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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
GBPC3504M T0G	-	RFQ	1198	대만 대만 회사	-	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	QC 터미널	4- 스퀘어, GBPC-M	GBPC3504	기준		GBPC-M	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100													1.1 v @ 17.5 a		5 µa @ 400 v		35 a		단일 단일	400 v
BZX55C3V3	0.0287	RFQ	4229	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZX55C3V3TR	귀 99	8541.10.0050	10,000													1 v @ 100 ma		2 µa @ 1 v						3.3 v	85 옴
TS6K60HD3G	-	RFQ	2801	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBL	TS6K60	기준		TS4K	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	20													1.1 v @ 6 a		5 µa @ 600 v		6 a		단일 단일	600 v
BZT52C8V2K	0.0474	RFQ	9813	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52C		200 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT52C8V2KTR	귀 99	8541.10.0050	6,000															500 na @ 5 v						8.2 v	15 옴
BZV55C8V2 L1G	-	RFQ	4005	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55C		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500													1 V @ 10 ma		100 na @ 6.2 v						8.2 v	7 옴
TS20K60-T	1.2200	RFQ	2824	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, TS4K		기준		TS4K	-				1801-TS20K60-T			500													1.05 V @ 10 a		5 µa @ 600 v		20 a		단일 단일	600 v
TS20K40-T	1.2200	RFQ	6327	대만 대만 회사	*	튜브	활동적인									-				1801-TS20K40-T			500
TS20K80-T	1.2200	RFQ	2693	대만 대만 회사	*	튜브	활동적인									-				1801-TS20K80-T			500
TS20K100-T	1.2200	RFQ	1660	대만 대만 회사	*	튜브	활동적인									-				1801-TS20K100-T			500
SRF1060D-01	-	RFQ	3310	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭		Schottky		ITO-220AB	-				1801-SRF1060D-01	쓸모없는		1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	60 v	10A	700 mv @ 5 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
PE1DA	0.4500	RFQ	2749	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA		기준		DO-214AC (SMA)	-		1 (무제한)					7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									200 v		920 MV @ 1 a	15 ns	2 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	24pf @ 4V, 1MHz
puad8d	0.8600	RFQ	6177	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		기준		윈스 윈스	-		1 (무제한)					4,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									200 v		1 V @ 8 a	25 ns	2 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	8a	101pf @ 4v, 1MHz
SS210L MQG	-	RFQ	1050	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS210	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									100 v		850 mv @ 2 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
HS5FH	0.2928	RFQ	1881	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-HS5FHTR	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									300 v		1 V @ 5 a	50 ns	10 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	80pf @ 4V, 1MHz
BZD27C8V2PHRQG	0.0962	RFQ	5929	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	± 6.09%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000													1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 3 v						8.2 v	2 옴
TSM3911DCX6 RFG	1.6300	RFQ	47	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6	TSM3911	MOSFET (금속 (()	1.15W	SOT-26	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	2.2A (TA)	140mohm @ 2.2a, 4.5v	950MV @ 250µA	15.23NC @ 4.5V	882.51pf @ 6v	-
TS10P07GHC2G	-	RFQ	8826	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, TS-6p	TS10P07	기준		TS-6P	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	15													1.1 v @ 10 a		10 µa @ 1000 v		10 a		단일 단일	1kv
S1KLH	0.0738	RFQ	9245	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123		기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-S1KLHTR	귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									800 v		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	9pf @ 4V, 1MHz
BZD27C22PHMQG	-	RFQ	1164	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.66%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000													1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 16 v						22.05 v	15 옴
MTZJ12SC	0.0305	RFQ	5668	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204Ag, do-34, 축 방향	mtzj12		500MW	DO-34	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MTZJ12SCTR	귀 99	8541.10.0050	10,000															200 na @ 9 v						12.05 v	30 옴
UGF1005GH	0.5148	RFQ	5582	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	UGF1005	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-GUF1005GH	귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	300 v	10A	1.25 V @ 5 a	20 ns	10 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 175 ° C
MBRS20150CTH	0.7935	RFQ	6416	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRS20150	Schottky		TO-263AB (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MBRS20150CTHTR	귀 99	8541.10.0080	1,600		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	150 v	20A	1.23 V @ 20 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SSL34 R6G	-	RFQ	6178	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SSL34R6GTR	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									40 v		410 MV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
rs2jalh	0.0795	RFQ	5924	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드		기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-RS2JALHTR	귀 99	8541.10.0080	28,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									600 v		1.3 V @ 2 a	250 ns	1 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	11pf @ 4V, 1MHz
UR3KB60	0.5154	RFQ	8757	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	UR3KB	기준		D3K	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-OR3KB60	귀 99	8541.10.0080	1,500													1 V @ 1.5 a		10 µa @ 600 v		3 a		단일 단일	600 v
HER108GH	0.1054	RFQ	7188	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-her108ghtr	귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									1000 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
MBRF10100	0.6642	RFQ	2615	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	MBRF10100	Schottky		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									100 v		850 mv @ 10 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
f1t2gh	-	RFQ	4601	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	T-18, 축,		기준		TS-1	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-F1T2GHTR	귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									100 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SK810C V7G	-	RFQ	2890	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK810	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									100 v		900 mV @ 8 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
BZX84C6V2 RFG	0.3400	RFQ	4004	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000													900 mV @ 10 ma		3 µa @ 4 v						6.2 v	10 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²