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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N4933GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4933GHB0G -
RFQ
 ECAD 8127 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4933 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
1SMB5955HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5955HR5G -
RFQ
 ECAD 5370 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5955 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 136.8 v 180 v 900 옴
BZT52C4V3-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C4V3-G RHG 0.0445
RFQ
 ECAD 7786 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
BZY55C12 RYG Taiwan Semiconductor Corporation bzy55c12 Ryg 0.0350
RFQ
 ECAD 6925 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 9.1 v 12 v 20 옴
TQM043NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM043NH04LCR RLG 3.5800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101, Perfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TQM043 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 20A (TA), 54A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 27a, 10V 2.2V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 16V 2480 pf @ 25 v - 100W (TC)
1SMA4762HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4762HR3G -
RFQ
 ECAD 3875 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4762 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1 µa @ 62.2 v 82 v 200 옴
SFF1606GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1606GHC0G -
RFQ
 ECAD 7093 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF1606 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 8 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 50pf @ 4V, 1MHz
MUR440SHM6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440SHM6G -
RFQ
 ECAD 5025 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC MUR440 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 4 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a 65pf @ 4V, 1MHz
S3J M6G Taiwan Semiconductor Corporation S3J M6G -
RFQ
 ECAD 9238 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S3J 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 600 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
TSD30H120CW Taiwan Semiconductor Corporation TSD30H120CW 1.3992
RFQ
 ECAD 7696 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB TSD30 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800
BZS55B2V7 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B2V7 RXG -
RFQ
 ECAD 2311 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 10 µa @ 1 v 2.7 v 85 옴
TSG65N195CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSG65N195CE RVG 10.8700
RFQ
 ECAD 7675 0.00000000 대만 대만 회사 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 TSG65 - Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000
MBRF760 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF760 -
RFQ
 ECAD 5118 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 Schottky ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-MBRF760 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750MV @ 7.5 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 7.5A -
MUR4L60HA0G Taiwan Semiconductor Corporation mur4l60ha0g -
RFQ
 ECAD 1566 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 mur4l60 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.28 V @ 4 a 50 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a 65pf @ 4V, 1MHz
BZT52B3V3-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V3-G RHG 0.0461
RFQ
 ECAD 6043 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52B 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
SR809 Taiwan Semiconductor Corporation SR809 -
RFQ
 ECAD 4521 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 Schottky Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-sr809tr 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 920 MV @ 8 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
RSFGL RVG Taiwan Semiconductor Corporation RSFGL RVG 0.5000
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFGL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
BZT52B36-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B36-G 0.0461
RFQ
 ECAD 7301 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52B 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B36-GTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
HERAF1606G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF1606G 1.9300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 HERAF1606 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 16 a 80 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 110pf @ 4V, 1MHz
1N4005GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4005GHR1G -
RFQ
 ECAD 8729 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4005 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 600 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
HT12G A1G Taiwan Semiconductor Corporation HT12G A1G -
RFQ
 ECAD 4504 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, HT12 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
F1T1GHA1G Taiwan Semiconductor Corporation F1T1GHA1G -
RFQ
 ECAD 5717 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, F1T1 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SF21G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF21G B0G -
RFQ
 ECAD 7525 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SF21 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 2 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 40pf @ 4V, 1MHz
S5B R7 Taiwan Semiconductor Corporation S5B R7 -
RFQ
 ECAD 1527 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S5BR7TR 귀 99 8541.10.0080 850 짐 100 v 1.15 V @ 5 a 1.5 µs 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 60pf @ 4V, 1MHz
MBR2045CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR2045CT-Y 0.4737
RFQ
 ECAD 1680 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR2045 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBR2045CT-Y 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 20A 700 mV @ 20 a 100 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX55C18 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C18 0.0287
RFQ
 ECAD 2189 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX55C18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 14 v 18 v 50 옴
ES3GH Taiwan Semiconductor Corporation es3gh 0.2298
RFQ
 ECAD 8992 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 3 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
GPA804HC0G Taiwan Semiconductor Corporation GPA804HC0G -
RFQ
 ECAD 3682 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 GPA804 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 짐 400 v 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 50pf @ 4V, 1MHz
HS3M M6 Taiwan Semiconductor Corporation HS3M M6 -
RFQ
 ECAD 3740 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-hs3mm6tr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
HS2J R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2J R5G -
RFQ
 ECAD 4435 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB HS2J 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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