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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
UF4002H	-	RFQ	6648	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4002	기준		DO-204AL (DO-41)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-UF4002HTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
1N4749A B0G	-	RFQ	9221	대만 대만 회사	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4749		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000							5 µa @ 18.2 v									24 v	25 옴
BC338-16 A1	-	RFQ	6366	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드			625 MW	To-92	다운로드			영향을받지 영향을받지	1801-BC338-16A1TB	쓸모없는		1											25 v	800 MA			100NA (ICBO)			NPN	700mv @ 50ma, 500ma	100 @ 100ma, 5V	100MHz
MBR3045CT-Y	0.6949	RFQ	7946	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR3045	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MBR3045CT-Y	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	30A	820 MV @ 30 a		200 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
UG58G	0.2361	RFQ	7432	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	UG58	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		2.1 V @ 5 a	20 ns	30 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
MBRAD5150H	0.7200	RFQ	7213	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MBRAD5150	Schottky		윈스 윈스	-	Rohs3 준수	1 (무제한)					4,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		880 mV @ 5 a		10 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	102pf @ 4v, 1MHz
BZT52C3V6K	0.0474	RFQ	6005	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52C		200 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT52C3V6KTR	귀 99	8541.10.0050	6,000							10 µa @ 1 v									3.6 v	90 옴
1PGSMA4754 R3G	0.4700	RFQ	1	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1pgsma4754		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 29.7 v									39 v	60 옴
BZT52C5V1K	0.0478	RFQ	7589	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52C		200 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT52C5V1KTR	귀 99	8541.10.0050	6,000							2 µa @ 1.5 v									5.1 v	60 옴
ESH3C R7G	-	RFQ	5272	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	ESH3	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		900 mV @ 3 a	20 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
MUR420SHR7G	-	RFQ	4476	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	MUR420	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.25 V @ 4 a	25 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	4a	65pf @ 4V, 1MHz
BZS55B12 RAG	-	RFQ	3016	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)	BZS55		500MW	1206	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-BZS55B12RAGTR	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 10 ma		100 na @ 9.1 v									12 v	20 옴
MBR40100PT	1.9936	RFQ	9395	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	MBR40100	Schottky		TO-247AD (TO-3P)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	40a			500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C82P RTG	-	RFQ	9619	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.09%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 62 v									82 v	200 옴
BZT52C9V1K RKG	0.0474	RFQ	9690	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52C		200 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							500 na @ 6 v									9.1 v	15 옴
ZM4741A	0.0830	RFQ	3455	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AB, MELF	ZM4741		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-ZM4741AT	귀 99	8541.10.0050	5,000							5 µa @ 8.4 v									11 v	8 옴
1N5223B	0.0271	RFQ	5416	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	100 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5223		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-1n5223Btr	귀 99	8541.10.0050	10,000					1.1 v @ 200 ma		75 µa @ 1 v									2.7 v	30 옴
bzy55b6v2 Ryg	-	RFQ	8551	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0805 (2012 5)	bzy55		500MW	0805	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 10 ma		100 na @ 2 v									6.2 v	10 옴
S15DLW RVG	0.4500	RFQ	2	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W	S15D	기준		SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		200 v		1.1 v @ 1.5 a		1 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1.5A	10pf @ 4V, 1MHz
RSFBL MTG	-	RFQ	1936	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RSFBL	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 v @ 500 ma	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
BZV55B9V1 L0G	0.0357	RFQ	6325	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55B		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1 v @ 100 ma		100 na @ 6.8 v									9.1 v	10 옴
HER155GH	0.1215	RFQ	1226	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-Her155GHtr	귀 99	8541.10.0080	3,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 1.5 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	35pf @ 4V, 1MHz
1pgsma180zhr3g	0.4800	RFQ	2	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1pgsma180		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 136.8 v									180 v	1200 옴
1PGSMA200Z R3G	0.4500	RFQ	130	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1pgsma200		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 152 v									200 v	1500 옴
KBP104G C2	-	RFQ	2097	대만 대만 회사	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBP		기준		KBP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000					1 V @ 1 a		10 µa @ 400 v		1 a				단일 단일	400 v
KBP105G C2	-	RFQ	1029	대만 대만 회사	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBP		기준		KBP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000					1 V @ 1 a		10 µa @ 600 v		1 a				단일 단일	600 v
KBP106G C2	-	RFQ	7978	대만 대만 회사	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBP		기준		KBP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000					1 V @ 1 a		10 µa @ 800 v		1 a				단일 단일	800 v
KBP107G C2	-	RFQ	8967	대만 대만 회사	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBP		기준		KBP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000					1 V @ 1 a		10 µa @ 1000 v		1 a				단일 단일	1kv
KBP153G C2	-	RFQ	9042	대만 대만 회사	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBP		기준		KBP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000					1.1 v @ 1.5 a		10 µa @ 200 v		1.5 a				단일 단일	200 v
KBP154G C2G	-	RFQ	8360	대만 대만 회사	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBP		기준		KBP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000					1.1 v @ 1.5 a		10 µa @ 400 v		1.5 a				단일 단일	400 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²