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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZS55B3V6 래그	-	RFQ	7458	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)	BZS55		500MW	1206	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-BZS55B3V6RAGTR	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 10 ma		2 µa @ 1 v				3.6 v	85 옴
BZD27C220P 깔개	0.3150	RFQ	1584	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.66%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 160 v				220.5 v	900 옴
2M160ZHB0G	-	RFQ	5635	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M160		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000							500 NA @ 121.6 v				160 v	650 옴
BA157G A0G	-	RFQ	7795	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BA157	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.2 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
bav101 l0g	0.0361	RFQ	7155	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	bav101	기준		미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		250 v		1 v @ 100 ma		100 na @ 200 v	-65 ° C ~ 200 ° C	200ma	4pf @ 0V, 1MHz
1N4749G A0G	-	RFQ	4319	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TA)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4749		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 18.2 v				24 v	25 옴
1N4754AHR1G	-	RFQ	5687	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4754		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000							5 µa @ 29.7 v				39 v	60 옴
MBRS2545CTHMNG	-	RFQ	8203	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRS2545	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	25A	820 MV @ 20 a		200 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SRAF840HC0G	-	RFQ	9793	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	SRAF840	Schottky		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 8 a		100 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	8a	-
es15dlwh	0.4800	RFQ	19	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W	ES15	기준		SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 1.5 a	35 ns	1 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	24pf @ 4V, 1MHz
1N4935G R1G	-	RFQ	8599	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4935	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
MBR760 C0G	-	RFQ	7727	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	MBR760	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		750MV @ 7.5 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	7.5A	-
BZD27C43PHRTG	-	RFQ	7276	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.97%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 33 v				43 v	45 옴
BZD27C91PHRFG	-	RFQ	7587	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.07%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 68 v				90.5 v	200 옴
SF41G R0G	-	RFQ	6643	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF41	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1 V @ 4 a	35 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	100pf @ 4V, 1MHz
ZM4750A L0G	0.0830	RFQ	8393	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AB, MELF	ZM4750		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000							5 µa @ 20.6 v				27 v	35 옴
BZT52C10	0.0412	RFQ	3571	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	BZT52C		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT52C10TR	귀 99	8541.10.0050	6,000					1 V @ 10 ma		180 na @ 7 v				10 v	20 옴
HS2A	-	RFQ	5653	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB		기준		DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-HS2AT	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	50pf @ 4V, 1MHz
BZD27C110PWH	0.1191	RFQ	8310	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123W	BZD27		1 W.	SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1 v @ 200 ma		1 µa @ 82 v				110 v	250 옴
1SMB5932 R5G	-	RFQ	1072	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	1SMB5932		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	850							1 µa @ 15.2 v				20 v	14 옴
TSZU52C30	0.0669	RFQ	3490	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	0603 (1608 메트릭)	TSZU52		150 MW	0603	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-tszu52c30tr	귀 99	8541.10.0050	20,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 23 v				30 v	80 옴
S3G R6	-	RFQ	1616	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-S3GR6TR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		400 v		1.15 V @ 3 a	1.5 µs	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
ESH3C R6	-	RFQ	4184	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-esh3cr6tr	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		900 mV @ 3 a	20 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
S5KBHR5G	-	RFQ	4683	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	S5K	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.1 v @ 5 a		10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	40pf @ 4V, 1MHz
RSFAL M2G	-	RFQ	1721	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RSFAL	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.3 v @ 500 ma	150 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
ESH1D	0.0869	RFQ	6517	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ESH1	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		900 mV @ 1 a	15 ns	1 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	16pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5234B	0.0433	RFQ	7580	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	MMSZ5234		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MMSZ5234BTR	귀 99	8541.10.0050	6,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 4 v				6.2 v	7 옴
SS26LHM2G	-	RFQ	9942	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS26	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 2 a		400 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
2M19ZHB0G	-	RFQ	6856	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M19		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000							500 NA @ 14.4 v				19 v	11 옴
BZD17C200P RHG	-	RFQ	2791	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 150 v				200 v	750 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²