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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
ES2F	0.1380	RFQ	1480	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	ES2F	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													300 v		1.3 V @ 2 a	35 ns	10 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
RSFKL MHG	-	RFQ	1354	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RSFKL	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.3 v @ 500 ma	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
2M110ZHA0G	-	RFQ	7801	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M110		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500																		500 NA @ 83.6 v				110 v	250 옴
SSL32 M6G	-	RFQ	3053	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	SSL32	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		410 MV @ 3 a		200 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
FR202G R0G	-	RFQ	8995	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FR202	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		1.3 V @ 2 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	10pf @ 4V, 1MHz
SRS20100 MNG	-	RFQ	5716	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SRS20100	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	100 v	20A	550 mV @ 10 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 125 ° C
BZX55B56 A0G	-	RFQ	8120	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1 v @ 100 ma		100 na @ 42 v				56 v	135 옴
TSD2GH R5G	0.4700	RFQ	2	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	TSD2	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	짐													400 v				1 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
MBRF20100CTC0	-	RFQ	1371	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF20100	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	100 v	20A	950 MV @ 20 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SR206H	0.1035	RFQ	6145	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SR206	Schottky		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		700 mv @ 2 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
BZD17C36P 깔개	-	RFQ	3773	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.55%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 27 v				36 v	40
1pgsmc5351h	0.3459	RFQ	7137	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101, 1PGSMC53	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC	1pgsmc		5 w	DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		1 µa @ 10.6 v				14 v	3 옴
BZS55C3V6	0.0340	RFQ	5661	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)	BZS55		500MW	1206	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZS55C3V6TR	귀 99	8541.10.0050	10,000																1.5 v @ 10 ma		2 µa @ 1 v				3.6 v	85 옴
SF47GHA0G	-	RFQ	8719	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF47	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													500 v		1.7 V @ 4 a	35 ns	5 µa @ 500 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	80pf @ 4V, 1MHz
HER154G B0G	-	RFQ	9429	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	HER154	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													300 v		1 V @ 1.5 a	50 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	35pf @ 4V, 1MHz
BZD17C33P MQG	-	RFQ	5579	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.06%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 24 v				33 v	15 옴
SS310L MHG	-	RFQ	5986	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS310	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		850 mV @ 3 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
HS1AL MTG	-	RFQ	6542	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	HS1A	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		950 MV @ 1 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
HER106G R1G	-	RFQ	1402	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	HER106	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
SF17G R0G	-	RFQ	7940	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SF17	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													500 v		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 500 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
TSM4NB60CP	0.9828	RFQ	3962	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	TSM4	MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TSM4NB60CPTR	귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널	600 v	4A (TC)	10V	2A, 2A, 10V 2.5ohm	4.5V @ 250µA	14.5 nc @ 10 v	± 30V	500 pf @ 25 v	-	50W (TC)
sras830hmng	-	RFQ	3498	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SRAS830	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v		550 mV @ 8 a		100 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	8a	-
BZV55C3V3 L1G	-	RFQ	8206	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55C		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																1 V @ 10 ma		2 µa @ 1 v				3.3 v	85 옴
UG6005pt	2.5633	RFQ	6123	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	UG6005	기준		TO-247AD (TO-3P)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	300 v	60a	1.25 V @ 30 a	25 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 175 ° C
SRA890HC0G	-	RFQ	8632	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	SRA890	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													90 v		850 mV @ 8 a		100 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
HER1602PT C0G	-	RFQ	6992	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	HER1602	기준		TO-247AD (TO-3P)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	100 v	16A	1 V @ 8 a	50 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
HS2MA	0.0862	RFQ	4270	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	HS2M	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1000 v		1.7 V @ 1.5 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	30pf @ 4V, 1MHz
srt15ha0g	-	RFQ	9515	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	T-18, 축,	SRT15	Schottky		TS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		700 mv @ 1 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
SR006ha0g	-	RFQ	8015	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SR006	Schottky		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		700 mV @ 500 mA		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	80pf @ 4V, 1MHz
ES1DV	0.0929	RFQ	2760	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES1D	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		920 MV @ 1 a	15 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²