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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BZT52C9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C9V1 0.0412
RFQ
 ECAD 6290 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C9V1TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 ma 450 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
MBR15200CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR15200CT-Y 0.4632
RFQ
 ECAD 5112 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR15200 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBR15200CT-Y 귀 99 8541.10.0080 1,000 짐 1 음극 음극 공통 200 v 15a 1.05 V @ 15 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C180PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180PH 0.3075
RFQ
 ECAD 3483 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZD27C180PHTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 130 v 179.5 v 450 옴
BZX584B39 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B39 0.0379
RFQ
 ECAD 1168 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX584B39TR 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 27.3 v 39 v 130 옴
SR109 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR109 R0G -
RFQ
 ECAD 4994 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR109 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mv @ 1 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SF68GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF68GHA0G -
RFQ
 ECAD 9145 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF68 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 6 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 50pf @ 4V, 1MHz
TQM130NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM130NB06CR RLG 2.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn TQM130 MOSFET (금속 (() 8-PDFNU (5x6) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 10A (TA), 50A (TC) 7V, 10V 13mohm @ 10a, 10V 3.8V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 2234 pf @ 30 v - 3.1W (TA), 83W (TC)
HERF1006GH Taiwan Semiconductor Corporation HERF1006GH 0.6155
RFQ
 ECAD 1092 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HERF1006GH 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 10A 1.7 V @ 5 a 80 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
1T3G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1T3G A0G -
RFQ
 ECAD 1276 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1T3G 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 200 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
2A01G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A01G B0G -
RFQ
 ECAD 1507 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2A01 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 짐 50 v 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1MHz
1N5248B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5248B 0.0277
RFQ
 ECAD 2559 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5248 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1n5248btr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 14 v 18 v 21 옴
TSM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04CR RLG 1.4800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerldfn TSM150 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5.2x5.75) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 10A (TA), 41A (TC) 10V 15mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 1092 pf @ 20 v - 3.1W (TA), 56W (TC)
SSL33 R7G Taiwan Semiconductor Corporation SSL33 R7G -
RFQ
 ECAD 6405 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SSL33 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 410 MV @ 3 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
UGS30JH Taiwan Semiconductor Corporation UGS30JH 3.0300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 to-263ab (d²pak) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-ugs30jhtr 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2 V @ 30 a 50 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 30A 128pf @ 4V, 1MHz
1N4740G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4740G B0G -
RFQ
 ECAD 8391 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4740 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 9.1 v 10 v 9 옴
BZY55C3V0 Taiwan Semiconductor Corporation bzy55c3v0 0.0350
RFQ
 ECAD 9144 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZY55C3V0TR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 4 µa @ 1 v 3 v 85 옴
1PGSMB5928H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5928h 0.1798
RFQ
 ECAD 3302 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101, 1PGSMB59 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 9.9 v 13 v 7 옴
HS5B Taiwan Semiconductor Corporation HS5B 0.6870
RFQ
 ECAD 1606 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-HS5BTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 5 a 50 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 80pf @ 4V, 1MHz
BZD27C33P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C33P RQG -
RFQ
 ECAD 9627 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 24 v 33 v 15 옴
TSP15U50S Taiwan Semiconductor Corporation TSP15U50S 0.6966
RFQ
 ECAD 3076 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn TSP15 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSP15U50str 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 560 mV @ 15 a 2 ma @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
AZ23C12 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C12 RFG 0.0786
RFQ
 ECAD 7971 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 9 v 12 v 20 옴
HERA806G Taiwan Semiconductor Corporation HERA806G -
RFQ
 ECAD 4362 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 기준 TO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-Hera806G 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 8 a 80 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 55pf @ 4V, 1MHz
SS34 V7G Taiwan Semiconductor Corporation SS34 V7G 1.0000
RFQ
 ECAD 564 0.00000000 대만 대만 회사 - 컷 컷 (CT) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SS34 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
TSSD20L60SW Taiwan Semiconductor Corporation TSSD20L60SW 0.8805
RFQ
 ECAD 5573 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSSD20 Schottky TO-252, (D-PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSSD20L60SWTR 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 660 mV @ 20 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 2500pf @ 4V, 1MHz
MBRS2090CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2090CTHMNG -
RFQ
 ECAD 7352 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS2090 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 20A 950 MV @ 20 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
RS1KL RTG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1kl Rtg -
RFQ
 ECAD 6008 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1K 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 800 ma 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
TST20H300CW Taiwan Semiconductor Corporation TST20H300CW -
RFQ
 ECAD 7398 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 TST20 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 10A 980 MV @ 10 a 100 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C
BC817-25W RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC817-25W RFG 0.0360
RFQ
 ECAD 2539 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
MMSZ5227B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5227B 0.0433
RFQ
 ECAD 2949 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F MMSZ5227 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MMSZ5227BTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 15 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
PU1JA Taiwan Semiconductor Corporation pu1ja 0.0910
RFQ
 ECAD 9588 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA pu1j 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-pu1jatr 귀 99 8541.10.0080 15,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.5 v @ 1 a 28 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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