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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
TUAS8MH Taiwan Semiconductor Corporation tuas8mh 0.2565
RFQ
 ECAD 9591 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn tuas8 기준 smpc4.6u 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tuas8mhtr 귀 99 8541.10.0080 6,000 짐 1000 v 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 54pf @ 4V, 1MHz
TSM340N06CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM340N06CI C0G -
RFQ
 ECAD 5863 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MOSFET (금속 (() ITO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TSM340N06CIC0G 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 30A (TC) 4.5V, 10V 34mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 16.6 NC @ 10 v ± 20V 1180 pf @ 30 v - 27W (TC)
SK810C R7G Taiwan Semiconductor Corporation SK810C R7G -
RFQ
 ECAD 4811 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK810 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 8 a 500 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
SK39BHM4G Taiwan Semiconductor Corporation SK39BHM4G -
RFQ
 ECAD 3501 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SK39 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 3 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
TSD1G Taiwan Semiconductor Corporation TSD1G 0.3700
RFQ
 ECAD 650 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA TSD1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 짐 400 v 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 14pf @ 4V, 1MHz
SRAF890 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF890 C0G -
RFQ
 ECAD 3460 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SRAF890 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 8 a 500 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
SRA10150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA10150HC0G -
RFQ
 ECAD 6389 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SRA10150 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 10 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
SR1202HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1202HA0G -
RFQ
 ECAD 3890 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR1202 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 12 a 500 µa @ 20 v -50 ° C ~ 150 ° C 12a -
BZT55B3V3 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B3V3 L1G -
RFQ
 ECAD 6402 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 2 µa @ 1 v 3.3 v 85 옴
HER107G R1G Taiwan Semiconductor Corporation HER107G R1G -
RFQ
 ECAD 3100 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 HER107 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SS115L Taiwan Semiconductor Corporation SS115L 0.6800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS115 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 1 a 50 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SS210L RUG Taiwan Semiconductor Corporation SS210L l 0.2888
RFQ
 ECAD 8875 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS210 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 2 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SFAF1606G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1606G C0G -
RFQ
 ECAD 8654 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF1606 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 16 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 100pf @ 4V, 1MHz
SS29L Taiwan Semiconductor Corporation SS29L 0.1155
RFQ
 ECAD 2900 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 SS29 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS29LTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mv @ 2 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
MBR2050PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2050PTHC0G -
RFQ
 ECAD 3657 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR2050 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 20A 950 MV @ 20 a 100 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N5404GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N5404GH 0.1394
RFQ
 ECAD 4512 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5404 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 짐 400 v 1 V @ 3 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1MHz
S5B V7G Taiwan Semiconductor Corporation S5B V7G 1.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 컷 컷 (CT) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S5B 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 짐 100 v 1.15 V @ 5 a 1.5 µs 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 60pf @ 4V, 1MHz
BZX85C3V9 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C3V9 0.0645
RFQ
 ECAD 2633 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX85C3V9TR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 10 ma 20 µa @ 1 v 3.9 v 15 옴
S1MBH Taiwan Semiconductor Corporation S1MBH 0.0964
RFQ
 ECAD 3783 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S1MB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 1000 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
SR105 R1G Taiwan Semiconductor Corporation SR105 R1G -
RFQ
 ECAD 2058 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR105 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
MBRF16H45 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF16H45 -
RFQ
 ECAD 4317 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 Schottky ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-MBRF16H45 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 630 mv @ 16 a 500 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
ES3AH Taiwan Semiconductor Corporation es3ah -
RFQ
 ECAD 2425 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-es3ahtr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 3 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
BZX79B39 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B39 A0G -
RFQ
 ECAD 5527 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 27.3 ma @ 50 mV 39 v 130 옴
SRF2040 Taiwan Semiconductor Corporation SRF2040 0.5661
RFQ
 ECAD 4378 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SRF2040 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 20A 550 mV @ 10 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C
1N4740G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4740G R1G -
RFQ
 ECAD 9159 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4740 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 9.9 v 10 v 10 옴
BZT52B10S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B10 0.0340
RFQ
 ECAD 8716 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B10str 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 180 na @ 7 v 10 v 20 옴
HS3KH Taiwan Semiconductor Corporation HS3KH 0.2152
RFQ
 ECAD 5494 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HS3KHTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
BYG21MH Taiwan Semiconductor Corporation BYG21MH 0.1011
RFQ
 ECAD 3729 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYG21 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.6 V @ 1.5 a 120 ns 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 13pf @ 4V, 1MHz
SF46G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF46G B0G -
RFQ
 ECAD 1999 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF46 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 4 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 80pf @ 4V, 1MHz
BZD27C39PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39PHRFG -
RFQ
 ECAD 2951 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 30 v 39 v 40
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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