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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
1N4752A A0G	-	RFQ	1074	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4752		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							5 µa @ 25.1 v							33 v	45 옴
1N4755A B0G	-	RFQ	1029	대만 대만 회사	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4755		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000							5 µa @ 32.7 v							43 v	70 옴
SS24M	0.4800	RFQ	97	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 리드	SS24	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	12,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		600 mV @ 2 a		150 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	35pf @ 4V, 1MHz
RS1JL M2G	0.0682	RFQ	2081	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RS1J	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 v @ 800 ma	250 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	800ma	10pf @ 4V, 1MHz
SR810HB0G	-	RFQ	9138	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR810	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		920 MV @ 8 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
SRAS20150H	1.1442	RFQ	4536	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SRAS20150	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		1.02 V @ 20 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	-
BZD27C22PHM2G	-	RFQ	3186	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.66%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 16 v							22.05 v	15 옴
SR310H	0.1785	RFQ	2840	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR310	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 3 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
MUR160	0.1366	RFQ	4178	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	MUR160	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.25 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	27pf @ 4V, 1MHz
TS13005CK C0G	0.5700	RFQ	4	대만 대만 회사	-	튜브	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3	TS13005			TO-126	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50											400 v	3 a	10µA			NPN	1V @ 200MA, 1A	24 @ 425MA, 2V	-
S3J	0.1516	RFQ	9580	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S3J	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		600 v			1.5 µs	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
MBR2535CTHC0G	-	RFQ	2263	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR2535	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	35 v	25A	850 mV @ 25 a		200 µa @ 35 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1pgsma150z	0.1086	RFQ	1962	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1pgsma150		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 114 v							150 v	1000 옴
RB751M5-40	0.0293	RFQ	8869	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-79, SOD-523		Schottky		SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-RB751M5-40TR	귀 99	8541.10.0070	8,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		370 mV @ 1 ma		500 NA @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	30ma	2pf @ 1v, 1MHz
S2DH	0.0935	RFQ	2279	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	S2D	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		200 v		1.15 V @ 2 a	1.5 µs	1 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
BZT52C3V6-G RHG	0.0445	RFQ	3153	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52C		350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v							3.6 v	90 옴
tuas8j	0.6900	RFQ	2	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	tuas8	기준		smpc4.6u	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	짐		600 v		1.1 v @ 8 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	62pf @ 4V, 1MHz
SF802G C0G	-	RFQ	3843	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	SF802	기준		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		975 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	70pf @ 4V, 1MHz
BZD27C33PHRTG	-	RFQ	4062	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.06%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 24 v							33 v	15 옴
BC548C A1	-	RFQ	6297	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드			500MW	To-92	다운로드			영향을받지 영향을받지	1801-BC548CA1TB	쓸모없는		1											30 v	100 MA	15NA (ICBO)			NPN	-	420 @ 2MA, 5V	-
BZD27C12P MHG	-	RFQ	4696	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.39%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		3 µa @ 9.1 v							12.05 v	7 옴
1N4934GHB0G	-	RFQ	6937	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4934	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
1N4747A A0G	-	RFQ	2510	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4747		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							5 µa @ 15.2 v							20 v	60 옴
HER106G	0.0981	RFQ	9578	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	HER106	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
RS2KFL	0.0888	RFQ	6148	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F		기준		SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-RS2KFLTR	귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.3 V @ 2 a	250 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	9pf @ 4V, 1MHz
BZX85C4V3 R0G	0.0645	RFQ	4705	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BZX85		1.3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 10 ma		3 µa @ 1 v							4.3 v	13 옴
S4K R6g	-	RFQ	3650	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-S4KR6GTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		800 v		1.15 V @ 4 a	1.5 µs	10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	60pf @ 4V, 1MHz
SFF1001GHC0G	-	RFQ	8802	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	SFF1001	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 양극 양극 공통	50 v	10A (DC)	975 MV @ 5 a	35 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C
TSSD20L100SW	0.8805	RFQ	2608	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	TSSD20	Schottky		TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TSSD20L100SWTR	귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		870 mV @ 20 a		50 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	1000pf @ 4V, 1MHz
SF64G R0G	0.2829	RFQ	5032	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF64	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		975 MV @ 6 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²