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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
TSM110NB04LCV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04LCV RGG 1.5500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn TSM110 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (3.15x3.1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 9A (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1329 pf @ 20 v - 1.9W (TA), 42W (TC)
HS1DL MQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1DL MQG -
RFQ
ECAD 4533 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab HS1D 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
UGF12J C0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF12J C0G -
RFQ
ECAD 4824 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 UGF12 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2 v @ 12 a 20 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a -
TSM4NB65CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB65CI C0G 1.1907
RFQ
ECAD 6549 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSM4NB65 MOSFET (금속 (() ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 3.37ohm @ 2a, 10V 4.5V @ 250µA 13.46 NC @ 10 v ± 30V 549 pf @ 25 v - 70W (TC)
BC847BW Taiwan Semiconductor Corporation BC847BW 0.0357
RFQ
ECAD 8663 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC847 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BC847BWTR 귀 99 8541.21.0075 18,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
FR206G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR206G A0G -
RFQ
ECAD 7530 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR206 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 V @ 2 a 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1MHz
BZD27C16PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16PHRHG -
RFQ
ECAD 4760 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 12 v 16.2 v 15 옴
ES1FLHRFG Taiwan Semiconductor Corporation es1flhrfg -
RFQ
ECAD 2454 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab es1f 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
2A06GH Taiwan Semiconductor Corporation 2A06GH 0.0760
RFQ
ECAD 9826 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2A06 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 800 v 1 V @ 2 a 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1MHz
SF24GH Taiwan Semiconductor Corporation SF24GH 0.1234
RFQ
ECAD 9696 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SF24 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 2 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 40pf @ 4V, 1MHz
BC550A A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC550A A1 -
RFQ
ECAD 6984 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 500MW To-92 다운로드 영향을받지 영향을받지 1801-BC550AA1TB 쓸모없는 1 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN - 110 @ 2MA, 5V -
1SMB5953 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5953 0.1467
RFQ
ECAD 9590 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5953 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 114 v 150 v 600 옴
1PGSMA4744HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4744hr3g -
RFQ
ECAD 5333 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma4744 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 11.4 v 15 v 14 옴
ES1LG R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1LG R3G -
RFQ
ECAD 7668 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA ES1L 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 18pf @ 4V, 1MHz
MBRS1545CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1545CT -
RFQ
ECAD 2968 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1545 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 840 mV @ 15 a 100 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
TSA894CT B0 Taiwan Semiconductor Corporation TSA894CT B0 -
RFQ
ECAD 5503 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W. To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TSA894CTB0 귀 99 8541.29.0075 2,000 500 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 50ma 150 @ 1ma, 10V 50MHz
BZT55B11 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B11 L1G -
RFQ
ECAD 8479 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 100 na @ 8.2 v 11 v 20 옴
1SMA5935 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5935 0.0935
RFQ
ECAD 7683 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5935 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 500 NA @ 20.6 v 27 v 23 옴
MBR1590CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1590CT C0G -
RFQ
ECAD 5703 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR1590 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 15a 920 MV @ 7.5 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
SR103HR1G Taiwan Semiconductor Corporation sr103hr1g -
RFQ
ECAD 4699 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR103 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZT52C75 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C75 0.0453
RFQ
ECAD 1202 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C75TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 52.5 v 75 v 255 옴
BZT52B7V5S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B7V5S RRG -
RFQ
ECAD 3564 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 900 na @ 5 v 7.5 v 15 옴
BZT52B68 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B68 RHG 0.0453
RFQ
ECAD 7382 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 47.6 v 68 v 240 옴
SR1620PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation sr1620pthc0g -
RFQ
ECAD 8979 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SR1620 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 16A 550 mV @ 8 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C
ES3DB R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES3DB R5G 0.9700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB ES3D 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 3 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 46pf @ 4V, 1MHz
ESH2B R5G Taiwan Semiconductor Corporation ESH2B R5G -
RFQ
ECAD 9041 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB ESH2 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 2 a 20 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
SFAF501GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF501GHC0G -
RFQ
ECAD 1377 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF501 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 975 MV @ 5 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 70pf @ 4V, 1MHz
SFAF808GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF808GHC0G -
RFQ
ECAD 1142 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF808 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 8 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 60pf @ 4V, 1MHz
FR301G R0G Taiwan Semiconductor Corporation FR301G R0G -
RFQ
ECAD 3055 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 FR301 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
MBR20100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR20100ct 1.4200
RFQ
ECAD 826 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR20100 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 950 MV @ 20 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고