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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
S5GB Taiwan Semiconductor Corporation S5GB 0.1328
RFQ
ECAD 5970 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S5G 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
BZX79B6V8 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B6V8 A0G -
RFQ
ECAD 1517 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 4 ma @ 2 v 6.8 v 15 옴
BZT52C5V1K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C5V1K RKG 0.0474
RFQ
ECAD 1928 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 µa @ 1.5 v 5.1 v 60 옴
BZT52B56 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B56 0.0453
RFQ
ECAD 8201 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B56TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 39.2 v 56 v 200 옴
BZX55B4V3 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B4V3 A0G -
RFQ
ECAD 5939 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 v @ 100 ma 1 µa @ 1 v 4.3 v 75 옴
1N4748AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4748AHR1G -
RFQ
ECAD 2079 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4748 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 16.7 v 22 v 23 옴
MBRF20200CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20200cth -
RFQ
ECAD 6889 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF20200 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 20A 1.05 V @ 20 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
MTZJ20SC R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ20SC R0G 0.0305
RFQ
ECAD 7843 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj20 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 15 v 19.73 v 55 옴
BZT55C5V1 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C5V1 L1G -
RFQ
ECAD 8619 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 100 na @ 1 v 5.1 v 35 옴
S4K M6G Taiwan Semiconductor Corporation S4K M6G -
RFQ
ECAD 2368 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S4K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.15 V @ 4 a 1.5 µs 100 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 60pf @ 4V, 1MHz
HER1603PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation HER1603PT C0G -
RFQ
ECAD 1707 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-247-3 HER1603 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 16A 1 V @ 8 a 50 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZT55C6V8 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C6V8 L1G -
RFQ
ECAD 4986 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 100 na @ 3 v 6.8 v 8 옴
MTZJ2V0SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V0SB R0G 0.0305
RFQ
ECAD 9590 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj2 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 120 µa @ 500 mV 2.11 v 100 옴
SR506H Taiwan Semiconductor Corporation SR506H 0.2041
RFQ
ECAD 7344 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR506 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 5 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
BZX85C22 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C22 A0G -
RFQ
ECAD 4993 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 10 ma 500 na @ 16 v 22 v 25 옴
BZX84C22 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C22 RFG 0.0511
RFQ
ECAD 7025 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15.4 v 22 v 55 옴
BZT52B3V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V6 0.0412
RFQ
ECAD 1770 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B3V6TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 ma 4.5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
RS3D R7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3D R7G -
RFQ
ECAD 5432 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3D 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZT52B3V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V3 0.0412
RFQ
ECAD 5725 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B3V3TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 ma 4.5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
1PGSMC5351 R7G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5351 R7g -
RFQ
ECAD 8240 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 10.6 v 14 v 3 옴
BC549C A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC549C A1 -
RFQ
ECAD 1777 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 500MW To-92 다운로드 영향을받지 영향을받지 1801-BC549CA1TB 쓸모없는 1 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN - 420 @ 2MA, 5V -
1SMB5937HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5937HR5G -
RFQ
ECAD 1708 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5937 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 25.1 v 33 v 33 옴
TST20U60C Taiwan Semiconductor Corporation TST20U60C 2.6300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 TST20 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 630 mv @ 10 a 300 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
BZD27C13P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13P RHG -
RFQ
ECAD 2747 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 2 µa @ 10 v 13.25 v 10 옴
TSZL52C12 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C12 RWG -
RFQ
ECAD 6921 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 1005 (2512 25) TSZL52 200 MW 1005 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 9 v 12 v 20 옴
TQM110NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM110NB04CR RLG 2.5700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn TQM110 MOSFET (금속 (() 8-PDFNU (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 12A (TA), 54A (TC) 7V, 10V 11mohm @ 12a, 10V 3.8V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1352 pf @ 20 v - 3.1W (TA), 68W (TC)
1PGSMB5939H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5939h 0.1798
RFQ
ECAD 3331 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101, 1PGSMB59 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 29.7 v 39 v 45 옴
TUAS8M Taiwan Semiconductor Corporation tuas8m 0.6900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn tuas8 기준 smpc4.6u - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 1000 v 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 54pf @ 4V, 1MHz
2M27ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2M27ZH 0.1667
RFQ
ECAD 7511 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M27 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,500 500 NA @ 20.6 v 27 v 18 옴
TSM8N50CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM8N50CP ROG -
RFQ
ECAD 5744 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 7.2A (TC) 10V 850mohm @ 3.6a, 10V 4V @ 250µA 26.6 NC @ 10 v ± 30V 1595 pf @ 25 v - 89W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고