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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
SK810C R7G	-	RFQ	4811	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK810	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		900 mV @ 8 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
BZD27C47P MHG	-	RFQ	3534	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.38%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 36 v						47 v	45 옴
SRAF890 C0G	-	RFQ	3460	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	SRAF890	Schottky		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													90 v		850 mV @ 8 a		500 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
simlr2g	-	RFQ	2883	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			-	-	simlr2	-		-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	-																		-	-	-
MBR2050PTHC0G	-	RFQ	3657	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-247-3	MBR2050	Schottky		TO-247AD (TO-3P)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	50 v	20A	950 MV @ 20 a		100 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZV55B33	0.0357	RFQ	2658	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55B		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZV55B33TR	귀 99	8541.10.0050	10,000																1 v @ 100 ma		100 na @ 24 v						33 v	80 옴
SS110L RVG	0.0795	RFQ	8580	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS110	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		800 mv @ 1 a		50 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
SK39BHM4G	-	RFQ	3501	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK39	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													90 v		850 mV @ 3 a		100 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
TSD1G	0.3700	RFQ	650	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	TSD1	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	짐													400 v				1 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	14pf @ 4V, 1MHz
TSM180N03PQ33	0.4140	RFQ	6335	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	TSM180	MOSFET (금속 (()		8-PDFN (3.1x3.1)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TSM180N03PQ33TR	귀 99	8541.29.0095	10,000		n 채널	30 v	25A (TC)	4.5V, 10V	18mohm @ 12a, 10V	2.5V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 v	± 20V	345 pf @ 25 v	-	21W (TC)
BZD27C56P	0.2753	RFQ	6231	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	± 7.14%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 43 v						56 v	60 옴
BZT55B3V3 L1G	-	RFQ	6402	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZT55		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																1 V @ 10 ma		2 µa @ 1 v						3.3 v	85 옴
SS315 R6	-	RFQ	6945	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SS315R6TR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v		950 MV @ 3 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
HER108G R1G	-	RFQ	3304	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	HER108	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1000 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
HT12G A0G	-	RFQ	6007	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	T-18, 축,	HT12	기준		TS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
DBLS104GH	0.2715	RFQ	5243	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DBLS104	기준		DBLS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500																1.1 v @ 1 a		2 µa @ 400 v		1 a		단일 단일	400 v
BZX585B39 RKG	-	RFQ	2499	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX585B3		200 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		45 NA @ 27.3 v						39 v	130 옴
SS115L	0.6800	RFQ	20	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS115	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v		900 mV @ 1 a		50 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
UF4004HB0G	-	RFQ	6006	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4004	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
UF4007	0.5300	RFQ	5	대만 대만 회사	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4007	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1000 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
1N5404GH	0.1394	RFQ	4512	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5404	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	짐													400 v		1 V @ 3 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	25pf @ 4V, 1MHz
SF46G B0G	-	RFQ	1999	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF46	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.3 V @ 4 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	80pf @ 4V, 1MHz
1N4740G R1G	-	RFQ	9159	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TA)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4740		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 9.9 v						10 v	10 옴
BYG21MH	0.1011	RFQ	3729	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	BYG21	눈사태		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1000 v		1.6 V @ 1.5 a	120 ns	1 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	13pf @ 4V, 1MHz
ES2BA	0.1769	RFQ	9200	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA		기준		DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-es2batr	귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		950 MV @ 2 a	35 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	25pf @ 4V, 1MHz
s3jalh	0.5000	RFQ	6363	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드		기준		SMA	다운로드		1 (무제한)					14,000	짐													600 v		1.1 v @ 3 a		1 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	14pf @ 4V, 1MHz
1N4001G	0.1002	RFQ	20	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-1N4001GTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	짐													50 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
MUR310SBH	0.2286	RFQ	5940	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	MUR310	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MUR310SBHTR	귀 99	8541.10.0080	6,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		900 mV @ 3 a	25 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
SR105 R1G	-	RFQ	2058	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SR105	Schottky		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		700 mv @ 1 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
SS23 R5G	-	RFQ	5093	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	SS23	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v		500 mV @ 2 a		400 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²