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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SS15 Taiwan Semiconductor Corporation SS15 0.1560
RFQ
 ECAD 7234 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SS15TR 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mv @ 1 a 200 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
ESH2BH Taiwan Semiconductor Corporation ESH2BH 0.1470
RFQ
 ECAD 1651 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-esh2bhtr 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 2 a 20 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
MBRS2060CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2060CT MNG -
RFQ
 ECAD 5917 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS2060 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 950 MV @ 20 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR1660 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1660 C0G -
RFQ
 ECAD 8584 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR1660 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 16 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
BZX79C2V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C2V7 0.0287
RFQ
 ECAD 8047 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX79C2V7TR 귀 99 8541.10.0050 20,000 1.5 v @ 100 ma 75 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
MUR360SBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation MUR360SBHR5G -
RFQ
 ECAD 7561 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB MUR360 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 3 a 50 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
31DF4 Taiwan Semiconductor Corporation 31df4 0.3630
RFQ
 ECAD 5101 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 31df4 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.7 V @ 3 a 35 ns 20 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A -
SK84CHR7G Taiwan Semiconductor Corporation SK84CHR7G -
RFQ
 ECAD 8480 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK84 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 8 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
BZD27C56PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C56PHRFG -
RFQ
 ECAD 3232 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.14% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 43 v 56 v 60 옴
2M190Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M190Z A0G -
RFQ
 ECAD 1923 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M190 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 144.8 v 190 v 825 옴
AZ23C7V5 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C7V5 0.0786
RFQ
 ECAD 7985 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-AZ23C7V5TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
HER152G Taiwan Semiconductor Corporation HER152G -
RFQ
 ECAD 1828 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-204AC (DO-15) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-Her152GTR 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1.5 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 35pf @ 4V, 1MHz
RS1KLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation rs1klhmqg -
RFQ
 ECAD 5398 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1K 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 800 ma 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
BAV21W-G Taiwan Semiconductor Corporation bav21w-g 0.0347
RFQ
 ECAD 3517 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 BAV21 기준 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BAV21W-GTR 귀 99 8541.10.0070 6,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 200 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
TSS42U Taiwan Semiconductor Corporation TSS42U 0.0857
RFQ
 ECAD 7098 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0603 (1608 메트릭) TSS42 Schottky 0603 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSS42UTR 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 200 ma 500 NA @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
BZD27C15PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15PHRTG -
RFQ
 ECAD 4975 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 11 v 14.7 v 10 옴
HS1KFSH Taiwan Semiconductor Corporation HS1KFSH 0.0741
RFQ
 ECAD 6003 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 기준 SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HS1KFSHTR 귀 99 8541.10.0080 28,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
BZX584B20 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B20 RSG 0.4700
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 14 v 20 v 55 옴
MBR2060PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2060PTHC0G -
RFQ
 ECAD 3944 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR2060 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 950 MV @ 20 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
SF1004GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1004GHC0G -
RFQ
 ECAD 8978 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SF1004 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 975 MV @ 5 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 70pf @ 4V, 1MHz
SF66GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF66GHB0G -
RFQ
 ECAD 8092 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF66 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 6 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 50pf @ 4V, 1MHz
B0530WS Taiwan Semiconductor Corporation B0530W 0.0601
RFQ
 ECAD 6221 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F B0530 Schottky SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-B0530WSTR 귀 99 8541.10.0070 6,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 360 mv @ 100 ma 500 µa @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C 200ma 160pf @ 0V, 1MHz
1PGSMB5948H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5948h 0.1798
RFQ
 ECAD 3140 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101, 1PGSMB59 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 69.2 v 91 v 200 옴
BZD17C180P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C180P R3G 0.3540
RFQ
 ECAD 8037 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 130 v 180 v 450 옴
1N5262B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5262B 0.0277
RFQ
 ECAD 8028 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5262 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1n5262btr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 39 v 51 v 125 옴
HS1FH Taiwan Semiconductor Corporation HS1FH 0.0907
RFQ
 ECAD 8276 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HS1FHTR 귀 99 8541.10.0080 15,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
RS1AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation RS1AHR3G -
RFQ
 ECAD 4386 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RS1A 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
HS3G M6 Taiwan Semiconductor Corporation HS3G M6 -
RFQ
 ECAD 3255 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-HS3GM6TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 3 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
HS1KALH Taiwan Semiconductor Corporation hs1kalh 0.0741
RFQ
 ECAD 4791 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HS1KALHTR 귀 99 8541.10.0080 28,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
MBRS16100H Taiwan Semiconductor Corporation MBRS16100H 0.6851
RFQ
 ECAD 2965 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS16100 Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBRS16100HTR 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 16 a 300 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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