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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
S8KC R7 Taiwan Semiconductor Corporation S8KC R7 -
RFQ
 ECAD 9915 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-s8kcr7tr 귀 99 8541.10.0080 850 짐 800 v 985 MV @ 8 a 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 48pf @ 4V, 1MHz
HS1DF-T Taiwan Semiconductor Corporation HS1DF-T 0.1037
RFQ
 ECAD 7241 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 smaf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HS1DF-TTR 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 19pf @ 4V, 1MHz
MTZJ51S Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ51S 0.0305
RFQ
 ECAD 1477 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJ51 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-mtzj51str 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 39 v 51 v 110 옴
ESH3B R7 Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B R7 -
RFQ
 ECAD 2622 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-esh3br7tr 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 3 a 20 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
MTZJ3V0SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ3V0SB R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 6239 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj3 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 µa @ 1 v 3.12 v 120 옴
1N4739G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4739G A0G -
RFQ
 ECAD 8666 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4739 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 7 v 9.1 v 5 옴
MUR360SH Taiwan Semiconductor Corporation mur360sh 0.2298
RFQ
 ECAD 4126 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 3 a 50 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
BZT52B5V6S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B5V6 0.0343
RFQ
 ECAD 1514 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B5V6STR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 900 na @ 2 v 5.6 v 40
ESH3B R6 Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B R6 -
RFQ
 ECAD 4439 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-esh3br6tr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 3 a 20 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
FR303G Taiwan Semiconductor Corporation FR303G -
RFQ
 ECAD 9338 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-FR303GTR 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
BZX55B2V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B2V7 0.0301
RFQ
 ECAD 8669 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX55B2V7TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 10 µa @ 1 v 2.7 v 85 옴
BZV55C11 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C11 0.0333
RFQ
 ECAD 3107 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZV55C11TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 8.2 v 11 v 20 옴
S1MLSH Taiwan Semiconductor Corporation s1mlsh 0.0597
RFQ
 ECAD 3270 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H 기준 SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-s1mlshtr 귀 99 8541.10.0080 20,000 짐 1000 v 1.3 V @ 1.2 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.2A -
1N5230B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5230B A0G -
RFQ
 ECAD 7884 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% 100 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5230 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 4.7 v 19 옴
1PGSMB5929HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5929hr5g 0.6300
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1pgsmb5929 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 11.4 v 15 v 9 옴
TUAS8D Taiwan Semiconductor Corporation tuas8d 0.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn tuas8 기준 smpc4.6u 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 짐 200 v 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 62pf @ 4V, 1MHz
1N4001GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001GHA0G -
RFQ
 ECAD 6228 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4001 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 50 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
S3DHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S3DHR7G -
RFQ
 ECAD 7067 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S3D 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 짐 200 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
BZT55C33 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C33 L0G 0.0350
RFQ
 ECAD 7713 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 24 v 33 v 80 옴
SS12LHMTG Taiwan Semiconductor Corporation SS12LHMTG -
RFQ
 ECAD 5479 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS12 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZD27C150PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150PHMTG -
RFQ
 ECAD 7284 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 110 v 147 v 300 옴
SS12L MTG Taiwan Semiconductor Corporation SS12L MTG -
RFQ
 ECAD 6171 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS12 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
ES1G R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1G R3G -
RFQ
 ECAD 8165 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA es1g 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 18pf @ 4V, 1MHz
KTC3198-BL-M0 B2G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-BL-M0 B2G -
RFQ
 ECAD 7384 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 영향을받지 영향을받지 1801-KTC3198-BL-M0B2G 쓸모없는 1 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 3000 @ 150ma, 6V 80MHz
SRAF5150H Taiwan Semiconductor Corporation SRAF5150H -
RFQ
 ECAD 3603 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 Schottky ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SRAF5150H 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 5 a 200 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
TSM4ND65CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM4ND65CI 2.6800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSM4 MOSFET (금속 (() ITO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 2.6ohm @ 1.2a, 10V 3.8V @ 250µA 16.8 nc @ 10 v ± 30V 596 pf @ 50 v - 41.6W (TC)
UG12JHC0G Taiwan Semiconductor Corporation UG12JHC0G -
RFQ
 ECAD 2092 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 UG12 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2 v @ 12 a 20 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a -
1N4745A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4745A B0G -
RFQ
 ECAD 8418 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4745 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 5 µa @ 12.2 v 16 v 16 옴
SSL33H Taiwan Semiconductor Corporation SSL33H 0.3351
RFQ
 ECAD 2151 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 410 MV @ 3 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
M3Z56VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z56VC 0.0294
RFQ
 ECAD 3436 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F M3Z56 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-M3Z56VCTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 100 na @ 42 v 56 v 135 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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