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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZV55B20 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B20 L0G 0.0357
RFQ
 ECAD 9937 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 15 v 20 v 55 옴
SR1502HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1502HB0G -
RFQ
 ECAD 8509 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, SR1502 Schottky R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 15 a 500 µa @ 20 v -50 ° C ~ 150 ° C 15a -
1N4753G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4753G 0.0633
RFQ
 ECAD 9465 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4753 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1N4753GTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 27.4 v 36 v 50 옴
SS24L MTG Taiwan Semiconductor Corporation SS24L MTG -
RFQ
 ECAD 6182 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS24 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
TQM019NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM019NH04CR RLG 6.5400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101, Perfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-PDFNU (4.9x5.75) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 30A (TA), 100A (TC) 7V, 10V 1.9mohm @ 50a, 10V 3.6V @ 250µA 134 NC @ 10 v ± 20V 9044 pf @ 25 v - 150W (TC)
HS1KLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1KLW RVG 0.0929
RFQ
 ECAD 6414 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W HS1K 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
RSFDLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation rsfdlhrvg -
RFQ
 ECAD 5022 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFDL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
BZD17C13P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C13P RHG -
RFQ
 ECAD 1306 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.53% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 2 µa @ 10 v 13 v 10 옴
MBRF1550CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1550CTHC0G -
RFQ
 ECAD 4126 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF1550 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 15a 750MV @ 7.5 a 300 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
ES1GLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation es1glhmhg -
RFQ
 ECAD 3661 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab es1g 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
TSF10U60C Taiwan Semiconductor Corporation TSF10U60C 1.9000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSF10 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 5a 420 MV @ 5 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
6A10G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A10G A0G -
RFQ
 ECAD 8651 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, 6A10 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 700 짐 100 v 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
SF31GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31GHB0G -
RFQ
 ECAD 4752 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF31 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 3 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
2M33Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M33Z A0G -
RFQ
 ECAD 9358 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M33 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 25.1 v 33 v 23 옴
SRAF1620 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1620 C0G -
RFQ
 ECAD 1152 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SRAF1620 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 16 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 16A -
SF62G Taiwan Semiconductor Corporation SF62G 0.4775
RFQ
 ECAD 3286 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SF62GTR 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 975 MV @ 6 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 100pf @ 4V, 1MHz
BZD27C30PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C30PHRHG -
RFQ
 ECAD 2424 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 22 v 30 v 15 옴
2M24Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M24Z A0G -
RFQ
 ECAD 1674 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M24 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 18.2 v 24 v 13 옴
1SMA5933 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5933 R3G -
RFQ
 ECAD 2031 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5933 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 500 NA @ 16.7 v 22 v 17.5 옴
MMBD3004 Taiwan Semiconductor Corporation MMBD3004 0.0616
RFQ
 ECAD 9438 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD3004 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-mmbd3004tr 귀 99 8541.10.0070 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 350 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 240 v -65 ° C ~ 150 ° C 225MA 5pf @ 1v, 1MHz
SS26H Taiwan Semiconductor Corporation SS26H 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SS26 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZD27C15P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15P 0.2753
RFQ
 ECAD 5556 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZD27C15ptr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 11 v 14.7 v 10 옴
PU6BCH Taiwan Semiconductor Corporation pu6bch 0.8200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 940 MV @ 6 a 25 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A 110pf @ 4V, 1MHz
SFAF501G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF501G C0G -
RFQ
 ECAD 3936 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF501 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 975 MV @ 5 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 70pf @ 4V, 1MHz
SR106 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR106 A0G 0.5000
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 대만 대만 회사 - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR106 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
HS2GFL Taiwan Semiconductor Corporation HS2GFL 0.0920
RFQ
 ECAD 2292 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HS2GFLTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 16pf @ 4V, 1MHz
BZT52C30 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C30 0.0412
RFQ
 ECAD 2649 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C30TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 ma 45 na @ 21 v 30 v 80 옴
1N4740G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4740G 0.0627
RFQ
 ECAD 3282 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4740 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1N4740GTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 7.6 v 10 v 7 옴
BZD27C13P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13P MHG -
RFQ
 ECAD 9553 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 2 µa @ 10 v 13.25 v 10 옴
SF23G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF23G A0G -
RFQ
 ECAD 3265 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SF23 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 2 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 40pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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