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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
1N4007GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4007GHR1G -
RFQ
ECAD 8178 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4007 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 1000 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
S8MCHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S8MCHM6G -
RFQ
ECAD 2004 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S8MC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1000 v 985 MV @ 8 a 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 48pf @ 4V, 1MHz
SF68G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SF68G R0G 0.2960
RFQ
ECAD 5168 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF68 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 6 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 50pf @ 4V, 1MHz
6A20G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A20G A0G -
RFQ
ECAD 6306 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, 6A20 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 700 200 v 1 V @ 6 a 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
SR502HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR502HB0G -
RFQ
ECAD 7557 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR502 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 125 ° C 5a -
SF35GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF35GHB0G -
RFQ
ECAD 1895 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF35 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 v @ 3 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
S1DLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation s1dlshrvg -
RFQ
ECAD 9031 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H S1D 기준 SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 200 v 1.3 V @ 1.2 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.2A -
BC547C B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC547C B1 -
RFQ
ECAD 6204 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 영향을받지 영향을받지 1801-BC547CB1 쓸모없는 1 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN - 420 @ 2MA, 5V -
1PGSMC5366HR7G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5366hr7g -
RFQ
ECAD 6682 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 500 NA @ 29.7 v 39 v 14 옴
S2KA Taiwan Semiconductor Corporation S2KA 0.0633
RFQ
ECAD 2894 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S2K 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 800 v 1.1 v @ 1.5 a 1.5 µs 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 30pf @ 4V, 1MHz
S10MCHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S10MCHM6G -
RFQ
ECAD 5200 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S10M 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1000 v 1.1 v @ 10 a 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
SFF501G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF501G C0G -
RFQ
ECAD 4707 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF501 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 980 MV @ 2.5 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 70pf @ 4V, 1MHz
HS3K R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS3K R7G -
RFQ
ECAD 1435 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC HS3K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
BZS55B3V6 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B3V6 래그 -
RFQ
ECAD 7458 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-BZS55B3V6RAGTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 2 µa @ 1 v 3.6 v 85 옴
BZD27C220P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220P 깔개 0.3150
RFQ
ECAD 1584 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 160 v 220.5 v 900 옴
2M160ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M160ZHB0G -
RFQ
ECAD 5635 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M160 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 500 NA @ 121.6 v 160 v 650 옴
SS25LHM2G Taiwan Semiconductor Corporation SS25LHM2G -
RFQ
ECAD 7576 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS25 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BA157G A0G Taiwan Semiconductor Corporation BA157G A0G -
RFQ
ECAD 7795 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BA157 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BAV101 L0G Taiwan Semiconductor Corporation bav101 l0g 0.0361
RFQ
ECAD 7155 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 bav101 기준 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 250 v 1 v @ 100 ma 100 na @ 200 v -65 ° C ~ 200 ° C 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
1N4749G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4749G A0G -
RFQ
ECAD 4319 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4749 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 18.2 v 24 v 25 옴
1N4754AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4754AHR1G -
RFQ
ECAD 5687 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4754 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 29.7 v 39 v 60 옴
MBRS2545CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2545CTHMNG -
RFQ
ECAD 8203 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS2545 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 25A 820 MV @ 20 a 200 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
SRAF840HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF840HC0G -
RFQ
ECAD 9793 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SRAF840 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 8 a 100 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
ES15DLWH Taiwan Semiconductor Corporation es15dlwh 0.4800
RFQ
ECAD 19 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W ES15 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1.5 a 35 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 24pf @ 4V, 1MHz
1N4935G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4935G R1G -
RFQ
ECAD 8599 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4935 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
MBR760 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR760 C0G -
RFQ
ECAD 7727 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR760 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750MV @ 7.5 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 7.5A -
BZD27C43PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C43PHRTG -
RFQ
ECAD 7276 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 33 v 43 v 45 옴
BZD27C91PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C91PHRFG -
RFQ
ECAD 7587 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 68 v 90.5 v 200 옴
SF41G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SF41G R0G -
RFQ
ECAD 6643 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF41 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 4 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 100pf @ 4V, 1MHz
ZM4750A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4750A L0G 0.0830
RFQ
ECAD 8393 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF ZM4750 1 W. 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 20.6 v 27 v 35 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고