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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
HS1KL MHG Taiwan Semiconductor Corporation HS1KL MHG -
RFQ
 ECAD 2194 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab HS1K 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
S10GCHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S10GCHM6G -
RFQ
 ECAD 9612 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S10G 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 400 v 1.1 v @ 10 a 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
HS1DFL Taiwan Semiconductor Corporation HS1DFL 0.4100
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F HS1D 기준 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 11pf @ 4V, 1MHz
UF1M A0G Taiwan Semiconductor Corporation UF1M A0G -
RFQ
 ECAD 3726 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF1M 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
SR1620HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1620HC0G -
RFQ
 ECAD 1896 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SR1620 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 16A 550 mV @ 8 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C
SK320AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SK320AHR3G -
RFQ
 ECAD 8892 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA SK320 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 3 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
S1KL RQG Taiwan Semiconductor Corporation S1KL RQG -
RFQ
 ECAD 4205 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1K 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 짐 800 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
BZD27C16PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16PHRUG -
RFQ
 ECAD 3467 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 12 v 16.2 v 15 옴
SF28G Taiwan Semiconductor Corporation SF28G 0.4900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SF28 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
UF4004H Taiwan Semiconductor Corporation UF4004H 0.1044
RFQ
 ECAD 5323 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF4004 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
TSM230N06PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM230N06PQ56 RLG 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TSM230 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 44A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1680 pf @ 20 v - 83W (TC)
MBRF3050CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF3050CT C0G -
RFQ
 ECAD 3596 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF3050 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 30A 900 mV @ 30 a 200 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C100P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C100P RVG 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 75 v 100 v 200 옴
BZS55B11 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B11 RXG -
RFQ
 ECAD 4264 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 8.2 v 11 v 20 옴
MBRS10100CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS10100CT MNG -
RFQ
 ECAD 8711 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS10100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 950 MV @ 10 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
RS5K-T Taiwan Semiconductor Corporation RS5K-T 0.2496
RFQ
 ECAD 3505 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-RS5K-TTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 V @ 5 a 500 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 31pf @ 4V, 1MHz
SFAF807GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF807GHC0G -
RFQ
 ECAD 1482 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF807 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 8 a 35 ns 10 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 60pf @ 4V, 1MHz
SFT14GH Taiwan Semiconductor Corporation sft14gh 0.1016
RFQ
 ECAD 8875 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, SFT14 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
BZV55B27 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B27 0.0357
RFQ
 ECAD 9843 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZV55B27TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 20 v 27 v 80 옴
BZD27C75P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C75P RTG -
RFQ
 ECAD 1286 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 56 v 74.5 v 100 옴
MBRF10200CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10200CTH -
RFQ
 ECAD 7837 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF1020 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 980 MV @ 10 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N4755G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4755G A0G -
RFQ
 ECAD 2770 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4755 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 32.7 v 43 v 70 옴
S1KLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1KLSHRVG 0.0867
RFQ
 ECAD 5506 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H S1K 기준 SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 V @ 1.2 a 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.2A -
MUR190A Taiwan Semiconductor Corporation MUR190A -
RFQ
 ECAD 5025 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-MUR190AT 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 900 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 900 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SR303 Taiwan Semiconductor Corporation SR303 -
RFQ
 ECAD 7586 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 Schottky Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-sr303tr 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 3 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
BZT52B15 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B15 RHG 0.2700
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 10.5 v 15 v 30 옴
BZT52C8V2S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C8V2S 0.0357
RFQ
 ECAD 6438 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C8V2ST 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 630 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
RS1BLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation RS1BLHR3G 0.1932
RFQ
 ECAD 8335 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 800 ma 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
BZT55B18 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B18 L0G 0.0385
RFQ
 ECAD 2787 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 13 v 18 v 50 옴
UG5JHC0G Taiwan Semiconductor Corporation ug5jhc0g -
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 ECAD 6405 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 UG5J 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3 V @ 5 a 20 ns 30 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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