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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
S3B R6 Taiwan Semiconductor Corporation S3B R6 -
RFQ
 ECAD 3322 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S3BR6TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 100 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
1N5222B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5222B A0G -
RFQ
 ECAD 3587 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% 100 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5222 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.1 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 2.5 v 30 옴
DBLS201GHRDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS201GHRDG -
RFQ
 ECAD 2106 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS201 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 1.15 V @ 2 a 2 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 50 v
MBRS15150CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS15150CTHMNG -
RFQ
 ECAD 4951 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS15150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 15a 950 MV @ 7.5 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N4759AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4759AHA0G -
RFQ
 ECAD 7619 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4759 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 47.1 v 62 v 125 옴
SS34H Taiwan Semiconductor Corporation SS34H 0.2248
RFQ
 ECAD 4274 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
MBRS2535CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2535CT MNG -
RFQ
 ECAD 5866 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS2535 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 25A 820 MV @ 20 a 200 µa @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
SFF1004GAHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1004GAHC0G -
RFQ
 ECAD 1592 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF1004 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 200 v 10A (DC) 975 MV @ 5 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
HER156G Taiwan Semiconductor Corporation HER156G 0.1129
RFQ
 ECAD 7365 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 HER156 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1 V @ 1.5 a 75 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
SFF1008GA Taiwan Semiconductor Corporation SFF1008GA 0.5404
RFQ
 ECAD 7361 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF1008 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 600 v 10A (DC) 1.7 V @ 5 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS33HR7G Taiwan Semiconductor Corporation SS33HR7G -
RFQ
 ECAD 7074 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SS33 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
MBR2050PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2050PT C0G -
RFQ
 ECAD 3925 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR2050 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 20A 950 MV @ 20 a 100 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
SK83C M6 Taiwan Semiconductor Corporation SK83C M6 -
RFQ
 ECAD 4789 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-sk83cm6tr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 8 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
SSL34H Taiwan Semiconductor Corporation SSL34H 0.3351
RFQ
 ECAD 2787 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 410 MV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
RS2JA Taiwan Semiconductor Corporation RS2JA 0.0731
RFQ
 ECAD 5496 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RS2J 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 1.5 a 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 50pf @ 4V, 1MHz
UF1DHR1G Taiwan Semiconductor Corporation UF1DHR1G -
RFQ
 ECAD 5562 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF1D 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
HERF1003G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERF1003G C0G -
RFQ
 ECAD 7865 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 HERF1003 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 1 V @ 10 a 50 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C120PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120PHRUG -
RFQ
 ECAD 9755 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91 v 120.5 v 300 옴
MTZJ11SC R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ11SC R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 8741 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj11 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 8 v 11.1 v 30 옴
TSM680P06CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM680P06CH X0G 2.0100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK TSM680 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 60 v 18A (TC) 4.5V, 10V 68mohm @ 6a, 10V 2.2V @ 250µA 16.4 NC @ 10 v ± 20V 870 pf @ 30 v - 20W (TC)
BC807-40W RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC807-40W RFG 0.0466
RFQ
 ECAD 5267 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC807 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 80MHz
HS1KL MQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1KL MQG -
RFQ
 ECAD 9236 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab HS1K 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZD27C82PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C82PHMHG -
RFQ
 ECAD 8710 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 62 v 82 v 200 옴
SRT19 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SRT19 A0G -
RFQ
 ECAD 6816 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, SRT19 Schottky TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 800 mv @ 1 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
HS1BL R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1BL R3G -
RFQ
 ECAD 2785 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab HS1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
BZX55C2V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C2V2 0.0287
RFQ
 ECAD 1765 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX55C2V2TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 100 µa @ 1 v 2.2 v 100 옴
ES1JF R2G Taiwan Semiconductor Corporation es1jf r2g -
RFQ
 ECAD 6391 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 ES1J 기준 smaf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
BZX584B16 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B16 RKG -
RFQ
 ECAD 6334 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 11.2 v 16 v 40
MUR1660CT Taiwan Semiconductor Corporation MUR1660CT 0.7305
RFQ
 ECAD 1238 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MUR1660 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 16A 1.5 v @ 8 a 50 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C
S10MC R6 Taiwan Semiconductor Corporation S10MC R6 -
RFQ
 ECAD 4575 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S10MCR6TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 1000 v 1.1 v @ 10 a 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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