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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
ES1DLH Taiwan Semiconductor Corporation es1dlh 0.2565
RFQ
 ECAD 4041 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-es1dlhtr 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
TSM070NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NH04LCR RLG 2.4300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 Perfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-PDFNU (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 15A (TA), 54A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 27a, 10V 2.2V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 16V 1446 pf @ 25 v - 46.8W (TC)
1PGSMC5362 M6G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5362 m6g -
RFQ
 ECAD 8074 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1pgsmc5362m6gtr 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 NA @ 21.2 v 28 v 6 옴
MTZJ20SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ20SA R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 8864 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj20 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 15 v 18.49 v 55 옴
GP1006 Taiwan Semiconductor Corporation GP1006 -
RFQ
 ECAD 3760 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 GP1006 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 짐 1 음극 음극 공통 800 v 10A 1.1 v @ 5 a 2 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C
1PGSMB5953 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5953 R5g -
RFQ
 ECAD 8214 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1pgsmb5953 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 114 v 150 v 600 옴
1M110ZH Taiwan Semiconductor Corporation 1M110ZH 0.1188
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 ECAD 1805 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1M110 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 83.6 v 110 v 450 옴
RS1MLSH Taiwan Semiconductor Corporation rs1mlsh 0.0666
RFQ
 ECAD 8761 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H 기준 SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-rs1mlshtr 귀 99 8541.10.0080 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 V @ 1.2 a 300 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.2A -
SK56CH Taiwan Semiconductor Corporation SK56CH 0.2159
RFQ
 ECAD 8247 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 5 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
RS3A R7 Taiwan Semiconductor Corporation RS3A R7 -
RFQ
 ECAD 4416 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-rs3ar7tr 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
1PGSMA4756HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4756hr3g 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma4756 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 35.8 v 47 v 80 옴
BZT52B5V6-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B5V6-G 0.0461
RFQ
 ECAD 6111 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52B 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B5V6-GTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
SS29LHRUG Taiwan Semiconductor Corporation SS29LHRUG -
RFQ
 ECAD 3322 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS29 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mv @ 2 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZX85C3V3 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C3V3 R0G 0.0645
RFQ
 ECAD 8660 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 10 ma 40 µa @ 1 v 3.3 v 20 옴
HS3F R6 Taiwan Semiconductor Corporation HS3F R6 -
RFQ
 ECAD 9440 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-HS3FR6TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1 V @ 3 a 50 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
SF24GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF24GHB0G -
RFQ
 ECAD 4888 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SF24 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 2 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 40pf @ 4V, 1MHz
MBRF1060 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1060 -
RFQ
 ECAD 8466 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 MBRF106 Schottky ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-MBRF1060 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 800 mV @ 10 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
SFA804G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA804G C0G -
RFQ
 ECAD 2302 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 SFA804 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 975 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 100pf @ 4V, 1MHz
SK54C R7 Taiwan Semiconductor Corporation SK54C R7 -
RFQ
 ECAD 4787 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SK54CR7TR 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
BZD27C100P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C100P 깔개 0.2888
RFQ
 ECAD 4318 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 75 v 100 v 200 옴
BZT55B4V7 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B4V7 L1G -
RFQ
 ECAD 1016 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 500 na @ 1 v 4.7 v 60 옴
BAV20W Taiwan Semiconductor Corporation bav20w 0.0474
RFQ
 ECAD 9669 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F BAV20 기준 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-bav20wtr 귀 99 8541.10.0070 6,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 250 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 µa @ 150 v -65 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
S15MLW Taiwan Semiconductor Corporation S15MLW 0.0597
RFQ
 ECAD 9673 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-S15MLWTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 짐 1000 v 1.1 v @ 1.5 a 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.5A 10pf @ 4V, 1MHz
1N5253B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5253B A0G -
RFQ
 ECAD 6870 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% 100 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5253 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 18 v 25 v 35 옴
SFAF2007GH Taiwan Semiconductor Corporation SFAF2007GH -
RFQ
 ECAD 4842 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 기준 ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SFAF2007GH 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 20 a 35 ns 10 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 150pf @ 4V, 1MHz
ES1DLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation es1dlhrug 0.2565
RFQ
 ECAD 6321 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1D 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
UGF1008GA Taiwan Semiconductor Corporation UGF1008GA 0.4684
RFQ
 ECAD 9231 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 UGF1008 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-GUF1008GA 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 600 v 10A 1.7 V @ 5 a 25 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
M3Z12VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z12VC 0.0294
RFQ
 ECAD 3599 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F M3Z12 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-M3Z12VCTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 100 na @ 9 v 12 v 20 옴
S1J-JR2 Taiwan Semiconductor Corporation S1J-JR2 -
RFQ
 ECAD 7468 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
MBRS4060CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS4060CT 0.9495
RFQ
 ECAD 6838 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS4060 Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBRS4060CTTR 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 40a 1 V @ 40 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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