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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZX85C39 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C39 0.0645
RFQ
ECAD 6895 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX85C39TR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 10 ma 500 na @ 27 v 39 v 45 옴
HS1JFS Taiwan Semiconductor Corporation HS1JFS 0.3700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 HS1J 기준 SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 13pf @ 4V, 1MHz
SR305H Taiwan Semiconductor Corporation sr305h -
RFQ
ECAD 1912 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 Schottky Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-sr305htr 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 3 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SR803 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR803 R0G -
RFQ
ECAD 9397 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR803 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 8 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
GPA805 Taiwan Semiconductor Corporation GPA805 -
RFQ
ECAD 7871 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 기준 TO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-GPA805 귀 99 8541.10.0080 1,000 600 v 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 50pf @ 4V, 1MHz
RS2GAL Taiwan Semiconductor Corporation rs2gal 0.4100
RFQ
ECAD 13 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 RS2G 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 11pf @ 4V, 1MHz
SS110L MHG Taiwan Semiconductor Corporation SS110L MHG -
RFQ
ECAD 7615 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS110 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mv @ 1 a 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
1PGSMC5365 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5365 0.3249
RFQ
ECAD 1800 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1pgsmc5365tr 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 NA @ 27.4 v 36 v 11 옴
1N4749G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4749G R0G 0.0627
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ECAD 4752 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4749 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 18.2 v 24 v 25 옴
SSL12 R3G Taiwan Semiconductor Corporation SSL12 R3G -
RFQ
ECAD 1588 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA SSL12 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 390 mV @ 1 a 200 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
1PGSMA4745 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4745 R3G 0.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma4745 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 12.2 v 16 v 16 옴
TSZU52C27 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C27 RGG 0.0669
RFQ
ECAD 3871 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) TSZU52 150 MW 0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 20 v 27 v 80 옴
ESH3D R7 Taiwan Semiconductor Corporation ESH3D R7 -
RFQ
ECAD 9493 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-esh3dr7tr 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 3 a 20 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
TUAS8GH Taiwan Semiconductor Corporation tuas8gh 0.2466
RFQ
ECAD 2648 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn tuas8 기준 smpc4.6u 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tuas8ghtr 귀 99 8541.10.0080 6,000 400 v 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 62pf @ 4V, 1MHz
BZT52C3V0K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V0K 0.0474
RFQ
ECAD 9337 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C3V0KTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 50 µa @ 1 v 3 v 100 옴
BZD27C220PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220PH 0.3353
RFQ
ECAD 5493 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.67% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZD27C220PHTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 160 v 220.5 v 900 옴
SSL34 Taiwan Semiconductor Corporation SSL34 0.3150
RFQ
ECAD 9169 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC SSL34 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
RS1KLSH Taiwan Semiconductor Corporation rs1klsh 0.0666
RFQ
ECAD 1519 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H RS1K 기준 SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-rs1klshtr 귀 99 8541.10.0080 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 V @ 1.2 a 300 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.2A -
ES3JH Taiwan Semiconductor Corporation es3jh 0.2361
RFQ
ECAD 3892 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 3 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
SK39B M4G Taiwan Semiconductor Corporation SK39B M4G -
RFQ
ECAD 5450 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SK39 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 3 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZS55C24 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C24 0.0340
RFQ
ECAD 9818 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZS55C24TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 18 v 24 v 80 옴
M3Z22VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z22VC 0.0294
RFQ
ECAD 4872 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F M3Z22 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-M3Z22VCTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 100 na @ 17 v 22 v 55 옴
TSS0230LU Taiwan Semiconductor Corporation TSS0230LU 0.0766
RFQ
ECAD 8904 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0603 (1608 메트릭) TSS0230 Schottky 0603 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSS0230LUTR 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 35 v 500 mV @ 200 mA 30 µa @ 10 v -40 ° C ~ 125 ° C 200ma -
SR1040H Taiwan Semiconductor Corporation sr1040h 0.4932
RFQ
ECAD 4188 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SR1040 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 10A -
SF2003G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2003G C0G -
RFQ
ECAD 7790 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SF2003 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 975 MV @ 10 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 80pf @ 4V, 1MHz
S1JF-T Taiwan Semiconductor Corporation S1JF-T 0.0890
RFQ
ECAD 9436 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 smaf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-S1JF-TTR 귀 99 8541.10.0080 7,500 600 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
BZX585B47 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B47 RKG -
RFQ
ECAD 5896 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585B4 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 45 NA @ 33 v 47 v 170 옴
MUR310S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR310S V7G -
RFQ
ECAD 3566 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC MUR310 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 25 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
BZT52C22 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C22 0.0412
RFQ
ECAD 1946 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C22TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 15.4 v 22 v 55 옴
HS3M Taiwan Semiconductor Corporation HS3M 0.2021
RFQ
ECAD 6125 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC HS3M 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 75 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고