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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
1pgsmb5931 r5g	-	RFQ	5092	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	1pgsmb5931		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	850																			1 µa @ 13.7 v							18 v	12 옴
SK53BHR5G	-	RFQ	5560	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK53	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v		550 mV @ 5 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
US1AHM2G	-	RFQ	7967	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	US1A	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
S15JC	0.2997	RFQ	9393	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐													600 v		1.1 v @ 15 a		1 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	93pf @ 4v, 1MHz
s1alhrug	-	RFQ	9279	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	S1A	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		짐													50 v		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	9pf @ 4V, 1MHz
BC338-40 A1	-	RFQ	9077	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드			625 MW	To-92	다운로드			영향을받지 영향을받지	1801-BC338-40A1TB	쓸모없는		1																							25 v	800 MA	100NA (ICBO)			NPN	700mv @ 50ma, 500ma	250 @ 100MA, 5V	100MHz
SS16L RQG	-	RFQ	4967	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS16	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		700 mv @ 1 a		400 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
MTZJ5V1SC	0.0305	RFQ	4694	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204Ag, do-34, 축 방향	mtzj5		500MW	DO-34	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MTZJ5V1SCTR	귀 99	8541.10.0050	10,000																			5 µa @ 1.5 v							5.1 v	80 옴
ES3J R7	-	RFQ	8044	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-es3jr7tr	귀 99	8541.10.0080	850		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.7 V @ 3 a	35 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
1N5232B	0.0277	RFQ	6863	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5232		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-1n5232btr	귀 99	8541.10.0050	10,000																	1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v							5.6 v	11 옴
SK32AHR3G	-	RFQ	4554	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	SK32	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		550 mV @ 3 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
1SMA120ZH	0.1245	RFQ	6053	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA120		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500																			1 µa @ 91.2 v							120 v	550 옴
BZD27C27P RFG	-	RFQ	2072	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 7.03%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 20 v							27 v	15 옴
es3f r6	-	RFQ	1492	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-es3fr6tr	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													300 v		1.3 v @ 3 a	35 ns	10 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
TSM2NB60CH	0.8512	RFQ	3314	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	TSM2	MOSFET (금속 (()		TO-251 (IPAK)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TSM2NB60CH	귀 99	8541.29.0095	15,000			n 채널	600 v	2A (TC)	10V	4.4ohm @ 1a, 10V	4.5V @ 250µA	9.4 NC @ 10 v	± 30V	249 pf @ 25 v	-	44W (TC)
BZX55B8V2 A0G	-	RFQ	9372	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																	1 v @ 100 ma		100 na @ 6.2 v							8.2 v	7 옴
1N4764AH	0.1188	RFQ	1208	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4764		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																			5 µa @ 76 v							100 v	350 옴
SRAF560	-	RFQ	5076	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2		Schottky		ITO-220AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SRAF560	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		700 mv @ 5 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
S1KBH	0.0964	RFQ	9424	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	S1K	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐													800 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz
es1jf-t	0.0958	RFQ	4838	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드		기준		smaf	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-es1jf-ttr	귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	7pf @ 4V, 1MHz
SS16LHMQG	-	RFQ	2111	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS16	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		700 mv @ 1 a		400 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
BZT55B3V6 L1G	-	RFQ	5425	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZT55		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																	1 V @ 10 ma		2 µa @ 1 v							3.6 v	85 옴
FR302G A0G	-	RFQ	1681	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	FR302	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		1.3 v @ 3 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
AZ23C13	0.0786	RFQ	3833	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-AZ23C13TR	귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통																		100 na @ 10 v							13 v	25 옴
ESH3DFSH	0.5100	RFQ	27	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-128		기준		SOD-128	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	14,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		950 MV @ 3 a	25 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	42pf @ 4V, 1MHz
MBRF3090CT C0G	-	RFQ	1105	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF3090	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	90 v	30A	940 mV @ 30 a		200 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZT55C39	0.0350	RFQ	6713	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-80 변형			500MW	Qmmelf	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT55C39TR	귀 99	8541.10.0050	10,000																	1 V @ 10 ma		100 na @ 28 v							39 v	90 옴
MTZJ33SA	0.0308	RFQ	7518	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204Ag, do-34, 축 방향	mtzj33		500MW	DO-34	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MTZJ33Satr	귀 99	8541.10.0050	10,000																			200 na @ 25 v							30.45 v	65 옴
SF807GHC0G	-	RFQ	7601	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	SF807	기준		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													500 v		1.7 V @ 8 a	35 ns	10 µa @ 500 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	50pf @ 4V, 1MHz
1N4005SGH	0.0503	RFQ	5641	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	축	1N4005	기준		A-405	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-1N4005SGHTR	귀 99	8541.10.0080	20,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	14pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²