SIC
close

불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
UF1DH Taiwan Semiconductor Corporation UF1DH 0.1044
RFQ
 ECAD 4140 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF1D 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
BZD27C13PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13PHR3G 0.2933
RFQ
 ECAD 1993 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 2 µa @ 10 v 13.25 v 10 옴
1N4731G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4731G 0.0627
RFQ
 ECAD 8156 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4731 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1N4731GTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.3 v 9 옴
MBRF20200CT C0 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20200CT C0 -
RFQ
 ECAD 3095 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 20A 1.05 V @ 20 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
HER305GH Taiwan Semiconductor Corporation HER305GH 0.2514
RFQ
 ECAD 6491 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-her305ghtr 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 3 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
MTZJ36SD Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ36SD 0.0305
RFQ
 ECAD 9515 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj36 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MTZJ36SDTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 27 v 34.89 v 75 옴
S1J-JR3 Taiwan Semiconductor Corporation S1J-JR3 -
RFQ
 ECAD 4270 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
SR115 R1G Taiwan Semiconductor Corporation SR115 R1G -
RFQ
 ECAD 3596 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR115 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 1 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
1SMA4751 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4751 R3G 0.5700
RFQ
 ECAD 295 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4751 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1 µa @ 22.8 v 30 v 40
BZV55C4V7 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C4V7 L0G 0.0333
RFQ
 ECAD 7051 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 500 na @ 1 v 4.7 v 60 옴
SS24LHRHG Taiwan Semiconductor Corporation SS24LHRHG -
RFQ
 ECAD 5059 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS24 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
MTZJ3V9SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ3V9SB R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 6595 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj3 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 1 v 4.03 v 100 옴
1N5395G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5395G A0G -
RFQ
 ECAD 9227 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5395 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 짐 400 v 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
BAS70-06 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAS70-06 RFG 0.0453
RFQ
 ECAD 4929 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 Schottky SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 70 v 70MA (DC) 1 V @ 15 ma 5 ns 100 na @ 50 v -55 ° C ~ 125 ° C
TSM240N03CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX 0.3118
RFQ
 ECAD 9491 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM240 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM240N03CXTR 귀 99 8541.29.0095 12,000 n 채널 30 v 6.5A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 4.1 NC @ 4.5 v ± 20V 345 pf @ 25 v - 1.56W (TC)
BZD17C16P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C16P 깔개 -
RFQ
 ECAD 9214 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.625% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 12 v 16 v 15 옴
HS3M M6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3M M6G -
RFQ
 ECAD 8129 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC HS3M 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
BC338-25 B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-25 B1 -
RFQ
 ECAD 4709 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92 - 영향을받지 영향을받지 1801-BC338-25B1 쓸모없는 1 25 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 5V 100MHz
HS5B M6G Taiwan Semiconductor Corporation HS5B M6G -
RFQ
 ECAD 9866 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC HS5B 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 5 a 50 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 80pf @ 4V, 1MHz
S4J R6G Taiwan Semiconductor Corporation S4J R6g -
RFQ
 ECAD 5013 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S4JR6GTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 600 v 1.15 V @ 4 a 1.5 µs 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 60pf @ 4V, 1MHz
S1JLH Taiwan Semiconductor Corporation s1jlh 0.4700
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1J 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
SS39HR7G Taiwan Semiconductor Corporation SS39HR7G -
RFQ
 ECAD 1376 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SS39 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 3 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
UDZS30B RRG Taiwan Semiconductor Corporation UDZS30B RRG 0.0416
RFQ
 ECAD 7103 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F UDZS30 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 45 NA @ 23 v 30 v 100 옴
MBR10H150CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR10H150CT 1.1100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR10 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 970 MV @ 10 a 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
S1JFL Taiwan Semiconductor Corporation s1jfl 0.0719
RFQ
 ECAD 5657 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-S1JFLTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
BZT52C75K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C75K RKG 0.0511
RFQ
 ECAD 7082 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 57 v 75 v 255 옴
SS29LHM2G Taiwan Semiconductor Corporation SS29LHM2G -
RFQ
 ECAD 4032 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS29 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mv @ 2 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
RS1GFS Taiwan Semiconductor Corporation RS1GFS 0.0528
RFQ
 ECAD 9718 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 Rs1g 기준 SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
HS1ML RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1ML RVG 0.6300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab HS1M 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
1SMA5956 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5956 0.0944
RFQ
 ECAD 5619 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5956 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 500 NA @ 152 v 200 v 1200 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다