SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1SMA5935HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5935HR3G -
RFQ
ECAD 1086 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5935 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 500 NA @ 20.6 v 27 v 23 옴
1N5240B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5240B 0.0271
RFQ
ECAD 6592 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5240 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1n5240btr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 8 v 10 v 17 옴
1N4733G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4733G A0G -
RFQ
ECAD 3905 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4733 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 5.1 v 7 옴
1PGSMC5361 R6G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5361 r6g -
RFQ
ECAD 7127 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1pgsmc5361r6gtr 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 NA @ 20.6 v 27 v 5 옴
1PGSMA200Z Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma200z 0.1086
RFQ
ECAD 5379 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma200 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 152 v 200 v 1500 옴
BZD17C120P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C120P RFG -
RFQ
ECAD 3877 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91 v 120 v 300 옴
PU4BCH Taiwan Semiconductor Corporation pu4bch 0.7100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 930 MV @ 4 a 25 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a 78pf @ 4V, 1MHz
1N4002GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4002GHA0G -
RFQ
ECAD 4247 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4002 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 100 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SF1604GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1604GHC0G -
RFQ
ECAD 8709 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SF1604 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 975 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 80pf @ 4V, 1MHz
BZT55B4V3 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B4V3 L1G -
RFQ
ECAD 3414 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 1 µa @ 1 v 4.3 v 75 옴
BZX85C16 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C16 0.0645
RFQ
ECAD 8924 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX85C16TR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 10 ma 500 na @ 12 v 16 v 15 옴
1N5820H Taiwan Semiconductor Corporation 1N5820H 0.1903
RFQ
ECAD 4321 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5820 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 475 MV @ 3 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
ES2BAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2BAHR3G -
RFQ
ECAD 2787 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA ES2B 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 2 a 35 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
BAV103 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BAV103 L1G -
RFQ
ECAD 3199 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 bav103 기준 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 250 v 1 v @ 100 ma 100 na @ 200 v -65 ° C ~ 200 ° C 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
S1DAL Taiwan Semiconductor Corporation s1dal 0.4200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 S1D 기준 SMA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 200 v 1.1 v @ 1 a 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
BZD27C18P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C18P 깔개 0.2753
RFQ
ECAD 8346 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 13 v 17.95 v 15 옴
SK34A Taiwan Semiconductor Corporation SK34A 0.1053
RFQ
ECAD 7196 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SK34 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
S1KL Taiwan Semiconductor Corporation S1KL 0.0692
RFQ
ECAD 3805 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 do-219ab S1K 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 800 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
RSFML R3G Taiwan Semiconductor Corporation RSFML R3G 0.1491
RFQ
ECAD 3082 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFML 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 500 ma 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
MTZJ4V7SB Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ4V7SB 0.0305
RFQ
ECAD 9480 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj4 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-mtzj4v7sbtr 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 1 v 4.68 v 80 옴
BZT52C27S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C27S 0.0357
RFQ
ECAD 2079 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C27str 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
HDBLS103G Taiwan Semiconductor Corporation HDBLS103G 0.9100
RFQ
ECAD 447 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 HDBLS103 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 1 V @ 2 a 5 µa @ 200 v 1 a 단일 단일 200 v
RS2AAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation RS2AAHM2G -
RFQ
ECAD 7195 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RS2A 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 50pf @ 4V, 1MHz
BZX79B5V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B5V6 0.0305
RFQ
ECAD 4253 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX79B5V6TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 100 ma 2 ma @ 1 v 5.6 v 40
SR103H Taiwan Semiconductor Corporation sr103h -
RFQ
ECAD 8339 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 Schottky DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-sr103Htr 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
RS1KLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation rs1klhrvg -
RFQ
ECAD 6742 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1K 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 800 ma 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
HS5K M6G Taiwan Semiconductor Corporation HS5K M6G -
RFQ
ECAD 7531 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC HS5K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 5 a 75 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
1SMA4739 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4739 0.0649
RFQ
ECAD 2292 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1 W. DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1SMA4739tr 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 7 v 9.1 v 5 옴
ES2BFSH Taiwan Semiconductor Corporation es2bfsh 0.1491
RFQ
ECAD 8444 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 기준 SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-es2bfshtr 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 2 a 35 ns 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 28pf @ 4V, 1MHz
SS16LH Taiwan Semiconductor Corporation SS16LH 0.2235
RFQ
ECAD 9916 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 SS16 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS16LHTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 400 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고