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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
1PGSMB5929HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5929hr5g 0.6300
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1pgsmb5929 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 11.4 v 15 v 9 옴
ESH3B R6 Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B R6 -
RFQ
 ECAD 4439 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-esh3br6tr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 3 a 20 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
1N5230B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5230B A0G -
RFQ
 ECAD 7884 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% 100 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5230 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 4.7 v 19 옴
1N4739G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4739G A0G -
RFQ
 ECAD 8666 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4739 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 7 v 9.1 v 5 옴
BZT52B5V6S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B5V6 0.0343
RFQ
 ECAD 1514 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B5V6STR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 900 na @ 2 v 5.6 v 40
MUR820HC0G Taiwan Semiconductor Corporation mur820hc0g -
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 ECAD 7854 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 MUR820 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 975 MV @ 8 a 25 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a -
MUR360SH Taiwan Semiconductor Corporation mur360sh 0.2298
RFQ
 ECAD 4126 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 3 a 50 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
SS12L MTG Taiwan Semiconductor Corporation SS12L MTG -
RFQ
 ECAD 6171 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS12 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
SS12LHMTG Taiwan Semiconductor Corporation SS12LHMTG -
RFQ
 ECAD 5479 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS12 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZD27C150PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150PHMTG -
RFQ
 ECAD 7284 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 110 v 147 v 300 옴
UG12JHC0G Taiwan Semiconductor Corporation UG12JHC0G -
RFQ
 ECAD 2092 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 UG12 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2 v @ 12 a 20 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a -
KTC3198-BL-M0 B2G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-BL-M0 B2G -
RFQ
 ECAD 7384 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 영향을받지 영향을받지 1801-KTC3198-BL-M0B2G 쓸모없는 1 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 3000 @ 150ma, 6V 80MHz
1N4745A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4745A B0G -
RFQ
 ECAD 8418 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4745 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 5 µa @ 12.2 v 16 v 16 옴
SRAF5150H Taiwan Semiconductor Corporation SRAF5150H -
RFQ
 ECAD 3603 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 Schottky ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SRAF5150H 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 5 a 200 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
SSL33H Taiwan Semiconductor Corporation SSL33H 0.3351
RFQ
 ECAD 2151 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 410 MV @ 3 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
M3Z56VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z56VC 0.0294
RFQ
 ECAD 3436 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F M3Z56 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-M3Z56VCTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 100 na @ 42 v 56 v 135 옴
ES1G R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1G R3G -
RFQ
 ECAD 8165 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA es1g 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 18pf @ 4V, 1MHz
TSM4ND65CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM4ND65CI 2.6800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSM4 MOSFET (금속 (() ITO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 2.6ohm @ 1.2a, 10V 3.8V @ 250µA 16.8 nc @ 10 v ± 30V 596 pf @ 50 v - 41.6W (TC)
TSM070NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NH04LCR RLG 2.4300
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 ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 Perfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-PDFNU (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 15A (TA), 54A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 27a, 10V 2.2V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 16V 1446 pf @ 25 v - 46.8W (TC)
ES1DLH Taiwan Semiconductor Corporation es1dlh 0.2565
RFQ
 ECAD 4041 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-es1dlhtr 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SS315 M6 Taiwan Semiconductor Corporation SS315 M6 -
RFQ
 ECAD 8604 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SS315M6TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 3 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZD27C7V5P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5P RQG -
RFQ
 ECAD 7647 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 50 µa @ 3 v 7.45 v 2 옴
TUAS3GH Taiwan Semiconductor Corporation tuas3gh 0.1786
RFQ
 ECAD 9358 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn tuas3 기준 TO-277A (SMPC4.6U) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tuas3ghtr 귀 99 8541.10.0080 6,000 짐 400 v 1.1 v @ 3 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 27pf @ 4V, 1MHz
MBRS2060CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2060CT 0.6433
RFQ
 ECAD 5237 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS2060 Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBRS2060CTTR 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 950 MV @ 20 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX79B30 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B30 A0G -
RFQ
 ECAD 5579 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 21 ma @ 50 mv 30 v 80 옴
BZS55C10 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C10 0.0340
RFQ
 ECAD 3916 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZS55C10TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 7.5 v 10 v 15 옴
SRS1640H Taiwan Semiconductor Corporation SRS1640H 0.7983
RFQ
 ECAD 4608 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS1640 Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SRS1640HTR 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 16A 550 mV @ 8 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C
MTZJ20SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ20SA R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 8864 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj20 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 15 v 18.49 v 55 옴
1PGSMB5953 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5953 R5g -
RFQ
 ECAD 8214 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1pgsmb5953 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 114 v 150 v 600 옴
1N5822HB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5822HB0G -
RFQ
 ECAD 6249 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5822 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 525 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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