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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BZX79B24 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B24 0.0308
RFQ
 ECAD 7093 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX79B24TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 100 ma 16.8 ma @ 50 mV 24 v 70 옴
BZX79B68 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B68 0.0375
RFQ
 ECAD 6344 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX79B68TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 100 ma 47.6 ma @ 50 mv 68 v 240 옴
BZD27C8V2PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C8V2PHRVG -
RFQ
 ECAD 1491 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 3 v 8.2 v 2 옴
GBPC5008 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC5008 T0G -
RFQ
 ECAD 4796 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC40 GBPC5008 기준 GBPC40 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 800 v 50 a 단일 단일 800 v
BZV55B62 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B62 0.0357
RFQ
 ECAD 7992 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZV55B62TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 47 v 62 v 150 옴
TS6P07G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P07G 1.6200
RFQ
 ECAD 9685 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p 기준 TS-6P - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-ts6p07g 귀 99 8541.10.0080 1,200 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 1000 v 6 a 단일 단일 1kv
SRS1660 Taiwan Semiconductor Corporation SRS1660 0.7722
RFQ
 ECAD 5845 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS1660 Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-srs1660tr 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 16A 700 mv @ 8 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
SF31G Taiwan Semiconductor Corporation SF31G -
RFQ
 ECAD 4045 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SF31GTR 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 3 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
SF22GH Taiwan Semiconductor Corporation SF22GH -
RFQ
 ECAD 7929 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-204AC (DO-15) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SF22GHTR 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 2 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 40pf @ 4V, 1MHz
ES3C Taiwan Semiconductor Corporation ES3C -
RFQ
 ECAD 4890 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-es3ctr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 3 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
BZX79B12 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B12 A0G -
RFQ
 ECAD 6267 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 8 ma @ 100 mv 12 v 25 옴
1N914B Taiwan Semiconductor Corporation 1N914B 0.0177
RFQ
 ECAD 7678 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N914 기준 DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1N914BTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 v @ 100 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
MMBT3906L Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906L 0.0247
RFQ
 ECAD 5617 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906L 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MMBT3906LTR 귀 99 8541.21.0075 9,000 40 v 200 MA 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
HS1A Taiwan Semiconductor Corporation HS1A -
RFQ
 ECAD 9663 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-hs1atr 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
ZM4740A Taiwan Semiconductor Corporation ZM4740A 0.0830
RFQ
 ECAD 5123 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF ZM4740 1 W. 멜프 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-ZM4740AT 귀 99 8541.10.0050 5,000 10 µa @ 7.6 v 10 v 7 옴
SS22M Taiwan Semiconductor Corporation SS22M 0.0712
RFQ
 ECAD 8837 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 SS22 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS22MTR 귀 99 8541.10.0080 18,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 600 mV @ 2 a 150 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
HS2GAH Taiwan Semiconductor Corporation HS2GAH 0.0948
RFQ
 ECAD 2178 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-hs2gahtr 귀 99 8541.10.0080 15,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 1.5 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 50pf @ 4V, 1MHz
UF4005HR1G Taiwan Semiconductor Corporation UF4005HR1G -
RFQ
 ECAD 7273 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF4005 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
SF18G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF18G B0G -
RFQ
 ECAD 2872 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF18 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
F1T4GHA1G Taiwan Semiconductor Corporation F1T4GHA1G -
RFQ
 ECAD 6749 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, F1T4 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
KBL405G Taiwan Semiconductor Corporation KBL405G 2.0600
RFQ
 ECAD 256 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL KBL405 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 600 v 4 a 단일 단일 600 v
BZX79C75 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C75 0.0333
RFQ
 ECAD 9607 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX79C75TR 귀 99 8541.10.0050 20,000 1.5 v @ 100 ma 50 NA @ 52.5 v 75 v 255 옴
ESH2BAH Taiwan Semiconductor Corporation ESH2BAH 0.1755
RFQ
 ECAD 6708 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-esh2bahtr 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 2 a 25 ns 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
RS3A Taiwan Semiconductor Corporation RS3A -
RFQ
 ECAD 1352 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-rs3atr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
TQM070NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM070NH04LCR RLG 2.7600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101, Perfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TQM070 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 16A (TA), 54A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 27a, 10V 2.2V @ 250µA 34.5 nc @ 10 v ± 16V 2169 pf @ 25 v - 46.8W (TC)
BZT55B2V4 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B2V4 0.0544
RFQ
 ECAD 3882 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-80 변형 500MW Qmmelf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT55B2V4TR 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
SRF1090H Taiwan Semiconductor Corporation SRF1090H -
RFQ
 ECAD 9411 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SRF1090 Schottky ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SRF1090H 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 10A (DC) 900 mV @ 5 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
ESH1GM Taiwan Semiconductor Corporation ESH1GM 0.2618
RFQ
 ECAD 6559 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-esh1gmtr 귀 99 8541.10.0080 18,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.5 v @ 1 a 25 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 3pf @ 4V, 1MHz
BC856B Taiwan Semiconductor Corporation BC856B 0.0334
RFQ
 ECAD 7408 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 200 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BC856BTR 귀 99 8541.21.0075 9,000 65 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
BZD17C11PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11PH 0.2790
RFQ
 ECAD 7799 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD17 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZD17C11PHTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 200 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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