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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
FR201G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR201G A0G -
RFQ
 ECAD 4294 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR201 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1MHz
RSFALHMHG Taiwan Semiconductor Corporation RSFALHMHG -
RFQ
 ECAD 7677 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFAL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
SF12GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SF12GHR0G -
RFQ
 ECAD 8288 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF12 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
TSM6968SDCA Taiwan Semiconductor Corporation TSM6968SDCA 0.6916
RFQ
 ECAD 8072 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) TSM6968 MOSFET (금속 (() 1.04W (TA) 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM6968SDCART 귀 99 8541.29.0095 12,000 2 n 채널 20V 6.5A (TA) 22mohm @ 6.5a, 4.5v 1V @ 250µA 20NC @ 4.5V 950pf @ 10V 기준
1SMA4757H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4757H 0.0995
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 ECAD 4440 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4757 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1 µa @ 38.8 v 51 v 95 옴
1N4746G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4746G A0G -
RFQ
 ECAD 6843 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4746 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 13.7 v 18 v 20 옴
AZ23C3V9 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C3V9 0.0786
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 ECAD 2726 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-AZ23C3V9tr 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 3.9 v 95 옴
TSM70N1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N1R4CP ROG 0.4660
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 ECAD 1475 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSM70 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 700 v 3.3A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 7.7 NC @ 10 v ± 30V 370 pf @ 100 v - 38W (TC)
SKL13B R5G Taiwan Semiconductor Corporation SKL13B R5G -
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 ECAD 2007 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SKL13 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 390 mV @ 1 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZD27C39P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39P RQG -
RFQ
 ECAD 8948 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 30 v 39 v 40
SK52B M4G Taiwan Semiconductor Corporation SK52B M4G -
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 ECAD 4562 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SK52 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
HER101G R0G Taiwan Semiconductor Corporation HER101G R0G -
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 HER101 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
S1ML MQG Taiwan Semiconductor Corporation S1ML MQG -
RFQ
 ECAD 9945 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1ML 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 짐 1000 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
SS215LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation SS215LHMHG -
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 ECAD 8809 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS215 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 2 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
ES1FHR3G Taiwan Semiconductor Corporation es1fhr3g -
RFQ
 ECAD 4393 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA es1f 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16pf @ 4V, 1MHz
BZD27C220PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220PHRFG -
RFQ
 ECAD 1953 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 160 v 220.5 v 900 옴
MBRF1650HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1650HC0G -
RFQ
 ECAD 1412 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 MBRF1650 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mV @ 16 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
SRT19HA1G Taiwan Semiconductor Corporation srt19ha1g -
RFQ
 ECAD 3436 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, SRT19 Schottky TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 800 mv @ 1 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZD17C33P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C33P R3G 0.2625
RFQ
 ECAD 9165 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 24 v 33 v 15 옴
1N4745AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4745AHR1G -
RFQ
 ECAD 9879 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4745 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 12.2 v 16 v 23 옴
BZD27C8V2P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C8V2P MTG -
RFQ
 ECAD 8959 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 3 v 8.2 v 2 옴
S1KLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation S1KLHRHG -
RFQ
 ECAD 4800 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1K 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 짐 800 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
ES1J R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1J R3G -
RFQ
 ECAD 9368 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA ES1J 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 18pf @ 4V, 1MHz
SS36HR7G Taiwan Semiconductor Corporation SS36HR7G -
RFQ
 ECAD 3577 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SS36 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SFF504G Taiwan Semiconductor Corporation sff504g 0.5374
RFQ
 ECAD 1863 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF504 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 980 MV @ 2.5 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 70pf @ 4V, 1MHz
SFAF802GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF802GHC0G -
RFQ
 ECAD 3084 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF802 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 90pf @ 4V, 1MHz
BZS55C5V6 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C5V6 RXG 0.0340
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 ECAD 1923 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 1 v 5.6 v 30 옴
HS1DL M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS1DL M2G -
RFQ
 ECAD 9980 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab HS1D 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
SS13LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation SS13LHRTG -
RFQ
 ECAD 7622 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS13 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 1 a 400 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
HER201G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER201G B0G -
RFQ
 ECAD 7116 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 HER201 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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