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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
31DF4 A0G	-	RFQ	6616	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	31df4	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.7 V @ 3 a	35 ns	20 µa @ 400 v	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	-
MUR1620CTHC0G	-	RFQ	5558	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MUR1620	기준		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	200 v	16A	975 MV @ 8 a	25 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C
HS1JL RFG	-	RFQ	2283	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	HS1J	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SS39H	-	RFQ	2268	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SS39HTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													90 v		850 mV @ 3 a		100 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
SF1601G C0G	-	RFQ	5923	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	SF1601	기준		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		975 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	80pf @ 4V, 1MHz
TSM055N03EPQ56	0.6967	RFQ	3273	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	TSM055	MOSFET (금속 (()		8-PDFN (5x5.8)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TSM055N03EPQ56TR	귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널	30 v	80A (TC)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	11.1 NC @ 4.5 v	± 20V	1210 pf @ 25 v	-	74W (TC)
BZD17C27P RHG	-	RFQ	2653	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 7.03%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 20 v							27 v	15 옴
BZX79C4V7 A0G	-	RFQ	1166	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX79		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1.5 v @ 100 ma		3 µa @ 2 v							4.7 v	80 옴
TSM056NH04CR RLG	3.0100	RFQ	5	대만 대만 회사	Perfet ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn		MOSFET (금속 (()		8-PDFNU (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널	40 v	18A (TA), 54A (TC)	7V, 10V	5.6mohm @ 27a, 10V	3.6V @ 250µA	27.3 NC @ 10 v	± 20V	1942 pf @ 25 v	-	78.9W (TC)
1N4001GH	0.0737	RFQ	2345	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-204AL (DO-41)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-1N4001GHTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	짐													50 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
RSFJL MQG	-	RFQ	2608	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RSFJL	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.3 v @ 500 ma	250 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
LL4148 L0G	0.0206	RFQ	4492	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	LL4148	기준		미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													75 v		1 V @ 50 ma	4 ns	5 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 175 ° C	150ma	4pf @ 0V, 1MHz
UG54GHA0G	-	RFQ	1202	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	UG54	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		1.05 V @ 5 a	20 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	5a	-
mur1640cth	0.7592	RFQ	4940	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MUR1640	기준		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	400 v	16A	1.3 V @ 8 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C
RS1KF-T	0.1037	RFQ	9919	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	RS1K	기준		smaf	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-RS1KF-TTR	귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
TSM2NB60CH C5G	-	RFQ	4910	대만 대만 회사	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA		MOSFET (금속 (()		TO-251 (IPAK)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75		n 채널	600 v	2A (TC)	10V	4.4ohm @ 1a, 10V	4.5V @ 250µA	9.4 NC @ 10 v	± 30V	249 pf @ 25 v	-	44W (TC)
1pgsmb5950hr5g	-	RFQ	8538	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	1pgsmb5950		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	850																		1 µa @ 83.6 v							110 v	300 옴
BC817-16W RFG	0.0360	RFQ	2711	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC817		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																						45 v	500 MA	100NA (ICBO)			NPN	700mv @ 50ma, 500ma	100 @ 100ma, 1v	100MHz
BZX79B16 A0G	-	RFQ	4531	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX79		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1.5 v @ 100 ma		11.2 ma @ 50 mV							16 v	40
SRA1640	-	RFQ	3159	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2		Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SRA1640	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		550 mV @ 16 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	16A	-
US1B R3G	0.5700	RFQ	144	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	US1B	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1pgsMA4743	0.1086	RFQ	1281	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1pgsMA4743		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 9.9 v							13 v	10 옴
1pgsma130zhr3g	-	RFQ	4436	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1pgsma130		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 98.8 v							130 v	700 옴
BZX79C9V1	0.0287	RFQ	4880	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX79		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZX79C9V1TR	귀 99	8541.10.0050	20,000																1.5 v @ 100 ma		500 na @ 6 v							9.1 v	15 옴
2M13Z B0G	-	RFQ	4356	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M13		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000																		500 NA @ 9.9 v							13 v	5 옴
S2BA	0.0633	RFQ	4836	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	S2B	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	짐													100 v		1.1 v @ 1.5 a	1.5 µs	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	30pf @ 4V, 1MHz
SS310LHM2G	-	RFQ	9597	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS310	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		850 mV @ 3 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
SFAF1005G C0G	-	RFQ	1302	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	SFAF1005	기준		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													300 v		1.3 V @ 10 a	35 ns	10 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	140pf @ 4V, 1MHz
BZX584B43	0.0379	RFQ	2594	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZX584B43TR	귀 99	8541.10.0050	8,000																900 mV @ 10 ma		100 na @ 29.4 v							43 v	130 옴
BAT43W	0.0548	RFQ	4378	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	BAT43	Schottky		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BAT43WTR	귀 99	8541.10.0070	6,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													30 v		1 v @ 200 ma	5 ns	500 na @ 25 v	-55 ° C ~ 125 ° C	200ma	10pf @ 1v, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²