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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전류 - 출력 피크 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 파괴 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 현재 - 오버 브레이크
MMSZ5229B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5229B RHG 0.0433
RFQ
 ECAD 4593 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F MMSZ5229 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 1 v 4.3 v 22 옴
S2MAH Taiwan Semiconductor Corporation S2MAH 0.0712
RFQ
 ECAD 8596 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-s2mahtr 귀 99 8541.10.0080 15,000 짐 1000 v 1.1 v @ 1.5 a 1.5 µs 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 30pf @ 4V, 1MHz
TSM60NB1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB1R4CP ROG 1.0363
RFQ
 ECAD 4695 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSM60 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 3A (TC) 10V 1.4ohm @ 900ma, 10V 4V @ 250µA 7.12 NC @ 10 v ± 30V 257.3 pf @ 100 v - 28.4W (TC)
SF61G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF61G B0G -
RFQ
 ECAD 3684 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF61 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 975 MV @ 6 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 100pf @ 4V, 1MHz
TSC966CT A3G Taiwan Semiconductor Corporation TSC966CT A3G -
RFQ
 ECAD 3816 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 1 W. To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 400 v 300 MA 1µA NPN 1V @ 5MA, 50MA 100 @ 1ma, 5V 50MHz
HERF1005GH Taiwan Semiconductor Corporation HERF1005GH 0.6155
RFQ
 ECAD 1865 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HERF1005GH 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 10A 1.3 V @ 5 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C43P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C43P R3G -
RFQ
 ECAD 2166 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 33 v 43 v 45 옴
SFF2005G Taiwan Semiconductor Corporation SFF2005G 1.6200
RFQ
 ECAD 440 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF2005 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 V @ 10 a 35 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 90pf @ 4V, 1MHz
BZX84C24 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C24 RFG 0.0511
RFQ
 ECAD 8611 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 16.8 v 24 v 70 옴
SODDB3T RHG Taiwan Semiconductor Corporation SODDB3T RHG 0.4800
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) SOD-123 SODDB3 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 3,000 2 a 30 ~ 34V 15 µA
SS15L MHG Taiwan Semiconductor Corporation SS15L MHG -
RFQ
 ECAD 6416 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS15 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 400 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
S3M R7 Taiwan Semiconductor Corporation S3M R7 -
RFQ
 ECAD 4993 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-s3mr7tr 귀 99 8541.10.0080 850 짐 1000 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
BYG20D Taiwan Semiconductor Corporation BYG20D 0.0999
RFQ
 ECAD 4426 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA byg20 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.4 V @ 1.5 a 75 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
2A05G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A05G A0G 0.0919
RFQ
 ECAD 7687 0.00000000 대만 대만 회사 - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2A05 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1 V @ 2 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1MHz
RS2JAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation rs2jahr3g 0.5200
RFQ
 ECAD 329 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RS2J 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 1.5 a 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 50pf @ 4V, 1MHz
TSM4N70CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N70CP ROG -
RFQ
 ECAD 2351 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 700 v 3.5A (TC) 10V 3.3ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 595 pf @ 25 v - 56W (TC)
TSZU52C7V5 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C7V5 RGG 0.0669
RFQ
 ECAD 2914 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) TSZU52 150 MW 0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
SFAS808G Taiwan Semiconductor Corporation SFAS808G -
RFQ
 ECAD 9211 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SFAS808 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 8 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 60pf @ 4V, 1MHz
BC337-16-B0 B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-16-B0 B1 -
RFQ
 ECAD 5258 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92 - 영향을받지 영향을받지 1801-BC337-16-B0B1 쓸모없는 1 45 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 5V 100MHz
UF1BHR0G Taiwan Semiconductor Corporation UF1BHR0G -
RFQ
 ECAD 3533 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF1B 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
BA158G B0G Taiwan Semiconductor Corporation BA158G B0G -
RFQ
 ECAD 9949 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BA158 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SSH210 Taiwan Semiconductor Corporation SSH210 0.1752
RFQ
 ECAD 6407 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-ssh210tr 귀 99 8541.10.0080 6,000 짐 100 v 790 MV @ 2 a 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
BZX84C13 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C13 0.0511
RFQ
 ECAD 4231 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.54% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX84C13TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
SK23AH Taiwan Semiconductor Corporation SK23AH 0.4900
RFQ
 ECAD 5609 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SK23 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
MUR160AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR160AHB0G -
RFQ
 ECAD 3616 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 MUR160 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 27pf @ 4V, 1MHz
BZD27C36P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36P M2G -
RFQ
 ECAD 2339 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 27 v 36 v 40
BZD17C16P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C16P R3G 0.2625
RFQ
 ECAD 8557 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.625% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 12 v 16 v 15 옴
BZD27C91PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C91PHMHG -
RFQ
 ECAD 4337 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 68 v 90.5 v 200 옴
SFA807GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA807GHC0G -
RFQ
 ECAD 8443 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SFA807 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 8 a 35 ns 10 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 60pf @ 4V, 1MHz
MBRS1050CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1050CT MNG -
RFQ
 ECAD 1374 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1050 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 10A 900 mV @ 10 a 100 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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