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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
TSSA3U60 R3G	0.6700	RFQ	9211	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	TSSA3	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		540 mV @ 3 a	25 ns	500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	450pf @ 4V, 1MHz
rsfblhrug	-	RFQ	5118	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RSFBL	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 v @ 500 ma	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
S4B V7G	1.0100	RFQ	1	대만 대만 회사	-	컷 컷 (CT)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S4B	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	짐		100 v		1.15 V @ 4 a	1.5 µs	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	60pf @ 4V, 1MHz
HS3K M6G	-	RFQ	5442	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	HS3K	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.7 V @ 3 a	75 ns	10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
es3fb	0.1908	RFQ	4598	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	es3f	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1.13 V @ 3 a	35 ns	10 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	41pf @ 4v, 1MHz
RS1BLHRVG	-	RFQ	8445	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RS1B	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 v @ 800 ma	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	800ma	10pf @ 4V, 1MHz
TSUP5M60SH S1G	0.6525	RFQ	1070	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	TSUP5	Schottky		smpc4.6u	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		640 mV @ 5 a		200 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 175 ° C	5a	346pf @ 4V, 1MHz
SK52C M6	-	RFQ	9801	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-sk52cm6tr	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		550 mV @ 5 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
BZD27C160PHRHG	-	RFQ	4649	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.55%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 120 v						162 v	350 옴
HS5K R7G	-	RFQ	1822	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	HS5K	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.7 V @ 5 a	75 ns	10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
1T6G	0.0585	RFQ	5845	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	T-18, 축,	1T6G	기준		TS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		800 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
HS1GL MTG	-	RFQ	9659	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	HS1G	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
BZV55B7V5 L0G	0.0357	RFQ	5476	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55B		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1 v @ 100 ma		100 na @ 5 v						7.5 v	7 옴
SS310 V7G	0.8700	RFQ	198	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	SS310	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 3 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
HER303G B0G	-	RFQ	3701	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	HER303	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 3 a	50 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
SR2090H	-	RFQ	6674	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	SR2090	Schottky		TO-220AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SR2090H	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	90 v	20A (DC)	900 mV @ 10 a		100 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRS20100CT-Y MNG	-	RFQ	3063	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRS20100	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	20A	850 mv @ 10 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C82P RHG	-	RFQ	8020	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.09%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 62 v						82 v	200 옴
HS5J R6	-	RFQ	6395	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-hs5jr6tr	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 5 a	75 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
HERAF1003G C0G	-	RFQ	6984	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	HERAF1003	기준		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 10 a	50 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	80pf @ 4V, 1MHz
FR154GHA0G	-	RFQ	8034	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FR154	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
RS3K M6G	-	RFQ	3978	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	RS3K	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.3 v @ 3 a	500 ns	10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
BZS55B18 RAG	-	RFQ	4684	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)	BZS55		500MW	1206	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-BZS55B18RAGTR	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 10 ma		100 na @ 13 v						18 v	50 옴
LL4004G L0G	-	RFQ	1921	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-213AB, MELF	LL4004	기준		멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		400 v		1.1 v @ 30 a		5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
DBL154GH	0.2874	RFQ	9776	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.300 ", 7.62mm)	DBL154	기준		DBL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50					1.1 v @ 1.5 a		2 µa @ 400 v		1.5 a		단일 단일	400 v
1SMA4739	0.0649	RFQ	2292	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA			1 W.	DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-1SMA4739tr	귀 99	8541.10.0050	7,500							5 µa @ 7 v						9.1 v	5 옴
ZM4747A L0G	0.0830	RFQ	4615	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AB, MELF	ZM4747		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000							5 µa @ 15.2 v						20 v	22 옴
BZT55B3V3 L0G	0.0385	RFQ	9459	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZT55		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1 V @ 10 ma		2 µa @ 1 v						3.3 v	85 옴
BZT52C5V1S	0.0504	RFQ	8140	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52C		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT52C5V1STR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1 V @ 10 ma		1.8 µa @ 2 v						5.1 v	60 옴
BZX79B11	0.0305	RFQ	4069	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX79		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZX79B11tr	귀 99	8541.10.0050	10,000					1.5 v @ 100 ma		8 ma @ 100 mv						11 v	20 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²