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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SFAF2006GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF2006GHC0G -
RFQ
 ECAD 5805 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF2006 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 20 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 150pf @ 4V, 1MHz
SS29LHRQG Taiwan Semiconductor Corporation SS29LHRQG -
RFQ
 ECAD 7890 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS29 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mv @ 2 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
ES2GAH Taiwan Semiconductor Corporation es2gah 0.1257
RFQ
 ECAD 7397 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA ES2G 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
SSL33 M6G Taiwan Semiconductor Corporation SSL33 M6G -
RFQ
 ECAD 7950 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SSL33 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 410 MV @ 3 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
UF1A R0G Taiwan Semiconductor Corporation uf1a r0g -
RFQ
 ECAD 3464 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF1A 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
SF31G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31G R0G -
RFQ
 ECAD 1170 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF31 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 3 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
SS34LHRHG Taiwan Semiconductor Corporation SS34LHRHG -
RFQ
 ECAD 8580 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS34 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
S15GCHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S15GCHM6G -
RFQ
 ECAD 3076 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S15G 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 400 v 1.1 v @ 15 a 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a 93pf @ 4v, 1MHz
6A20GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A20GHR0G -
RFQ
 ECAD 6097 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 R-6, 축, 6A20 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 짐 200 v 1 V @ 6 a 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
S4M M6G Taiwan Semiconductor Corporation S4M M6G -
RFQ
 ECAD 1414 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S4M 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 1000 v 1.15 V @ 4 a 1.5 µs 100 @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 60pf @ 4V, 1MHz
BZT52C33S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C33S RRG -
RFQ
 ECAD 4107 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 23 v 33 v 80 옴
MMSZ5241B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5241B 0.0433
RFQ
 ECAD 7331 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F MMSZ5241 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MMSZ5241BTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 8.4 v 11 v 22 옴
BZD27C16P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16P MHG -
RFQ
 ECAD 4240 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 12 v 16.2 v 15 옴
ZM4746A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4746A L0G 0.0830
RFQ
 ECAD 4503 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF ZM4746 1 W. 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 13.7 v 18 v 20 옴
FR157GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation FR157GHA0G -
RFQ
 ECAD 7457 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR157 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 V @ 1.5 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
S1JBH Taiwan Semiconductor Corporation S1JBH 0.0964
RFQ
 ECAD 5368 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S1J 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
ES1JLHRFG Taiwan Semiconductor Corporation es1jlhrfg -
RFQ
 ECAD 2576 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1J 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
MBRS10100CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS10100CTH 0.5262
RFQ
 ECAD 8232 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS10100 Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBRS10100CTHTR 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 950 MV @ 10 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
S5G M6G Taiwan Semiconductor Corporation S5G M6G -
RFQ
 ECAD 7615 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S5G 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 400 v 1.15 V @ 5 a 1.5 µs 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 60pf @ 4V, 1MHz
BZD27C120PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120PHRHG -
RFQ
 ECAD 9398 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91 v 120.5 v 300 옴
TSM4435BCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4435BCS RLG -
RFQ
 ECAD 7715 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 9.1A (TA) 4.5V, 10V 21mohm @ 9.1a, 10V 3V @ 250µA 3.2 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
HS2DA Taiwan Semiconductor Corporation HS2DA 0.0948
RFQ
 ECAD 9298 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA HS2D 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1.5 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 50pf @ 4V, 1MHz
SR102HR0G Taiwan Semiconductor Corporation sr102hr0g -
RFQ
 ECAD 3067 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR102 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZD17C33P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C33P RVG -
RFQ
 ECAD 5819 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 24 v 33 v 15 옴
BZX84C36 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C36 RFG 0.0511
RFQ
 ECAD 4591 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
TSM043NB04CZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM043NB04CZ 3.5400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TSM043 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 16A (TA), 124A (TC) 4.3mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 20V 4928 pf @ 20 v - 2W (TA), 125W (TC)
RS3B M6G Taiwan Semiconductor Corporation RS3B M6G -
RFQ
 ECAD 7074 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3B 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZV55C24 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C24 L0G 0.0333
RFQ
 ECAD 7421 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 18 v 24 v 80 옴
MBRS1535CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1535CT MNG -
RFQ
 ECAD 5760 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1535 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 840 mV @ 15 a 100 µa @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
2M11ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M11ZHA0G -
RFQ
 ECAD 1511 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M11 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1 µa @ 8.4 v 11 v 4 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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