 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SSL13 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 390 mV @ 1 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZV55B6V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B6V2 0.0504
RFQ
 ECAD 3991 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZV55B6V2TR 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 v @ 100 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
MBRF1650 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1650 C0G -
RFQ
 ECAD 7058 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 MBRF1650 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mV @ 16 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
SF62GH Taiwan Semiconductor Corporation sf62gh -
RFQ
 ECAD 2078 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SF62GHTR 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 975 MV @ 6 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 100pf @ 4V, 1MHz
SF806GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF806GHC0G -
RFQ
 ECAD 2322 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SF806 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 8 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 50pf @ 4V, 1MHz
BZT52C3V0K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V0K RKG 0.0474
RFQ
 ECAD 9180 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 50 µa @ 1 v 3 v 100 옴
SS34 Taiwan Semiconductor Corporation SS34 0.1983
RFQ
 ECAD 5221 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC SS34 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
HT17G A1G Taiwan Semiconductor Corporation HT17G A1G -
RFQ
 ECAD 9488 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, HT17 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SR1203HR0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1203HR0G -
RFQ
 ECAD 1259 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR1203 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 12 a 500 µa @ 30 v -50 ° C ~ 150 ° C 12a -
BZV55C8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C8V2 0.0333
RFQ
 ECAD 1934 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZV55C8V2TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 6.2 v 8.2 v 7 옴
MBR4050PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR4050PT C0G -
RFQ
 ECAD 2486 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR4050 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 40a 1 ma @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
1M160Z R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M160Z R1G -
RFQ
 ECAD 1791 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1M160 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 121.6 v 160 v 1100 옴
1PGSMA4760H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4760h 0.1156
RFQ
 ECAD 7376 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma4760 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 51.7 v 68 v 150 옴
SR309HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR309HB0G -
RFQ
 ECAD 4621 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR309 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 3 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
TSM60NB190CM2 Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CM2 4.3298
RFQ
 ECAD 4719 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB TSM60 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM60NB190CM2TR 귀 99 8541.29.0095 2,400 n 채널 600 v 18A (TC) 10V 190mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 30V 1273 pf @ 100 v - 150.6W (TC)
BC338-16-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC338-16-B0 A1G -
RFQ
 ECAD 8632 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92 다운로드 영향을받지 영향을받지 1801-BC338-16-B0A1GTB 쓸모없는 1 25 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 5V 100MHz
1N5393G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5393G R0G -
RFQ
 ECAD 9761 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5393 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 짐 200 v 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
1N5393GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N5393GH -
RFQ
 ECAD 5168 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-204AC (DO-15) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1n5393GHTR 귀 99 8541.10.0080 3,500 짐 200 v 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
TSN525M60 Taiwan Semiconductor Corporation TSN525M60 -
RFQ
 ECAD 4184 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 8-powerldfn TSN525 기준 8-PDFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 630 MV @ 25 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
BC848AW Taiwan Semiconductor Corporation BC848AW 0.0357
RFQ
 ECAD 4512 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC848 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-bc848awtr 귀 99 8541.21.0075 18,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
SRS1030HMNG Taiwan Semiconductor Corporation srs1030hmng -
RFQ
 ECAD 1108 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS1030 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 10A 550 mV @ 5 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다