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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SS23LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation SS23LHMHG -
RFQ
 ECAD 1641 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS23 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
RSFKLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation RSFKLHMQG -
RFQ
 ECAD 6243 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFKL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 500 ma 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
FR102G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR102G A0G -
RFQ
 ECAD 9773 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 FR102 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SS12LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation SS12LHRTG -
RFQ
 ECAD 1020 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS12 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
S15JLW Taiwan Semiconductor Corporation S15JLW 0.0602
RFQ
 ECAD 5005 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-S15Jlwtr 귀 99 8541.10.0080 20,000 짐 600 v 1.1 v @ 1.5 a 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.5A 10pf @ 4V, 1MHz
UDZS27B Taiwan Semiconductor Corporation UDZS27B 0.0354
RFQ
 ECAD 9025 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F UDZS27 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-udzs27btr 귀 99 8541.10.0050 10,000 45 na @ 21 v 27 v 100 옴
PU2JLW Taiwan Semiconductor Corporation pu2jlw 0.1119
RFQ
 ECAD 6045 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W pu2j 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-pu2jlwtr 귀 99 8541.10.0080 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.5 v @ 2 a 26 ns 2 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 22pf @ 4a, 1MHz
MBR1635 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1635 C0G -
RFQ
 ECAD 3367 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR1635 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 630 mv @ 16 a 500 µa @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
TSM250N02CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02CX 0.2763
RFQ
 ECAD 4236 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM250 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM250N02CXTR 귀 99 8541.29.0095 12,000 n 채널 20 v 5.8A (TC) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 4a, 4.5v 0.8V @ 250µA 7.7 NC @ 4.5 v ± 10V 535 pf @ 10 v - 1.56W (TC)
1PGSMC5368 R7G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5368 R7g -
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 ECAD 3733 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 500 NA @ 35.8 v 47 v 25 옴
MBRF5150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF5150HC0G -
RFQ
 ECAD 3471 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 MBRF5150 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.02 V @ 5 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
SRS16100HMNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS16100HMNG -
RFQ
 ECAD 3345 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS16100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 16A 900 mV @ 8 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
S1BLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation s1blhrug -
RFQ
 ECAD 6713 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 짐 100 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
BZV55C9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C9V1 0.0333
RFQ
 ECAD 7007 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZV55C9V1TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 6.8 v 9.1 v 10 옴
HS1GL RUG Taiwan Semiconductor Corporation hs1gl 깔개 -
RFQ
 ECAD 6787 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab HS1G 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
UG2DH Taiwan Semiconductor Corporation UG2DH 0.1431
RFQ
 ECAD 9692 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 UG2D 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 2 a 25 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
BZT52B6V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B6V2 0.0412
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B6V2TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 ma 2.7 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
SS29L MQG Taiwan Semiconductor Corporation SS29L MQG -
RFQ
 ECAD 7869 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS29 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mv @ 2 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
ESGLWH Taiwan Semiconductor Corporation Esglwh 0.0948
RFQ
 ECAD 2661 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W ESGLW 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 800 ma 35 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 20pf @ 4V, 1MHz
MBRF2045 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2045 C0G -
RFQ
 ECAD 5459 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 MBRF2045 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 750 mV @ 20 a 200 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
1SMA4738 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4738 0.0655
RFQ
 ECAD 8194 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1 W. DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1SMA4738tr 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 6 v 8.2 v 4.5 옴
BZD17C100P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C100P MTG -
RFQ
 ECAD 5123 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 75 v 100 v 200 옴
BZD27C200PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200PHRFG -
RFQ
 ECAD 7638 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 150 v 200 v 750 옴
BZY55C24 RYG Taiwan Semiconductor Corporation bzy55c24 Ryg 0.0350
RFQ
 ECAD 4526 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 18 v 24 v 80 옴
BZD27C180PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180PHMHG -
RFQ
 ECAD 4304 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 130 v 179.5 v 450 옴
BC337-16 B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-16 B1 -
RFQ
 ECAD 7520 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92 - 영향을받지 영향을받지 1801-BC337-16B1 쓸모없는 1 45 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 5V 100MHz
1SMC5352 R7 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMC5352 R7 -
RFQ
 ECAD 2115 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 5 w DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1SMC5352R7TR 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 11.5 v 15 v 2.5 옴
MMSZ5239B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5239B 0.0433
RFQ
 ECAD 9112 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F MMSZ5239 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MMSZ5239BTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 10 옴
SF44GH Taiwan Semiconductor Corporation SF44GH 0.2862
RFQ
 ECAD 4338 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF44 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 4 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 100pf @ 4V, 1MHz
6A05G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05G A0G -
RFQ
 ECAD 8960 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 6A05 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 700 짐 50 v 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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