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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
s2dfsh	0.0683	RFQ	2926	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-128		기준		SOD-128	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-S2DFSHTR	귀 99	8541.10.0080	28,000	짐		200 v		1.1 v @ 2 a		1 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	12pf @ 4V, 1MHz
TSZL52C10 RWG	-	RFQ	6614	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	1005 (2512 25)	TSZL52		200 MW	1005	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 7.5 v									10 v	15 옴
BZV55C22 L1G	-	RFQ	4273	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55C		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1 V @ 10 ma		100 na @ 16 v									22 v	55 옴
SS110ALH	0.0948	RFQ	6226	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	SS110	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-SS110ALHTR	귀 99	8541.10.0080	14,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		830 mv @ 1 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	36pf @ 4V, 1MHz
TSZU52C36	0.0669	RFQ	5862	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	0603 (1608 메트릭)	TSZU52		150 MW	0603	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-tszu52c36tr	귀 99	8541.10.0050	20,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 27 v									36 v	90 옴
s2jfsh	0.0683	RFQ	7840	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-128		기준		SOD-128	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-s2jfshtr	귀 99	8541.10.0080	28,000	짐		600 v		1.1 v @ 2 a		1 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	12pf @ 4V, 1MHz
BZD17C68P	0.2625	RFQ	5586	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.88%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZD17C68PTR	귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 51 v									68 v	80 옴
GBLA01HD2G	-	RFQ	4189	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBL	GBLA01	기준		GBL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	25					1 V @ 4 a		5 µa @ 100 v		4 a				단일 단일	100 v
S5A M6	-	RFQ	6921	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-S5AM6TR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		50 v		1.15 V @ 5 a	1.5 µs	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	60pf @ 4V, 1MHz
ZM4735A	0.0830	RFQ	7120	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AB, MELF	ZM4735		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-ZM4735AT	귀 99	8541.10.0050	5,000							10 µa @ 3 v									6.2 v	2 옴
RDBLS207GH	0.3750	RFQ	9028	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	RDBLS207	기준		DBLS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500					1.15 V @ 2 a		2 µa @ 1000 v		2 a				단일 단일	1kv
SS310 M6	-	RFQ	9697	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SS310M6TR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 3 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
1SMB5943H	0.1545	RFQ	3369	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	1SMB5943		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							1 µa @ 42.6 v									56 v	86 옴
BZT52B3V3S	0.0340	RFQ	1679	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52B		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT52B3V3ST	귀 99	8541.10.0050	10,000					1 V @ 10 ma		4.5 µa @ 1 v									3.3 v	95 옴
BC547B B1	-	RFQ	9224	대만 대만 회사	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			500MW	To-92	다운로드			영향을받지 영향을받지	1801-BC547BB1	쓸모없는		1											45 v	100 MA			15NA (ICBO)			NPN	-	200 @ 2mA, 5V	-
s3ghm6g	-	RFQ	3171	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S3G	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		400 v		1.15 V @ 3 a	1.5 µs	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
Rabs15m	0.1623	RFQ	6791	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	Rabs15	기준		abs-l	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000					1.3 V @ 1.5 a		1 µa @ 1000 v		1.5 a				단일 단일	1kv
puup3dh	0.7400	RFQ	6	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn		기준		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		930 MV @ 3 a	25 ns	2 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	47pf @ 4V, 1MHz
SS14MH	0.3800	RFQ	10	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 리드	SS14	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	12,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 1 a		50 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4V, 1MHz
HS2KAH	0.0906	RFQ	9650	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA		기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-HS2KAHTR	귀 99	8541.10.0080	15,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.7 V @ 1.5 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	30pf @ 4V, 1MHz
rs1jfl	0.3800	RFQ	10	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F		기준		SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 v @ 1 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	11pf @ 4V, 1MHz
MTZJ2V2SA	0.0305	RFQ	5779	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204Ag, do-34, 축 방향	mtzj2		500MW	DO-34	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-mtzj2v2satr	귀 99	8541.10.0050	10,000							120 µa @ 700 mV									2.2 v	100 옴
BZD27C56PH	0.2933	RFQ	6034	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	± 7.14%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 43 v									56 v	60 옴
BZX79B62	0.0375	RFQ	5102	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX79		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZX79B62TR	귀 99	8541.10.0050	10,000					1.5 v @ 100 ma		43.4 ma @ 50 mv									62 v	215 옴
BZV55B6V8	0.0357	RFQ	5005	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55B		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZV55B6v8tr	귀 99	8541.10.0050	10,000					1 v @ 100 ma		100 na @ 3 v									6.8 v	8 옴
BZD27C10PHRFG	-	RFQ	8231	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		7 µa @ 7.5 v									10 v	4 옴
tuas4gh	0.2022	RFQ	7337	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	Tuas4	기준		smpc4.6u	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-tuas4ghtr	귀 99	8541.10.0080	6,000	짐		400 v		1.1 v @ 4 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	33pf @ 4v, 1MHz
UG1006G	0.5043	RFQ	2539	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	UG1006	기준		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	400 v	10A	1.25 V @ 5 a	22 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C
ESH2DAH	0.1755	RFQ	5708	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA		기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-esh2dahtr	귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		900 mV @ 2 a	25 ns	1 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	25pf @ 4V, 1MHz
S2KFL	0.0817	RFQ	7416	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F		기준		SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-S2KFLTR	귀 99	8541.10.0080	10,000	짐		800 v		1.1 v @ 2 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	10pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²