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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
MBRF7100 C0G	-	RFQ	9674	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	MBRF7100	Schottky		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		920 MV @ 7.5 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	7.5A	-
TSC741CZ C0G	-	RFQ	7062	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	TSC741		60 W.	TO-220	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50																						450 v	2.5 a			250µA			NPN	2V @ 600MA, 2A	50 @ 100MA, 5V	-
UF4002 R0G	-	RFQ	9864	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4002	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
mbr10150cth	0.5794	RFQ	7817	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR10150	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-mbr10150cth	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	150 v	10A	980 MV @ 10 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
FR101G B0G	-	RFQ	9586	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	FR101	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
ZM4733A L0G	0.0830	RFQ	8935	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AB, MELF	ZM4733		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																		10 µa @ 1 v									5.1 v	7 옴
1T2G	-	RFQ	6700	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	T-18, 축,		기준		TS-1	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-1T2GTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	짐													100 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
SR16150	-	RFQ	3165	대만 대만 회사	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-3	SR16150	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	150 v	16A	1.05 V @ 8 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C10PHMQG	-	RFQ	2829	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.2 v @ 200 ma		7 µa @ 7.5 v									10 v	4 옴
SRT12 A0G	-	RFQ	6561	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	T-18, 축,	SRT12	Schottky		TS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		550 mV @ 1 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
S3JBH	0.1210	RFQ	9505	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	S3J	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐													600 v		1.15 V @ 3 a	1.5 µs	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
TSP15U120S S1G	0.8898	RFQ	3706	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	TSP15	Schottky		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													120 v		750 mV @ 15 a		250 µa @ 120 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-
SR109HB0G	-	RFQ	3262	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SR109	Schottky		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													90 v		850 mv @ 1 a		100 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
UF4003 A0G	-	RFQ	1184	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4003	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
TSM1N45CW RPG	-	RFQ	9504	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET (금속 (()		SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	450 v	500MA (TC)	10V	4.25ohm @ 250ma, 10V	4.25V @ 250µA	6.5 NC @ 10 v	± 30V	235 pf @ 25 v	-	2W (TC)
SFF1604GA-01	-	RFQ	1030	대만 대만 회사	-	대부분	쓸모없는									-				1801-SFF1604GA-01	쓸모없는		1
KBU1003G T0G	-	RFQ	1825	대만 대만 회사	-	쟁반	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBU		기준		KBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	KBU1003GT0G	귀 99	8541.10.0080	500																1.1 v @ 10 a		5 µa @ 200 v		10 a				단일 단일	200 v
BZT55B16	0.0385	RFQ	9223	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-80 변형			500MW	Qmmelf	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT55B16TR	귀 99	8541.10.0050	10,000																1 V @ 10 ma		100 na @ 12 v									16 v	40
1N4935GHB0G	-	RFQ	9213	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4935	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
TSZL52C33-F0 RWG	-	RFQ	9784	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	1005 (2512 25)			200 MW	1005	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-TSZL52C33-F0RWGTR	귀 99	8541.10.0050	4,000																900 mV @ 10 ma		100 na @ 25 v									33 v	80 옴
BZD17C120P R3G	-	RFQ	7333	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.41%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 91 v									120 v	300 옴
RS1DFL	0.0729	RFQ	3701	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F		기준		SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-RS1DFLTR	귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		1.05 V @ 1 a	150 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
MBRS6040CT	2.3100	RFQ	192	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRS6040	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	40 v	60a	1.05 V @ 60 a		100 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C
TST10H100CW	1.2930	RFQ	6300	대만 대만 회사	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다			구멍을 구멍을	TO-220-3	TST10	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		700 mv @ 5 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
BZD27C56PHR3G	-	RFQ	1357	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 7.14%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 43 v									56 v	60 옴
MBR7150 C0G	-	RFQ	3778	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	MBR7150	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v		950 MV @ 7.5 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	7.5A	-
MBR1690	-	RFQ	7989	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2		Schottky		TO-220AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-MBR1690	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													90 v		850 mV @ 16 a		300 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	-
BZD17C33P M2G	-	RFQ	2598	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.06%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 24 v									33 v	15 옴
BZT55C2V7 L1G	-	RFQ	7843	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZT55		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																1 V @ 10 ma		10 µa @ 1 v									2.7 v	85 옴
MBR1650	-	RFQ	7292	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2		Schottky		TO-220AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-MBR1650	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		750 mV @ 16 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²