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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
UGF1005GA Taiwan Semiconductor Corporation UGF1005GA 0.4786
RFQ
 ECAD 8321 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 UGF1005 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-GUF1005GA 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 300 v 10A 1.25 V @ 5 a 20 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 175 ° C
SRAS8100H Taiwan Semiconductor Corporation SRAS8100H 0.6687
RFQ
 ECAD 1936 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRAS8100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 8 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
BZT55C43 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C43 L0G 0.0350
RFQ
 ECAD 3139 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 32 v 43 v 90 옴
TSM055N03EPQ56 Taiwan Semiconductor Corporation TSM055N03EPQ56 0.6967
RFQ
 ECAD 3273 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TSM055 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x5.8) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM055N03EPQ56TR 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 11.1 NC @ 4.5 v ± 20V 1210 pf @ 25 v - 74W (TC)
TSM056NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM056NH04CR RLG 3.0100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 Perfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-PDFNU (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 18A (TA), 54A (TC) 7V, 10V 5.6mohm @ 27a, 10V 3.6V @ 250µA 27.3 NC @ 10 v ± 20V 1942 pf @ 25 v - 78.9W (TC)
SK59B R5G Taiwan Semiconductor Corporation SK59B R5G -
RFQ
 ECAD 5181 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SK59 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 5 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
LL4148 L0G Taiwan Semiconductor Corporation LL4148 L0G 0.0206
RFQ
 ECAD 4492 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 LL4148 기준 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 V @ 50 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 175 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
SRA1640 Taiwan Semiconductor Corporation SRA1640 -
RFQ
 ECAD 3159 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SRA1640 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 16 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 16A -
RS1KF-T Taiwan Semiconductor Corporation RS1KF-T 0.1037
RFQ
 ECAD 9919 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 RS1K 기준 smaf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-RS1KF-TTR 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
SK85C R6G Taiwan Semiconductor Corporation SK85C R6G -
RFQ
 ECAD 2933 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SK85CR6GTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 MV @ 8 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
2M12ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M12ZHB0G -
RFQ
 ECAD 7256 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M12 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1 µa @ 9.1 v 12 v 4.5 옴
S12MCHV7G Taiwan Semiconductor Corporation S12MCHV7G 0.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 짐 1000 v 1.1 v @ 12 a 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a 78pf @ 4V, 1MHz
BZX79B16 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B16 A0G -
RFQ
 ECAD 4531 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 11.2 ma @ 50 mV 16 v 40
SSL32 R7G Taiwan Semiconductor Corporation SSL32 R7G -
RFQ
 ECAD 9902 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SSL32 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 410 MV @ 3 a 200 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
1M200ZHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M200ZHR1G -
RFQ
 ECAD 5772 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1M200 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 152 v 200 v 1500 옴
SK52C V7G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C V7G -
RFQ
 ECAD 9630 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK52 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
MBRF25100CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF25100cth -
RFQ
 ECAD 6673 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF25100 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 25A 920 MV @ 25 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C22PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C22PHRFG -
RFQ
 ECAD 8770 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 16 v 22.05 v 15 옴
MUR1640CTH Taiwan Semiconductor Corporation mur1640cth 0.7592
RFQ
 ECAD 4940 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MUR1640 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 16A 1.3 V @ 8 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C
1PGSMB5950HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5950hr5g -
RFQ
 ECAD 8538 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1pgsmb5950 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 83.6 v 110 v 300 옴
RSFJL MQG Taiwan Semiconductor Corporation RSFJL MQG -
RFQ
 ECAD 2608 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFJL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 500 ma 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
UG2JAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation ug2jahr3g -
RFQ
 ECAD 9229 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA UG2J 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 2 a 55 ns 2 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
M3Z4V7C Taiwan Semiconductor Corporation M3Z4V7C 0.0294
RFQ
 ECAD 6662 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F M3Z4 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-m3z4v7ctr 귀 99 8541.10.0050 6,000 2 µa @ 1 v 4.7 v 70 옴
SF1601G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1601G C0G -
RFQ
 ECAD 5923 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SF1601 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 975 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 80pf @ 4V, 1MHz
1N4001GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001GH 0.0737
RFQ
 ECAD 2345 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1N4001GHTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 50 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
RS1GLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation rs1glwhrvg 0.5200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W Rs1g 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
US1B R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1B R3G 0.5700
RFQ
 ECAD 144 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA US1B 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
TSM2NB60CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM2NB60CH C5G -
RFQ
 ECAD 4910 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1a, 10V 4.5V @ 250µA 9.4 NC @ 10 v ± 30V 249 pf @ 25 v - 44W (TC)
BZX79C4V7 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C4V7 A0G -
RFQ
 ECAD 1166 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
1PGSMA4743 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsMA4743 0.1086
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 ECAD 1281 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsMA4743 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 9.9 v 13 v 10 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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