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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
S1KLHRHG	-	RFQ	4800	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	S1K	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		짐		800 v		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	9pf @ 4V, 1MHz
UG1008GH	1.2700	RFQ	807	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	UG1008	기준		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	600 v	10A	1.7 V @ 5 a	30 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C
sff504g	0.5374	RFQ	1863	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	SFF504	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		980 MV @ 2.5 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	70pf @ 4V, 1MHz
es1alhr3g	-	RFQ	4467	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	ES1A	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
SS36LHR3G	-	RFQ	3487	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS36	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		750 mV @ 3 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
1N4745AHR1G	-	RFQ	9879	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4745		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000								5 µa @ 12.2 v						16 v	23 옴
SFAF802GHC0G	-	RFQ	3084	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	SFAF802	기준		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		950 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	90pf @ 4V, 1MHz
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uf1j a0g	-	RFQ	4487	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF1J	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
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HS3AB R5G	-	RFQ	5416	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	HS3A	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1 V @ 3 a	50 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	80pf @ 4V, 1MHz
BZT52B62S RRG	-	RFQ	7236	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52B		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1 V @ 10 ma		45 NA @ 43.4 v						62 v	215 옴
ZM4755A L0G	0.0830	RFQ	5631	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AB, MELF	ZM4755		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000								5 µa @ 32.7 v						43 v	70 옴
ESH2D	0.1380	RFQ	7256	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	ESH2	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		900 mV @ 2 a	20 ns	2 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	25pf @ 4V, 1MHz
SR802H	-	RFQ	8196	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		Schottky		Do-201ad	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SR802HTR	귀 99	8541.10.0080	1,250		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		550 mV @ 8 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	8a	-
US1GHR3G	-	RFQ	8693	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	US1G	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SRA850HC0G	-	RFQ	8150	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	SRA850	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		700 mv @ 8 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
BZX79B7V5 A0G	-	RFQ	5819	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX79		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1.5 v @ 100 ma		5 ma @ 1 v						7.5 v	15 옴
S1KFS	0.0525	RFQ	3233	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-128	S1K	기준		SOD-128	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	14,000		짐		800 v		1.1 v @ 1 a		1 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	9pf @ 4V, 1MHz
KBP205G C2	-	RFQ	8407	대만 대만 회사	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBP		기준		KBP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000						1.2 v @ 2 a		10 µa @ 600 v		2 a		단일 단일	600 v
SRA1640 C0G	-	RFQ	6373	대만 대만 회사	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2	SRA1640	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 16 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	16A	-
1SMA5936H	0.0995	RFQ	4849	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA5936		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500								500 NA @ 22.8 v						30 v	26 옴
es1bal	0.4200	RFQ	3	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	ES1B	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		950 MV @ 1 a	35 ns	1 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	18pf @ 4V, 1MHz
RSFML RFG	-	RFQ	3234	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RSFML	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 v @ 500 ma	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²