SIC
close

불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SS22LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation SS22LHRTG -
RFQ
 ECAD 2515 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS22 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZD27C160P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C160P MTG -
RFQ
 ECAD 4687 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 120 v 162 v 350 옴
BZX55C9V1 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C9V1 A0G -
RFQ
 ECAD 3280 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 6.8 v 9.1 v 10 옴
MBRS2560CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2560CTHMNG -
RFQ
 ECAD 8269 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS2560 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 25A 900 MV @ 25 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
SFF1005GAHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1005GAHC0G -
RFQ
 ECAD 1471 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF1005 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 300 v 10A (DC) 1.3 V @ 5 a 35 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRS10H150CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS10H150CTH 0.7126
RFQ
 ECAD 3647 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS10 Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBRS10H150CTHTR 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 970 MV @ 10 a 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
BZD27C47P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47P 깔개 -
RFQ
 ECAD 6619 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 36 v 47 v 45 옴
SR1630 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1630 C0G -
RFQ
 ECAD 8433 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SR1630 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 16A 550 mV @ 8 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C
BZX79C30 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C30 0.0287
RFQ
 ECAD 1866 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-bzx79c30tr 귀 99 8541.10.0050 20,000 1.5 v @ 100 ma 50 na @ 21 v 30 v 80 옴
S1MAL Taiwan Semiconductor Corporation s1mal 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 S1MA 기준 SMA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 짐 1000 v 1.1 v @ 1 a 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
BZV55B5V6 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B5V6 L1G -
RFQ
 ECAD 9056 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 v @ 100 ma 100 na @ 1 v 5.6 v 25 옴
1SMA4759HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4759HR3G -
RFQ
 ECAD 1939 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4759 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1 µa @ 47.1 v 62 v 125 옴
SF65GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF65GHA0G -
RFQ
 ECAD 2526 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF65 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 V @ 6 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 50pf @ 4V, 1MHz
BZD17C18P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C18P RQG -
RFQ
 ECAD 1465 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 13 v 18 v 15 옴
S5K Taiwan Semiconductor Corporation S5K 0.1724
RFQ
 ECAD 3395 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S5K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 800 v 1.5 µs 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 60pf @ 4V, 1MHz
TSZL52C3V9-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C3V9-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 3177 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 1005 (2512 25) 200 MW 1005 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-TSZL52C3V9-F0RWGTR 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 95 옴
SF16G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF16G B0G -
RFQ
 ECAD 6647 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF16 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZD27C43P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C43P RFG -
RFQ
 ECAD 4209 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 33 v 43 v 45 옴
BZV55C33 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C33 L1G 0.0499
RFQ
 ECAD 7478 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 100 na @ 24 v 33 v 80 옴
SS35H Taiwan Semiconductor Corporation SS35H -
RFQ
 ECAD 3113 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SS35HTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
1PGSMB5940H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5940h 0.1798
RFQ
 ECAD 6514 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101, 1PGSMB59 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 32.7 v 43 v 53
M3Z6V2C Taiwan Semiconductor Corporation M3Z6V2C 0.0294
RFQ
 ECAD 4853 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F M3Z6 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-m3z6v2ctr 귀 99 8541.10.0050 6,000 1 µa @ 3 v 6.2 v 10 옴
1N4006GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4006GHR1G -
RFQ
 ECAD 4901 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4006 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 800 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
TQM025NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM025NB04CR RLG 6.0900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn TQM025 MOSFET (금속 (() 8-PDFNU (5x6) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 24A (TA), 157a (TC) 7V, 10V 2.5mohm @ 24a, 10V 3.8V @ 250µA 118 NC @ 10 v ± 20V 6670 pf @ 20 v - 3.1W (TA), 136W (TC)
SR1640HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1640HC0G -
RFQ
 ECAD 5930 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SR1640 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 16A 550 mV @ 8 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C
BZT55B4V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B4V3 0.0385
RFQ
 ECAD 3171 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-80 변형 500MW Qmmelf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT55B4V3TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 1 µa @ 1 v 4.3 v 75 옴
RSFKLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation rsfklhrvg -
RFQ
 ECAD 3828 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFKL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 500 ma 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
TSG65N110CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSG65N110CE RVG 15.8300
RFQ
 ECAD 9450 0.00000000 대만 대만 회사 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 TSG65 - Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000
BZV55C4V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C4V3 0.0333
RFQ
 ECAD 7832 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZV55C4V3TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 1 µa @ 1 v 4.3 v 75 옴
BZX55C4V7 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C4V7 A0G -
RFQ
 ECAD 6924 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 v @ 100 ma 500 na @ 1 v 4.7 v 60 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다