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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
TSM043NB04CZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM043NB04CZ 3.5400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TSM043 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 16A (TA), 124A (TC) 4.3mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 20V 4928 pf @ 20 v - 2W (TA), 125W (TC)
RS3B M6G Taiwan Semiconductor Corporation RS3B M6G -
RFQ
 ECAD 7074 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3B 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZV55C24 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C24 L0G 0.0333
RFQ
 ECAD 7421 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 18 v 24 v 80 옴
MBRS1535CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1535CT MNG -
RFQ
 ECAD 5760 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1535 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 840 mV @ 15 a 100 µa @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
2M11ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M11ZHA0G -
RFQ
 ECAD 1511 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M11 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1 µa @ 8.4 v 11 v 4 옴
BZX79C56 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C56 A0G -
RFQ
 ECAD 7335 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 50 NA @ 39.2 v 56 v 200 옴
BZD27C16P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16P RQG -
RFQ
 ECAD 2742 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 12 v 16.2 v 15 옴
BZX55B9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B9V1 0.0301
RFQ
 ECAD 9789 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX55B9V1TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 6.8 v 9.1 v 10 옴
1SMA4756H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4756H 0.0995
RFQ
 ECAD 2698 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4756 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1 µa @ 35.8 v 47 v 80 옴
RS3DHM6G Taiwan Semiconductor Corporation rs3dhm6g -
RFQ
 ECAD 9921 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3D 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZD27C10P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C10P RFG -
RFQ
 ECAD 4872 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 7 µa @ 7.5 v 10 v 4 옴
MBR10150CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR10150CT 1.1700
RFQ
 ECAD 835 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR1015 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 980 MV @ 10 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
RS1GFS MWG Taiwan Semiconductor Corporation RS1GFS MWG 0.4200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 Rs1g 기준 SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
SD101AW RHG Taiwan Semiconductor Corporation sd101aw rhg 0.0441
RFQ
 ECAD 6378 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 SD101 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 60 v 1 V @ 15 ma 1 ns 200 na @ 60 v -65 ° C ~ 125 ° C 15MA 2pf @ 0V, 1MHz
SSL22 R5G Taiwan Semiconductor Corporation SSL22 R5G -
RFQ
 ECAD 7993 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SSL22 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 410 mv @ 2 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
GPA803 C0G Taiwan Semiconductor Corporation GPA803 C0G -
RFQ
 ECAD 3622 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 GPA803 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 짐 200 v 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 50pf @ 4V, 1MHz
MBRF20100 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20100 C0G -
RFQ
 ECAD 2771 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 MBRF20100 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 20 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
MBRS15150CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRS15150CT-Y 0.4936
RFQ
 ECAD 6711 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS15150 Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBRS15150CT-YTR 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 15a 950 MV @ 7.5 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
SF11GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation sf11ghr1g -
RFQ
 ECAD 3003 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF11 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
TSN525M60HS3G Taiwan Semiconductor Corporation TSN525M60HS3G -
RFQ
 ECAD 3404 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 8-powertdfn TSN525 Schottky 8-PDFN (5x6) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 630 MV @ 25 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
HERAF1006G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF1006G C0G -
RFQ
 ECAD 6271 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 HERAF1006 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 10 a 80 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
SR004HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR004HA0G -
RFQ
 ECAD 4047 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR004 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550MV @ 500 MA 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 500ma 110pf @ 4V, 1MHz
TSM80N950CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N950CI 3.3572
RFQ
 ECAD 1680 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSM80 MOSFET (금속 (() ITO-220 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM80N950CI 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 800 v 6A (TC) 10V 950mohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 19.6 NC @ 10 v ± 30V 691 pf @ 100 v - 25W (TC)
RSFMLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation rsfmlhrvg -
RFQ
 ECAD 9222 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFML 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 500 ma 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
S1KL MHG Taiwan Semiconductor Corporation S1KL MHG -
RFQ
 ECAD 4671 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1K 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 짐 800 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
BZD27C62PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C62PHMQG -
RFQ
 ECAD 3129 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 47 v 62 v 80 옴
1SMB5937 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5937 R5G -
RFQ
 ECAD 8830 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5937 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 25.1 v 33 v 33 옴
MBR40200PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR40200PT 2.0507
RFQ
 ECAD 7408 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR40200 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 40a 1.01 V @ 40 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
TSS0340L RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSS0340L RWG -
RFQ
 ECAD 2232 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 1005 (2512 25) TSS0340 Schottky 1005 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 45 v 370 mV @ 1 ma 1 µa @ 40 v -40 ° C ~ 125 ° C 30ma 1.5pf @ 1v, 1MHz
S1GFSHMWG Taiwan Semiconductor Corporation S1GFSHMWG 0.4600
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 S1G 기준 SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 짐 400 v 1.1 v @ 1 a 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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