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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
1T2G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1T2G A0G -
RFQ
 ECAD 3227 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1T2G 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 100 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
MBR2535CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2535CT C0G -
RFQ
 ECAD 1485 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR2535 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 25A 850 mV @ 25 a 200 µa @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS19HR3G Taiwan Semiconductor Corporation SS19HR3G -
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA SS19 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 800 mv @ 1 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZT52B33-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B33-G 0.0461
RFQ
 ECAD 5494 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52B 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B33-GTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 23.1 v 33 v 80 옴
ES5J-T Taiwan Semiconductor Corporation es5j-t 0.2889
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 ECAD 5483 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-es5j-ttr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 5 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 71pf @ 4v, 1MHz
SRAS2050HMNG Taiwan Semiconductor Corporation sras2050hmng -
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 ECAD 1807 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRAS2050 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mV @ 20 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
BC337-25 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337-25 B1G -
RFQ
 ECAD 5269 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC337 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 5V 100MHz
HERF1605GH Taiwan Semiconductor Corporation HERF1605GH 0.7673
RFQ
 ECAD 5688 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HERF1605GH 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 16A 1.3 V @ 8 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C
TSSW3U45H Taiwan Semiconductor Corporation TSSW3U45H 0.2676
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 ECAD 2997 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W TSSW3 Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSSW3U45HTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 470 mV @ 3 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
UG2DHA0G Taiwan Semiconductor Corporation UG2DHA0G -
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 ECAD 1736 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 UG2D 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 2 a 25 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
2M56Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M56Z A0G -
RFQ
 ECAD 8351 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M56 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 42.6 v 56 v 55 옴
BZD27C120P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120P MHG -
RFQ
 ECAD 2785 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91 v 120.5 v 300 옴
BZD27C100P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C100P RQG -
RFQ
 ECAD 1298 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 75 v 100 v 200 옴
S3AB Taiwan Semiconductor Corporation S3ab 0.1565
RFQ
 ECAD 7984 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-s3abtr 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 50 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
1N4744G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4744G A0G -
RFQ
 ECAD 2929 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4744 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 11.4 v 15 v 14 옴
SK34A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SK34A R3G 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SK34 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
MUR310S M6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR310S M6G -
RFQ
 ECAD 5977 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC MUR310 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 875 mv @ 3 a 25 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
SS12L MHG Taiwan Semiconductor Corporation SS12L MHG -
RFQ
 ECAD 2990 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS12 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
SK59C V7G Taiwan Semiconductor Corporation SK59C V7G 0.9600
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK59 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 5 a 300 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
1N5821HB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5821HB0G -
RFQ
 ECAD 8634 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5821 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
SK20H45 Taiwan Semiconductor Corporation SK20H45 0.7872
RFQ
 ECAD 1654 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, SK20 Schottky R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 550 mV @ 20 a 150 µa @ 45 v 200 ° C (() 20A -
S3MBH Taiwan Semiconductor Corporation S3MBH 0.1210
RFQ
 ECAD 9211 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S3M 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 1000 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
BZY55B12 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55B12 Ryg 0.0583
RFQ
 ECAD 5917 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 9.1 v 12 v 20 옴
TSM3N80CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N80CI C0G -
RFQ
 ECAD 8601 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSM3N80 MOSFET (금속 (() ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 800 v 3A (TC) 10V 4.2ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 696 pf @ 25 v - 94W (TC)
SRAF1620 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1620 C0G -
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 ECAD 1152 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SRAF1620 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 16 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 16A -
MMBD3004 Taiwan Semiconductor Corporation MMBD3004 0.0616
RFQ
 ECAD 9438 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD3004 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-mmbd3004tr 귀 99 8541.10.0070 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 350 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 240 v -65 ° C ~ 150 ° C 225MA 5pf @ 1v, 1MHz
2M24Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M24Z A0G -
RFQ
 ECAD 1674 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M24 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 18.2 v 24 v 13 옴
SF62G Taiwan Semiconductor Corporation SF62G 0.4775
RFQ
 ECAD 3286 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SF62GTR 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 975 MV @ 6 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 100pf @ 4V, 1MHz
PU6BCH Taiwan Semiconductor Corporation pu6bch 0.8200
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 ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 940 MV @ 6 a 25 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A 110pf @ 4V, 1MHz
BZD27C51PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C51PHMQG -
RFQ
 ECAD 5648 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 39 v 51 v 60 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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