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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
HER304GH	0.2514	RFQ	9425	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-her304ghtr	귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1 V @ 3 a	50 ns	10 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
rs1glwhrvg	0.5200	RFQ	8	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W	Rs1g	기준		SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-
2M12ZHB0G	-	RFQ	7256	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M12		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000							1 µa @ 9.1 v				12 v	4.5 옴
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SK85C R6G	-	RFQ	2933	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SK85CR6GTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		750 MV @ 8 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
SK52C V7G	-	RFQ	9630	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK52	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		550 mV @ 5 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
1M200ZHR1G	-	RFQ	5772	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1M200		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000							5 µa @ 152 v				200 v	1500 옴
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ug2jahr3g	-	RFQ	9229	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	UG2J	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 V @ 2 a	55 ns	2 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
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BZD27C22PHRFG	-	RFQ	8770	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.66%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 16 v				22.05 v	15 옴
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MBR20100cth	-	RFQ	8729	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR20100	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	20A	950 MV @ 20 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MUR420S M6G	-	RFQ	7414	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	MUR420	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.25 V @ 4 a	25 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	4a	65pf @ 4V, 1MHz
MBRAD10100DH	0.9400	RFQ	9993	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MBRAD10100	Schottky		윈스 윈스	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)					4,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	10A	850 mV @ 5 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRF3045CT-Y	0.6949	RFQ	7981	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF3045	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MBRF3045CT-Y	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	30A	950 MV @ 30 a		200 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR745HC0G	-	RFQ	5484	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	MBR745	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		840 mV @ 15 a		100 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	7.5A	-
BZD27C51P RHG	-	RFQ	2595	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.88%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 39 v				51 v	60 옴
BZD27C12PW	0.5300	RFQ	1	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123W	BZD27		1 W.	SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1 v @ 200 ma		3 µa @ 9.1 v				12 v	7 옴
hs3ab	0.2066	RFQ	5156	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB		기준		DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-hs3abtr	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1 V @ 3 a	50 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	80pf @ 4V, 1MHz
SF2L4G B0G	-	RFQ	6312	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SF2L4	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 2 a	35 ns	1 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	40pf @ 4V, 1MHz
UGF1005GA	0.4786	RFQ	8321	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	UGF1005	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-GUF1005GA	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 양극 양극 공통	300 v	10A	1.25 V @ 5 a	20 ns	10 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 175 ° C
1N5231B A0G	-	RFQ	3662	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	100 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5231		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v				5.1 v	17 옴
SRAS8100H	0.6687	RFQ	1936	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SRAS8100	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		950 MV @ 8 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
MBR4090PT C0G	-	RFQ	3917	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	MBR4090	Schottky		TO-247AD (TO-3P)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	90 v	40a			500 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²