RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
es1gfs	0.4200	RFQ	6	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-128	es1g	기준		SOD-128	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	35 ns	1 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	16pf @ 4V, 1MHz
1N4743AHA0G	-	RFQ	4199	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4743		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							5 µa @ 35.8 v				13 v	80 옴
MMSZ5242B	0.0433	RFQ	6538	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	MMSZ5242		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MMSZ5242BTR	귀 99	8541.10.0050	6,000					900 mV @ 10 ma		1 µa @ 9.1 v				12 v	30 옴
1N5231B A0G	-	RFQ	3662	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	100 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5231		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v				5.1 v	17 옴
1pgsma130zhr3g	-	RFQ	4436	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1pgsma130		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 98.8 v				130 v	700 옴
BZD27C47P	0.2753	RFQ	2786	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.38%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZD27C47ptr	귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 36 v				47 v	45 옴
SF2L4G B0G	-	RFQ	6312	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SF2L4	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 2 a	35 ns	1 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	40pf @ 4V, 1MHz
S2BA	0.0633	RFQ	4836	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	S2B	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	짐		100 v		1.1 v @ 1.5 a	1.5 µs	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	30pf @ 4V, 1MHz
BZX55B2V4 A0G	-	RFQ	6793	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1 v @ 100 ma		50 µa @ 1 v				2.4 v	85 옴
RS2BAHR3G	-	RFQ	6962	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	RS2B	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	50pf @ 4V, 1MHz
SS29 R5G	-	RFQ	1180	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	SS29	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		90 v		850 mv @ 2 a		100 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
BZX55B75	0.0333	RFQ	1818	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZX55B75TR	귀 99	8541.10.0050	10,000					1 v @ 100 ma		100 na @ 56 v				75 v	170 옴
SR2090HC0G	-	RFQ	3218	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-3	SR2090	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	90 v	20A	900 mV @ 10 a		100 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SS34LWH	0.4100	RFQ	29	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W	SS34	Schottky		SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 3 a		200 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
SFAS803GHMNG	-	RFQ	6545	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SFAS803	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	80pf @ 4V, 1MHz
1pgsmc5351	0.3249	RFQ	9737	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC	1pgsmc		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-1pgsmc5351tr	귀 99	8541.10.0050	3,000							1 µa @ 10.6 v				14 v	3 옴
SS320 V7G	0.5282	RFQ	5607	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	SS320	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 3 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
MMSZ5250B RHG	0.0433	RFQ	9698	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	MMSZ5250		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							100 na @ 15 v				20 v	25 옴
S1GL MTG	-	RFQ	7689	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	S1G	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	짐		400 v		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	9pf @ 4V, 1MHz
sr304h	0.1724	RFQ	3162	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR304	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
SK22A M2G	-	RFQ	6324	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	SK22	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
SFAF1604GHC0G	-	RFQ	4433	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	SFAF1604	기준		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		975 MV @ 16 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	130pf @ 4V, 1MHz
HER308G	0.6100	RFQ	4	대만 대만 회사	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	HER308	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.7 V @ 3 a	75 ns	10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	35pf @ 4V, 1MHz
SF1607G C0G	-	RFQ	7105	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	SF1607	기준		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		500 v		1.7 V @ 8 a	35 ns	10 µa @ 500 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	60pf @ 4V, 1MHz
HS1ML MQG	-	RFQ	2669	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	HS1M	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
BZD27C20PHRVG	-	RFQ	3626	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 15 v				20 v	15 옴
1pgsma4757 R3g	0.4700	RFQ	1	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1pgsma4757		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 38.8 v				51 v	95 옴
sff508gh	0.5973	RFQ	5000	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	sff508	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-sff508gh	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	600 v	5a	1.7 V @ 2.5 a	35 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C
S15JCHR7G	-	RFQ	1599	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S15J	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	짐		600 v		1.1 v @ 15 a		1 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	93pf @ 4v, 1MHz
MBR1545CTH	-	RFQ	1326	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR1545	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	15a	840 mV @ 15 a		500 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²