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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
HS5M R6G Taiwan Semiconductor Corporation HS5M R6G -
RFQ
 ECAD 5804 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-HS5MR6GTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 5 a 75 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
BZT55B16 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B16 L0G 0.0385
RFQ
 ECAD 5472 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 12 v 16 v 40
BZT52C3V3K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V3K RKG 0.0474
RFQ
 ECAD 7476 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
MTZJ4V3SC R0G Taiwan Semiconductor Corporation mtzj4v3sc r0g 0.0305
RFQ
 ECAD 3973 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj4 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 1 v 4.44 v 100 옴
MBRF2060CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2060CT 0.5661
RFQ
 ECAD 4996 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF2060 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 950 MV @ 20 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS54FSH Taiwan Semiconductor Corporation SS54FSH 0.4800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 SS54 Schottky SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 mV @ 5 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 256pf @ 4V, 1MHz
BC546C B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC546C B1 -
RFQ
 ECAD 7110 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 영향을받지 영향을받지 1801-BC546CB1 쓸모없는 1 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN - 420 @ 2MA, 5V -
MMBD3004 Taiwan Semiconductor Corporation MMBD3004 0.0616
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 ECAD 9438 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD3004 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-mmbd3004tr 귀 99 8541.10.0070 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 350 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 240 v -65 ° C ~ 150 ° C 225MA 5pf @ 1v, 1MHz
BZD27C51PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C51PHMQG -
RFQ
 ECAD 5648 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 39 v 51 v 60 옴
BZT52C30 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C30 0.0412
RFQ
 ECAD 2649 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C30TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 ma 45 na @ 21 v 30 v 80 옴
1N4740G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4740G 0.0627
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 ECAD 3282 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4740 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1N4740GTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 7.6 v 10 v 7 옴
BZD27C13P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13P MHG -
RFQ
 ECAD 9553 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 2 µa @ 10 v 13.25 v 10 옴
MBRS1045HMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1045HMNG -
RFQ
 ECAD 3943 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 840 mV @ 10 a 100 µa @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
BZD27C15P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15P 0.2753
RFQ
 ECAD 5556 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZD27C15ptr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 11 v 14.7 v 10 옴
PU6BCH Taiwan Semiconductor Corporation pu6bch 0.8200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 940 MV @ 6 a 25 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A 110pf @ 4V, 1MHz
SFAF501G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF501G C0G -
RFQ
 ECAD 3936 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF501 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 975 MV @ 5 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 70pf @ 4V, 1MHz
SR106 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR106 A0G 0.5000
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 대만 대만 회사 - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR106 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
HS2GFL Taiwan Semiconductor Corporation HS2GFL 0.0920
RFQ
 ECAD 2292 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HS2GFLTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 16pf @ 4V, 1MHz
TSM1N45DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM1N45DCS RLG -
RFQ
 ECAD 1275 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 채널 450 v 500MA (TC) 10V 4.25ohm @ 250ma, 10V 4.9V @ 250ma 6.5 NC @ 10 v ± 50V 185 pf @ 25 v - 900MW (TA)
TSM033NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NB04LCR RLG 2.9500
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 ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerldfn TSM033 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5.2x5.75) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 21A (TA), 121A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 21a, 10V 2.5V @ 250µA 79 NC @ 10 v ± 20V 4456 pf @ 20 v - 3.1W (TA), 107W (TC)
S5M R7G Taiwan Semiconductor Corporation S5M R7G 0.4300
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 ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S5M 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 짐 1000 v 1.15 V @ 5 a 1.5 µs 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 60pf @ 4V, 1MHz
2M22Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M22Z A0G -
RFQ
 ECAD 9854 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M22 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 16.7 v 22 v 12 옴
TS10P05GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P05GHC2G -
RFQ
 ECAD 6176 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS10P05 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 10 a 10 µa @ 600 v 10 a 단일 단일 600 v
MTZJ9V1SB Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ9V1SB 0.0305
RFQ
 ECAD 1376 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj9 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MTZJ9V1SBTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 500 na @ 6 v 9.1 v 25 옴
MMSZ5251B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5251B 0.0437
RFQ
 ECAD 4252 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F MMSZ5251 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MMSZ5251BTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 17 v 22 v 29 옴
HS1A M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A M2G -
RFQ
 ECAD 1037 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA HS1A 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
1SMA5937 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5937 R3G -
RFQ
 ECAD 5743 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5937 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 500 NA @ 25.1 v 33 v 33 옴
SF23G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF23G A0G -
RFQ
 ECAD 3265 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SF23 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 2 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 40pf @ 4V, 1MHz
SFF2001GH Taiwan Semiconductor Corporation sff2001gh -
RFQ
 ECAD 6871 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF2001 기준 ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SFF2001GH 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 20A (DC) 975 MV @ 10 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
TSUP8M60SH Taiwan Semiconductor Corporation tsup8m60sh 0.5328
RFQ
 ECAD 4072 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn TSUP8 Schottky smpc4.6u 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tsup8m60shtr 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 640 mV @ 8 a 600 µa @ 60 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a 547pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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