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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
MBR20150CTC0	-	RFQ	8290	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR20150	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	150 v	20A	1.23 V @ 20 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
HER107G A0G	0.1217	RFQ	5100	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	HER107	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
es1jlhmqg	-	RFQ	6674	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	ES1J	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
1SS400 RSG	-	RFQ	2708	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-79, SOD-523	1SS400	기준		SOD-523F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	8,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													100 v		1.2 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C	200ma	4pf @ 500mv, 1MHz
1pgsmc5357 m6g	-	RFQ	7210	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC	1pgsmc		5 w	DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-1pgsmc5357m6gtr	귀 99	8541.10.0050	3,000																		500 NA @ 15.2 v						20 v	3 옴
BZD27C12P M2G	-	RFQ	4533	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.39%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500																1.2 v @ 200 ma		3 µa @ 9.1 v						12.05 v	7 옴
ZM4744A L0G	0.0830	RFQ	9538	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AB, MELF	ZM4744		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																		5 µa @ 11.4 v						15 v	14 옴
S2KH	0.0935	RFQ	2337	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	S2K	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐													800 v		1.15 V @ 2 a	1.5 µs	1 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
TSF20H150C-S	1.0686	RFQ	2899	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	TSF20	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v		920 MV @ 10 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
TSM085NB03CV RGG	1.5100	RFQ	10	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	TSM085	MOSFET (금속 (()		8-PDFN (3.15x3.1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널	30 v	11A (TA), 58A (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 11a, 10V	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	1101 pf @ 15 v	-	1.92W (TA), 52W (TC)
HS1F R3G	-	RFQ	8499	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	HS1F	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													300 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
BZV55C13	0.0499	RFQ	8098	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55C		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZV55C13TR	귀 99	8541.10.0050	2,500																1 V @ 10 ma		100 na @ 10 v						13 v	26 옴
TS4K60	0.4632	RFQ	9655	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBL	TS4K60	기준		TS4K	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	20																1 V @ 2 a		10 µa @ 600 v		4 a		단일 단일	600 v
MMSZ5231B RHG	0.0433	RFQ	9689	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	MMSZ5231		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		5 µa @ 2 v						5.1 v	17 옴
HS2FA	0.0948	RFQ	1305	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	HS2F	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													300 v		1 V @ 1.5 a	50 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	50pf @ 4V, 1MHz
SRF16150HC0G	-	RFQ	8005	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	SRF16150	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	150 v	16A	550 mV @ 8 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 125 ° C
SS315ALH	0.1338	RFQ	8429	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	SS315	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-SS315ALHTR	귀 99	8541.10.0080	14,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v		950 MV @ 3 a		10 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	54pf @ 4V, 1MHz
UF4002HR0G	-	RFQ	1360	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4002	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
SR2040PTHC0G	-	RFQ	5776	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	SR2040	기준		TO-247AD (TO-3P)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	40 v	20A	550 mV @ 10 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C
TSM480P06CP ROG	1.6100	RFQ	18	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	TSM480	MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	60 v	20A (TC)	4.5V, 10V	48mohm @ 8a, 10V	2.2V @ 250µA	22.4 NC @ 10 v	± 20V	1250 pf @ 30 v	-	66W (TC)
s1gh	0.3900	RFQ	14	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	S1G	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	짐													400 v		1.1 v @ 1 a	1.5 µs	1 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz
2A04GHA0G	-	RFQ	8217	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2A04	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	짐													400 v		1 V @ 2 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	15pf @ 4V, 1MHz
bzy55b9v1 Ryg	0.0486	RFQ	2147	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0805 (2012 5)	bzy55		500MW	0805	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1.5 v @ 10 ma		100 na @ 6.8 v						9.1 v	10 옴
TSPB15U45S S1G	0.7845	RFQ	5319	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	TSPB15	Schottky		smpc4.0	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													45 v		560 mV @ 15 a		300 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-
TSM4N70CI C0G	-	RFQ	7046	대만 대만 회사	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭		MOSFET (금속 (()		ITO-220AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	700 v	3.5A (TC)	10V	3.3ohm @ 2a, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 30V	595 pf @ 25 v	-	56W (TC)
BZD27C130P R3G	-	RFQ	9313	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.41%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 100 v						132.5 v	300 옴
FR154G A0G	-	RFQ	5965	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FR154	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
RSFGL RHG	-	RFQ	8977	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RSFGL	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.3 v @ 500 ma	150 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
S12MCHM6G	-	RFQ	1250	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S12M	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐													1000 v		1.1 v @ 12 a		1 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	12a	78pf @ 4V, 1MHz
SF804G C0G	-	RFQ	8901	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	SF804	기준		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		975 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	70pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²