RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
es1clhrtg	-	RFQ	5753	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	ES1C	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									150 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
UF4005HB0G	-	RFQ	8168	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4005	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									600 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
SS35 M6	-	RFQ	4093	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SS35M6TR	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									50 v		750 mV @ 3 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
BZT55C75 L1G	-	RFQ	4747	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZT55		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500													1 V @ 10 ma		100 na @ 56 v				75 v	170 옴
2M30Z A0G	-	RFQ	4310	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M30		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500															500 NA @ 22.8 v				30 v	20 옴
1SMB5955 R5G	-	RFQ	5202	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	1SMB5955		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	850															1 µa @ 136.8 v				180 v	900 옴
BZX79C7V5	0.0287	RFQ	6497	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX79		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-bzx79c7v5tr	귀 99	8541.10.0050	20,000													1.5 v @ 100 ma		1 µa @ 5 v				7.5 v	15 옴
RS3JHM6G	-	RFQ	8198	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	RS3J	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									600 v		1.3 v @ 3 a	500 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
BZD27C220P RVG	0.1119	RFQ	3117	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.66%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000													1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 160 v				220.5 v	900 옴
BZX55C9V1 A0G	-	RFQ	3280	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000													1 v @ 100 ma		100 na @ 6.8 v				9.1 v	10 옴
MBRS10H150CTH	0.7126	RFQ	3647	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRS10	Schottky		TO-263AB (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MBRS10H150CTHTR	귀 99	8541.10.0080	1,600		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	150 v	10A	970 MV @ 10 a		5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C
SFF1005GAHC0G	-	RFQ	1471	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	SFF1005	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 양극 양극 공통	300 v	10A (DC)	1.3 V @ 5 a	35 ns	10 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SRAF16100HC0G	-	RFQ	8576	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	SRAF16100	Schottky		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									100 v		920 MV @ 16 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	-
1SMA120Z R3G	-	RFQ	7083	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA120		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800															1 µa @ 91.2 v				120 v	550 옴
MBRS2560CTHMNG	-	RFQ	8269	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRS2560	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	60 v	25A	900 MV @ 25 a		200 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
TQM300NB06DCR RLG	3.1000	RFQ	5	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powertdfn	TQM300	MOSFET (금속 (()	2.5W (TA), 48W (TC)	8-PDFNU (5x6)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		60V	6A (TA), 25A (TC)	30mohm @ 6a, 10V	3.8V @ 250µA	20NC @ 10V	1020pf @ 30v	-
BZD27C47P 깔개	-	RFQ	6619	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.38%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800													1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 36 v				47 v	45 옴
MBRF2535CT C0G	-	RFQ	3112	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF2535	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	35 v	25A	820 MV @ 12.5 a		2 ma @ 35 v	-55 ° C ~ 150 ° C
HERAF805G C0G	-	RFQ	5355	대만 대만 회사	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	HERAF805	기준		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									400 v		1.3 V @ 8 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	80pf @ 4V, 1MHz
SF27G	-	RFQ	2812	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		기준		DO-204AC (DO-15)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SF27GTR	귀 99	8541.10.0080	3,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									500 v		1.7 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 500 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
BZS55B6V2 래그	-	RFQ	3042	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)	BZS55		500MW	1206	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-BZS55B6V2RAGTR	귀 99	8541.10.0050	5,000													1.5 v @ 10 ma		100 na @ 2 v				6.2 v	10 옴
SS24 R5G	0.6000	RFQ	6	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	SS24	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									40 v		500 mV @ 2 a		400 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	-
BZD17C43P	0.2625	RFQ	6457	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.98%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZD17C43PTR	귀 99	8541.10.0050	10,000													1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 33 v				43 v	45 옴
1SMA5940	0.0935	RFQ	2563	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA5940		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500															500 NA @ 32.7 v				43 v	53
BZT52B75S RRG	-	RFQ	3856	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52B		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000													1 V @ 10 ma		45 NA @ 52.5 v				75 v	255 옴
ARS5045HB0G	-	RFQ	6295	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			표면 표면	ARS	ARS5045	기준		ARS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									45 v		550 MV @ 50 a	150 ns	500 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 175 ° C	50a	2700pf @ 4V, 1MHz
1N5241B	0.0271	RFQ	1404	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5241		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-1n5241BTR	귀 99	8541.10.0050	10,000													1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 8.4 v				11 v	22 옴
HS1AL RQG	-	RFQ	4505	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	HS1A	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									50 v		950 MV @ 1 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
1N5392G B0G	-	RFQ	6887	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5392	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		짐									100 v		1.1 v @ 1.5 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	15pf @ 4V, 1MHz
hs1gl 깔개	-	RFQ	6787	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	HS1G	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									400 v		1.3 v @ 1 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²