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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
MUR315S	0.2139	RFQ	4393	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	MUR315	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v			25 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
TSA884CX	0.1560	RFQ	1439	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TSA884		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TSA884CXTR	귀 99	8541.21.0095	12,000																						500 v	150 MA			100NA (ICBO)			PNP	500mv @ 10ma, 50ma	150 @ 1ma, 10V	50MHz
1pgsma200zh	0.1156	RFQ	9990	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1pgsma200		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 152 v									200 v	1500 옴
HS5B R7G	-	RFQ	1203	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	HS5B	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		1 V @ 5 a	50 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	80pf @ 4V, 1MHz
BZT55B47 L1G	-	RFQ	8279	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZT55		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																1 V @ 10 ma		100 na @ 35 v									47 v	110 옴
KTC3198-O-B0 B1G	-	RFQ	2976	대만 대만 회사	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			500MW	To-92	다운로드			영향을받지 영향을받지	1801-KTC3198-O-B0B1G	쓸모없는		1																						50 v	150 MA			100NA (ICBO)			NPN	250mv @ 10ma, 100ma	70 @ 150ma, 6V	80MHz
es1dvhr3g	-	RFQ	2341	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES1D	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		920 MV @ 1 a	15 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
BYG20J	0.0999	RFQ	3584	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	byg20	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.4 V @ 1.5 a	75 ns	1 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	-
S3G V7G	-	RFQ	6314	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S3G	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	짐													400 v		1.15 V @ 3 a	1.5 µs	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
BAS21C	0.0523	RFQ	9652	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS21	기준		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BAS21CTR	귀 99	8541.10.0070	6,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												1 음극 음극 공통	250 v	200ma	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
HS2K	0.1101	RFQ	6	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	HS2K	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.7 V @ 2 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
MBR20200CTC0	-	RFQ	1224	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR20200	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	200 v	20A	1.23 V @ 20 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BAT54T-G	0.1224	RFQ	4346	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Bat54	Schottky		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BAT54T-GTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												3 독립	30 v	200ma	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SS14	0.0686	RFQ	1759	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS14	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		500 mV @ 1 a		200 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
ES3J R7G	-	RFQ	9207	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	ES3J	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.7 V @ 3 a	35 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
BZT55C10 L0G	0.0350	RFQ	3399	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZT55		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1 V @ 10 ma		100 na @ 7.5 v									10 v	15 옴
SFAF1007G C0G	-	RFQ	3445	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	SFAF1007	기준		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													500 v		1.7 V @ 10 a	35 ns	10 µa @ 500 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	140pf @ 4V, 1MHz
SFF1004GAH	0.5584	RFQ	8837	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	SFF1004	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-SFF1004GAH	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 양극 양극 공통	200 v	10A	975 MV @ 5 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
TSM650N15CS	2.4192	RFQ	3026	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	TSM650	MOSFET (금속 (()		8-SOP	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TSM650N15CSTR	귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널	150 v	4A (TA), 9A (TC)	6V, 10V	65mohm @ 4a, 10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 v	± 20V	1783 pf @ 75 v	-	2.2W (TA), 12.5W (TC)
ss310fsh	0.1338	RFQ	9524	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-128	SS310	Schottky		SOD-128	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-SS310FSHTR	귀 99	8541.10.0080	14,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		880 mV @ 3 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	54pf @ 4V, 1MHz
SFAF2003GHC0G	-	RFQ	1616	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	SFAF2003	기준		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v		975 MV @ 20 a	35 ns	10 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	170pf @ 4V, 1MHz
mur440h	0.3072	RFQ	2279	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	MUR440	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.28 V @ 4 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C	4a	65pf @ 4V, 1MHz
MBRS2535CTHMNG	-	RFQ	9230	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRS2535	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	35 v	25A	820 MV @ 20 a		200 µa @ 35 v	-55 ° C ~ 150 ° C
HERAF1007G	-	RFQ	9989	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2		기준		ITO-220AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-HERAF1007G	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.7 V @ 10 a	80 ns	10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	60pf @ 4V, 1MHz
BZD17C47P RVG	-	RFQ	7246	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.38%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 36 v									47 v	45 옴
F1T5G A1G	-	RFQ	1108	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	T-18, 축,	F1T5	기준		TS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.3 v @ 1 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
bzy55b5v1 Ryg	-	RFQ	3063	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0805 (2012 5)	bzy55		500MW	0805	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1.5 v @ 10 ma		100 na @ 1 v									5.1 v	50 옴
MTZJ6V8SB	0.0299	RFQ	5258	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204Ag, do-34, 축 방향	mtzj6		500MW	DO-34	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MTZJ6V8SBTR	귀 99	8541.10.0050	10,000																		2 µa @ 3.5 v									6.8 v	20 옴
SF2005G	0.7283	RFQ	4163	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	SF2005	기준		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													300 v		1.3 V @ 10 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	80pf @ 4V, 1MHz
KBP105G C2G	-	RFQ	5998	대만 대만 회사	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBP		기준		KBP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000																1 V @ 1 a		10 µa @ 600 v		1 a				단일 단일	600 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²