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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
TSM60N600CH C5G	0.7222	RFQ	7903	대만 대만 회사	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	TSM60	MOSFET (금속 (()		TO-251 (IPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75		n 채널	600 v	8A (TC)	10V	600mohm @ 4a, 10V	4V @ 250µA	13 nc @ 10 v	± 30V	743 pf @ 100 v	-	83W (TC)
2M6.8Z A0G	-	RFQ	5587	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M6.8		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500																		1 ma @ 5.5 v				6.8 v	1.5 옴
es1fl mhg	-	RFQ	1542	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	es1f	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													300 v		1.3 v @ 1 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	8pf @ 1v, 1MHz
HS3J M6G	-	RFQ	7526	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	HS3J	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.7 V @ 3 a	75 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
1SMB5937H	0.1545	RFQ	3641	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	1SMB5937		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		1 µa @ 25.1 v				33 v	33 옴
F1T2G A1G	-	RFQ	4920	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	T-18, 축,	F1T2	기준		TS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
ES1F R3G	-	RFQ	8172	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	es1f	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													300 v		1.3 v @ 1 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	18pf @ 4V, 1MHz
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SSB44H	0.1725	RFQ	7787	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB		Schottky		DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		500 mV @ 4 a		200 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	235pf @ 4V, 1MHz
SS315HR7G	-	RFQ	9038	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	SS315	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v		950 MV @ 3 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
2M24Z B0G	-	RFQ	2698	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M24		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000																		500 NA @ 18.2 v				24 v	13 옴
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BZT52C36 RHG	0.0412	RFQ	9201	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	BZT52C		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1 V @ 10 ma		45 NA @ 25.2 v				36 v	90 옴
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SK59CHR7G	-	RFQ	3296	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK59	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													90 v		850 mV @ 5 a		300 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
1SMA5943HR3G	-	RFQ	9927	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA5943		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800																		500 NA @ 42.6 v				56 v	86 옴
SFA1002G C0G	-	RFQ	5562	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	SFA1002	기준		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		975 MV @ 10 a	35 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	70pf @ 4V, 1MHz
SK14B	0.1063	RFQ	7971	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK14	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		500 mV @ 1 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
1SMA4755 R3G	-	RFQ	1215	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA4755		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800																		1 µa @ 32.7 v				43 v	70 옴
1N4935GHR0G	-	RFQ	2226	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4935	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
srs1050hmng	-	RFQ	9002	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SRS1050	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	50 v	10A	700 mv @ 5 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MUR190A B0G	-	RFQ	3941	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	MUR190	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													900 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 900 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
RS3A V7G	-	RFQ	4117	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	RS3A	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v			150 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
SR115	0.0795	RFQ	3737	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SR115	Schottky		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v		950 MV @ 1 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
tuau8mh	0.3453	RFQ	7750	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	tuau8	기준		smpc4.6u	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-tuau8mhtr	귀 99	8541.10.0080	6,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1000 v		1.7 V @ 8 a	80 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	43pf @ 4v, 1MHz
BZT52C9V1K	0.0474	RFQ	3922	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52C		200 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT52C9V1KTR	귀 99	8541.10.0050	6,000																		500 na @ 6 v				9.1 v	15 옴
TSM500P02CX RFG	0.9100	RFQ	155	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TSM500	MOSFET (금속 (()		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	4.7A (TC)	1.8V, 4.5V	50mohm @ 3a, 4.5v	800MV @ 250µA	9.6 NC @ 4.5 v	± 10V	850 pf @ 10 v	-	1.56W (TC)
BZD17C220P RQG	-	RFQ	1969	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.68%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 160 v				220 v	900 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²