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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MUR4L40HB0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR4L40HB0G -
RFQ
 ECAD 5616 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 mur4l40 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.28 V @ 4 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a 65pf @ 4V, 1MHz
BZD27C18PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C18PHRVG 0.2933
RFQ
 ECAD 2286 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 13 v 17.95 v 15 옴
TSM480P06CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM480P06CI C0G -
RFQ
 ECAD 8557 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MOSFET (금속 (() ITO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TSM480P06CIC0G 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 60 v 20A (TC) 4.5V, 10V 48mohm @ 8a, 10V 2.2V @ 250µA 22.4 NC @ 10 v ± 20V 1250 pf @ 30 v - 27W (TC)
BZD27C120P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120P M2G -
RFQ
 ECAD 9768 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91 v 120.5 v 300 옴
S1K Taiwan Semiconductor Corporation S1K 0.0550
RFQ
 ECAD 5316 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S1K 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 짐 800 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
1N5254B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5254B 0.0271
RFQ
 ECAD 1105 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5254 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1n5254Btr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 21 v 27 v 41 옴
BZD27C150P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150P M2G -
RFQ
 ECAD 7403 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 110 v 147 v 300 옴
SK315A Taiwan Semiconductor Corporation SK315A 0.4500
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SK315 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 3 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SR510HA0G Taiwan Semiconductor Corporation sr510ha0g -
RFQ
 ECAD 3780 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR510 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 5 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
ES2JHR5G Taiwan Semiconductor Corporation es2jhr5g -
RFQ
 ECAD 7603 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2J 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 2 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
1M200ZH Taiwan Semiconductor Corporation 1M200ZH 0.1188
RFQ
 ECAD 4387 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1M200 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 152 v 200 v 1500 옴
TSM090N03ECP Taiwan Semiconductor Corporation TSM090N03ECP 0.7000
RFQ
 ECAD 6718 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSM090 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM090N03ECPTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 7.7 NC @ 4.5 v ± 20V 680 pf @ 25 v - 40W (TC)
SK52BHM4G Taiwan Semiconductor Corporation SK52BHM4G -
RFQ
 ECAD 7711 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SK52 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
RS1AL MHG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL MHG -
RFQ
 ECAD 1692 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1A 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 800 ma 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
S1KALH Taiwan Semiconductor Corporation s1kalh 0.4000
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 ECAD 6 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 S1K 기준 SMA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 짐 800 v 1.1 v @ 1 a 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
MBRS2560CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2560CT MNG -
RFQ
 ECAD 4311 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS2560 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 25A 900 MV @ 25 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
RS3B R6 Taiwan Semiconductor Corporation RS3B R6 -
RFQ
 ECAD 3840 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-RS3BR6TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
1SMA5941HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5941HR3G -
RFQ
 ECAD 3562 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5941 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 500 NA @ 35.8 v 47 v 67 옴
ES1GLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation es1glhrqg -
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 ECAD 8774 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab es1g 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
BZY55B7V5 RYG Taiwan Semiconductor Corporation bzy55b7v5 Ryg -
RFQ
 ECAD 4399 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
SSL32HM6G Taiwan Semiconductor Corporation ssl32hm6g -
RFQ
 ECAD 4128 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SSL32 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 410 MV @ 3 a 200 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
1N4731G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4731G A0G -
RFQ
 ECAD 3497 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4731 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.3 v 9 옴
1PGSMC5354 R7G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5354 R7g -
RFQ
 ECAD 9733 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 500 NA @ 12.9 v 17 v 3 옴
1SMA4747 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4747 0.0935
RFQ
 ECAD 6446 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4747 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1 µa @ 15.2 v 20 v 22 옴
GBPC3504 Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3504 3.7238
RFQ
 ECAD 4792 0.00000000 대만 대만 회사 GBPC35 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, GBPC GBPC3504 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-GBPC3504 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 400 v 35 a 단일 단일 400 v
S3ABHM4G Taiwan Semiconductor Corporation s3abhm4g -
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 ECAD 2325 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB S3A 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 50 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
S2MFL Taiwan Semiconductor Corporation s2mfl 0.0817
RFQ
 ECAD 9738 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-S2MFLTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 짐 1000 v 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1MHz
BZD27C11P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11P MTG -
RFQ
 ECAD 5301 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
1PGSMA4752 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4752 0.1086
RFQ
 ECAD 9954 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma4752 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 25.1 v 33 v 45 옴
SR509 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR509 B0G -
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 ECAD 9910 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR509 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 5 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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