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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
RSFGL MHG Taiwan Semiconductor Corporation RSFGL MHG -
RFQ
 ECAD 4682 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFGL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
MTZJ2V4SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation mtzj2v4sa r0g 0.0305
RFQ
 ECAD 6800 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj2 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 120 µa @ 1 v 2.43 v 100 옴
1PGSMA4753 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4753 R3g -
RFQ
 ECAD 7582 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1PGSMA4753 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 27.4 v 36 v 50 옴
BZX79C3V6 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C3V6 A0G -
RFQ
 ECAD 5354 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 15 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
1SMB5941 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5941 R5G -
RFQ
 ECAD 3566 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5941 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 35.8 v 47 v 67 옴
ES2CA R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2CA R3G -
RFQ
 ECAD 4915 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA ES2C 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 2 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
RS1KLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation rs1klhmhg -
RFQ
 ECAD 1064 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1K 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 800 ma 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
1N4004GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4004GHA0G -
RFQ
 ECAD 5701 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4004 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 400 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZD27C47PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47PHRVG 0.2933
RFQ
 ECAD 1365 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 36 v 47 v 45 옴
TSZL52C20 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C20 RWG -
RFQ
 ECAD 3368 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 1005 (2512 25) TSZL52 200 MW 1005 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15 v 20 v 50 옴
BZD17C11P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P RQG -
RFQ
 ECAD 8889 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
SS15LHRHG Taiwan Semiconductor Corporation SS15LHRHG -
RFQ
 ECAD 5034 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS15 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 400 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
TSM150P03PQ33 Taiwan Semiconductor Corporation TSM150P03PQ33 0.6916
RFQ
 ECAD 2112 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn TSM150 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (3.1x3.1) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM150P03PQ33TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 30 v 10A (TA), 36A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 29.3 NC @ 10 v ± 20V 1829 pf @ 15 v - 2.3W (TA), 27.8W (TC)
HER102G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER102G B0G -
RFQ
 ECAD 6794 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 HER102 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
S3G R6G Taiwan Semiconductor Corporation S3G R6G -
RFQ
 ECAD 1394 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S3GR6GTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 400 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
1N914B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N914B A0G 0.0266
RFQ
 ECAD 3817 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N914 기준 DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 720 mv @ 5 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
BZD27C120P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120P RTG -
RFQ
 ECAD 1080 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91 v 120.5 v 300 옴
HS1DLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLW RVG 0.1278
RFQ
 ECAD 6942 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W HS1D 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 16pf @ 4V, 1MHz
1N5242B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5242B A0G 0.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% 100 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5242 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.1 v @ 200 ma 500 na @ 9 v 12 v 30 옴
31DF6 Taiwan Semiconductor Corporation 31df6 0.3630
RFQ
 ECAD 5588 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 31df6 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 3 a 35 ns 20 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A -
SSL14 Taiwan Semiconductor Corporation SSL14 0.1311
RFQ
 ECAD 4884 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SSL14 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 390 mV @ 1 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
ES2LJ Taiwan Semiconductor Corporation ES2LJ 0.1241
RFQ
 ECAD 3852 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2L 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 2 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
MBRF2060 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2060 -
RFQ
 ECAD 9240 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 Schottky ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-MBRF2060 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 820 MV @ 20 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
TSM3N90CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N90CP ROG -
RFQ
 ECAD 3832 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSM3N90 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 900 v 2.5A (TC) 10V 5.1ohm @ 1.25a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 748 pf @ 25 v - 94W (TC)
MBR2090PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2090PTHC0G -
RFQ
 ECAD 4946 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR2090 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 20A 950 MV @ 20 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX85C51 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C51 0.0645
RFQ
 ECAD 1454 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX85C51TR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 10 ma 500 na @ 36 v 51 v 115 옴
1N4763A A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4763A A0G -
RFQ
 ECAD 6510 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4763 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 69.2 v 91 v 250 옴
SFT11GHA1G Taiwan Semiconductor Corporation sft11gha1g -
RFQ
 ECAD 4629 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, SFT11 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
TSM2328CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2328CX RFG 1.0900
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2328 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 1.5A (TA) 10V 250mohm @ 1.5a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 20V 975 pf @ 25 v - 1.38W (TA)
TS10P07G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P07G 0.9495
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 ECAD 5059 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS10P07 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 10 a 10 µa @ 1000 v 10 a 단일 단일 1kv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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