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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
MBRS2035CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2035CTHMNG -
RFQ
 ECAD 5977 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS2035 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 20A 840 mV @ 20 a 100 µa @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX84C3V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C3V6 0.0511
RFQ
 ECAD 7192 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.56% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX84C3V6TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
EABS1J Taiwan Semiconductor Corporation EABS1J 0.3498
RFQ
 ECAD 6846 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 EABS1 기준 ABS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.7 V @ 1 a 1 µa @ 600 v 1 a 단일 단일 600 v
M3Z20VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z20VC 0.0294
RFQ
 ECAD 6440 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F M3Z20 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-M3Z20VCTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 100 na @ 15 v 20 v 55 옴
S4M M6 Taiwan Semiconductor Corporation S4M M6 -
RFQ
 ECAD 7226 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-s4mm6tr 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 1000 v 1.15 V @ 4 a 1.5 µs 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 60pf @ 4V, 1MHz
SR006 Taiwan Semiconductor Corporation SR006 0.0712
RFQ
 ECAD 3574 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR006 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mV @ 500 mA 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 80pf @ 4V, 1MHz
2M17ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M17ZHB0G -
RFQ
 ECAD 5881 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M17 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 13 v 17 v 9 옴
SK12BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SK12BHR5G -
RFQ
 ECAD 8981 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SK12 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
S5QB Taiwan Semiconductor Corporation S5QB 0.5000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S5Q 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 1200 v 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 36pf @ 4V, 1MHz
SK56C V7G Taiwan Semiconductor Corporation SK56C V7G 0.9800
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK56 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 5 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
TSM160P02CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM160P02CS 0.6916
RFQ
 ECAD 3163 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TSM160 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM160P02CSTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 20 v 11A (TC) 1.8V, 4.5V 16mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 10V 2320 pf @ 15 v - 2.5W (TC)
TSM70N750CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N750CH C5G 2.1535
RFQ
 ECAD 3741 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA TSM70 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 700 v 6A (TC) 10V 750mohm @ 1.8a, 10V 4V @ 250µA 10.7 NC @ 10 v ± 30V 555 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
MBR6060PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR6060PT 4.0000
RFQ
 ECAD 995 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR6060 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 60a 930 MV @ 60 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
ES1BLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation es1blhrug 0.2565
RFQ
 ECAD 5732 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
FR151GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation FR151GHB0G -
RFQ
 ECAD 5218 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR151 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
SS1H10LWH Taiwan Semiconductor Corporation SS1H10LWH 0.1122
RFQ
 ECAD 7788 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W SS1H10 Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS1H10LWHTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mv @ 1 a 500 NA @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
BZD27C33PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C33PH 0.2933
RFQ
 ECAD 5356 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZD27C33PHTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 24 v 33 v 15 옴
LS4148 L0G Taiwan Semiconductor Corporation LS4148 L0G 0.0235
RFQ
 ECAD 9722 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-80 변형 LS4148 기준 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 75 v 1 V @ 450 ma 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 175 ° C 450ma 4pf @ 0V, 1MHz
KTC3198-O-M0 B2G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-O-M0 B2G -
RFQ
 ECAD 8074 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 영향을받지 영향을받지 1801-KTC3198-O-M0B2G 쓸모없는 1 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 70 @ 150ma, 6V 80MHz
1SMA5941H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5941H 0.0995
RFQ
 ECAD 3537 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5941 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 500 NA @ 35.8 v 47 v 67 옴
BZD27C91PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C91PW 0.1092
RFQ
 ECAD 8685 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W BZD27 1 W. SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 200 ma 1 µa @ 68 v 91 v 200 옴
SF18G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF18G A0G 0.6200
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 대만 대만 회사 - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF18 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
ES1JLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation es1jlhm2g -
RFQ
 ECAD 8800 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1J 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
RSFML MTG Taiwan Semiconductor Corporation RSFML MTG -
RFQ
 ECAD 5554 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFML 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 500 ma 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
ES2D R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2D R5G -
RFQ
 ECAD 9490 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2D 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 2 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
FR155G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR155G A0G -
RFQ
 ECAD 1740 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR155 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 1.5 a 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
SR4030PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR4030PT C0G -
RFQ
 ECAD 1386 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SR4030 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 40a 550 mV @ 20 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C
BAT42-L0 R0 Taiwan Semiconductor Corporation BAT42-L0 R0 -
RFQ
 ECAD 9243 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BAT42 Schottky DO-35 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BAT42-L0R0 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 200 ma 5 ns 500 na @ 25 v -65 ° C ~ 125 ° C 200ma 7pf @ 1v, 1MHz
BZX85C18 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C18 A0G -
RFQ
 ECAD 7308 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 10 ma 500 na @ 13 v 18 v 20 옴
1N4730G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4730G A0G -
RFQ
 ECAD 6679 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4730 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 50 µa @ 1 v 3.9 v 9 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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